GeneSiC introduce i transistor a giunzione in carburo di silicio
DULLI, VA, febbraio 25, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a…
La nuova fisica consente a Thyristor di raggiungere un livello più alto
DULLI, VA, agosto 30, 2011 – New Physics Lets Thyristors Reach Higher Level An electric power grid supplies reliable power with the help of electronic devices that ensure smooth, reliable…
GeneSiC vince il prestigioso premio R&Premio D100 per dispositivi SiC in applicazioni di energia solare ed eolica connesse alla rete
DULLI, VA, luglio 14, 2011 — R&D Magazine ha selezionato GeneSiC Semiconductor Inc. di Dulles, VA come destinatario del prestigioso 2011 R&D 100 Award for the commercialization of…
GeneSiC Semiconductor selezionato per presentare la tecnologia al 2011 Vertice sull'innovazione energetica ARPA-E
DULLI, VA, febbraio 28, 2011 – GeneSiC Semiconductor è lieta di annunciare la sua selezione per il prestigioso Technology Showcase all'ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of…
GeneSiC vince il progetto di gestione dell'energia dalla NASA a sostegno delle future missioni di esplorazione di Venere
DULLI, VA, dicembre 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., un innovatore chiave del romanzo carburo di silicio (SiC) dispositivi per alte temperature, ad alta potenza, e applicazioni ad altissima tensione, announces selection of…