DULLI, VA, febbraio 25, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi l'immediata disponibilità di una famiglia di 1700V e 1200 Transistor a giunzione V SiC. Incorporando l'alta tensione, I transistor a giunzione SiC ad alta frequenza e ad alta temperatura aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume dell'elettronica di potenza. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, incluso il server, alimentatori per telecomunicazioni e reti, gruppi di continuità, inverter solari, sistemi di controllo motori industriali, e applicazioni di fondo pozzo.
I transistor di giunzione offerti da GeneSiC mostrano una capacità di commutazione ultraveloce, un'area operativa sicura quadrata con polarizzazione inversa (RBSOA), nonché perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura temperature. Questi interruttori sono esenti da ossido di gate, normalmente spento, esibire un coefficiente di temperatura positivo di resistenza all'accensione, e sono in grado di essere guidati dal commerciale, comunemente disponibile 15 V Gate driver IGBT, a differenza di altri interruttori SiC. Pur offrendo compatibilità con i driver SiC JFET, I transistor di giunzione possono essere facilmente messi in parallelo grazie alle loro caratteristiche transitorie corrispondenti.
“Mentre i progettisti di sistemi di alimentazione continuano a spingere i limiti della frequenza operativa, pur richiedendo elevate efficienze del circuito, la necessità di switch SiC in grado di offrire uno standard di prestazioni e uniformità di produzione. Utilizzando il dispositivo unico e le innovazioni di fabbricazione, I prodotti Transistor di GeneSiC aiutano i progettisti a ottenere tutto ciò in una soluzione più robusta,” disse il dott. Ranbir Singh , Presidente di GeneSiC Semiconductor.
1700 Caratteristiche tecniche del transistor a giunzione a V
- Tre offerte – 110 mOhm (GA16JT17-247); 250 mOhm (GA08JT17-247); e 500 mOhm (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175°C
- Attiva/disattiva tempi di salita/discesa <50 nanosecondi tipici.
1200 Caratteristiche tecniche del transistor a giunzione a V
- Due offerte - 220 mOhm (GA06JT12-247); e 460 mOhm (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- Attiva/disattiva tempi di salita/discesa <50 nanosecondi tipici
Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Pacchetti TO-247 conformi RoHS. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i Distributori Autorizzati di GeneSiC.
