DULLI, VA, Marzo 5, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi l'immediata disponibilità dei suoi mini-moduli ibridi di seconda generazione utilizzando 1200 Raddrizzatori Schottky SiC V/100 Ampere con robusti IGBT al silicio: GB100XCP12-227. Il rapporto prestazioni-prezzo al quale questo prodotto viene rilasciato consente a molte applicazioni di conversione di potenza di beneficiare della riduzione del costo/dimensioni/peso/volume che né la soluzione Silicon IGBT/Silicon Rectifier, né un modulo SiC puro può offrire. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, compresi i motori industriali, inverter solari, apparecchiature specializzate e applicazioni di rete elettrica.
Minimoduli SiC Schottky/Si IGBT (Co-pack) offerti da GeneSiC sono realizzati con IGBT di Si che mostrano un coefficiente di temperatura positivo di caduta in stato on, robusto design perforato, funzionamento ad alta temperatura e caratteristiche di commutazione rapida che possono essere guidate da commerciali, comunemente disponibile 15 V Gate driver IGBT. I raddrizzatori SiC utilizzati in questi moduli Co-pack consentono pacchetti a induttanza estremamente bassa, bassa caduta di tensione in stato on e nessun ripristino inverso. Il pacchetto SOT-227 offre una piastra di base isolata, 12mm design a basso profilo che può essere utilizzato in modo molto flessibile come elemento di circuito autonomo, configurazione in parallelo ad alta corrente, una tappa di fase (due moduli), o come elemento del circuito chopper.
“Abbiamo ascoltato i nostri clienti chiave fin dall'offerta iniziale di questo prodotto quasi 2 anni fa. Questa seconda generazione 1200 Il prodotto V/100 A Co-pack ha un design a bassa induttanza adatto per l'alta frequenza, applicazioni ad alta temperatura. Le scarse caratteristiche di alta temperatura e recupero inverso dei diodi al silicio limitano in modo critico l'uso di IGBT a temperature più elevate. VF low basso di GeneSiC, I diodi Schottky SiC a bassa capacità consentono questo prodotto rivoluzionario” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
1200 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore V/100 A Si IGBT/SiC
- Rilascio in stato di 1.9 V at 100 UN
- Coefficiente di temperatura positivo su VF
- Tjmax = 175°C
- Perdite di energia all'accensione 23 microJoule (tipico).
Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Pacchetti SOT-227 conformi allo standard di settore RoHS. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i Distributori Autorizzati di GeneSiC.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, giù per le trivellazioni petrolifere, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi US, including the ARPA-E, Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori governativi principali. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
