Una rete elettrica fornisce energia affidabile con l'aiuto di dispositivi elettronici che garantiscono un funzionamento regolare, flusso di potenza affidabile. Finora, si è fatto affidamento sugli assemblaggi a base di silicio, ma non sono stati in grado di gestire i requisiti della rete intelligente. Materiali a banda larga come il carburo di silicio (SiC) offrono un'alternativa migliore in quanto sono in grado di velocità di commutazione più elevate, una tensione di rottura maggiore, perdite di commutazione inferiori, e una temperatura di giunzione più elevata rispetto ai tradizionali interruttori a base di silicio. Il primo di questi dispositivi basati su SiC a raggiungere il mercato è il tiristore in carburo di silicio ad altissima tensione (Tiristore SiC), sviluppato da GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., con il supporto dei Laboratori Nazionali Sandia, Albuquerque, N.M., gli Stati Uniti. Dipartimento di Energia/Elettricità, e gli Stati Uniti. Esercito/Ricerca sugli armamenti, Centro di sviluppo e ingegneria, Arsenale Picatinny, N.J.
Gli sviluppatori hanno adottato una fisica operativa diversa per questo dispositivo, che opera sul trasporto di vettori minoritari e su un terzo terminale raddrizzatore integrato, che è uno in più rispetto ad altri dispositivi SiC commerciali. Gli sviluppatori hanno adottato una nuova tecnica di fabbricazione che supporta le valutazioni di cui sopra 6,500 V, così come un nuovo design dell'anodo del cancello per dispositivi ad alta corrente. In grado di funzionare a temperature fino a 300 C e corrente at 80 UN, il SiC Thyristor offre fino a 10 volte più alta tensione, tensioni di blocco quattro volte superiori, e 100 frequenza di commutazione volte più veloce rispetto ai tiristori a base di silicio.
