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La nuova fisica consente a Thyristor di raggiungere un livello più alto

DULLI, VA, agosto 30, 2011 – La nuova fisica consente ai tiristori di raggiungere un livello più alto

Una rete elettrica fornisce energia affidabile con l'aiuto di dispositivi elettronici che garantiscono un funzionamento regolare, flusso di potenza affidabile. Finora, si è fatto affidamento sugli assemblaggi a base di silicio, ma non sono stati in grado di gestire i requisiti della rete intelligente. Materiali a banda larga come il carburo di silicio (SiC) offrono un'alternativa migliore in quanto sono in grado di velocità di commutazione più elevate, una tensione di rottura maggiore, perdite di commutazione inferiori, e una temperatura di giunzione più elevata rispetto ai tradizionali interruttori a base di silicio. Il primo di questi dispositivi basati su SiC a raggiungere il mercato è il tiristore in carburo di silicio ad altissima tensione (Tiristore SiC), sviluppato da GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., con il supporto dei Laboratori Nazionali Sandia, Albuquerque, N.M., gli Stati Uniti. Dipartimento di Energia/Elettricità, e gli Stati Uniti. Esercito/Ricerca sugli armamenti, Centro di sviluppo e ingegneria, Arsenale Picatinny, N.J.

Gli sviluppatori hanno adottato una fisica operativa diversa per questo dispositivo, che opera sul trasporto di vettori minoritari e su un terzo terminale raddrizzatore integrato, che è uno in più rispetto ad altri dispositivi SiC commerciali. Gli sviluppatori hanno adottato una nuova tecnica di fabbricazione che supporta le valutazioni di cui sopra 6,500 V, così come un nuovo design dell'anodo del cancello per dispositivi ad alta corrente. In grado di funzionare a temperature fino a 300 C e corrente at 80 UN, il SiC Thyristor offre fino a 10 volte più alta tensione, tensioni di blocco quattro volte superiori, e 100 frequenza di commutazione volte più veloce rispetto ai tiristori a base di silicio.

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GeneSiC vince il prestigioso premio R&Premio D100 per dispositivi SiC in applicazioni di energia solare ed eolica connesse alla rete

DULLI, VA, luglio 14, 2011 — R&D Magazine ha selezionato GeneSiC Semiconductor Inc. di Dulles, VA come destinatario del prestigioso 2011 R&D 100 Premio per la commercializzazione di dispositivi al Carburo di Silicio con rating ad alta tensione.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovatore chiave nei dispositivi di potenza a base di carburo di silicio è stato premiato la scorsa settimana con l'annuncio di aver ricevuto il prestigioso 2011 R&D 100 Premio. Questo premio riconosce GeneSiC per aver introdotto uno dei più significativi, la ricerca e lo sviluppo di nuova introduzione nel corso di molteplici discipline 2010. R&D Magazine ha riconosciuto il tiristore SiC ad altissima tensione di GeneSiC per la sua capacità di ottenere tensioni e frequenze di blocco mai utilizzate prima per le dimostrazioni di elettronica di potenza. I valori di tensione di >6.5kV, corrente nominale in stato di 80 A e frequenze operative di >5 i kHz sono molto più alti di quelli precedentemente introdotti sul mercato. Queste capacità raggiunte dai Thyristors di GeneSiC consentono ai ricercatori di elettronica di potenza di sviluppare inverter collegati alla rete, Flessibile

Sistemi di trasmissione CA (FATTI) e sistemi ad alta tensione CC (HVDC). Ciò consentirà nuove invenzioni e sviluppi di prodotti nell'ambito delle energie rinnovabili, inverter solari, inverter eolici, e industrie di stoccaggio dell'energia. Dott. Ranbir Singh, Il presidente di GeneSiC Semiconductor ha commentato: "Si prevede che i mercati su larga scala delle sottostazioni elettriche a stato solido e dei generatori di turbine eoliche si apriranno dopo che i ricercatori nell'arena della conversione di potenza avranno realizzato appieno i vantaggi dei tiristori SiC. Questi tiristori SiC di prima generazione utilizzano la caduta di tensione allo stato on e le resistenze on differenziali più basse mai ottenute nei tiristori SiC. Intendiamo rilasciare le future generazioni di tiristori SiC ottimizzati per la capacità di spegnimento controllato dal cancello e la capacità di alimentazione a impulsi e >10valori kV. Mentre continuiamo a sviluppare soluzioni di imballaggio ad altissima tensione ad alta temperatura, gli attuali tiristori da 6,5 ​​kV sono confezionati in moduli con contatti completamente saldati, limitato a temperature di giunzione di 150oC.” Dal momento che questo prodotto è stato lanciato in ottobre 2010, GeneSiC ha prenotato ordini da più clienti per la dimostrazione di hardware avanzato per l'elettronica di potenza utilizzando questi tiristori in carburo di silicio. GeneSiC continua a sviluppare la sua famiglia di prodotti a tiristori in carburo di silicio. La R&D sulla prima versione per le applicazioni di conversione di potenza è stata sviluppata grazie al supporto finanziario SBIR del Dipartimento degli Stati Uniti. di energia. Più avanzato, I tiristori SiC ottimizzati a potenza pulsata sono in fase di sviluppo nell'ambito di un altro contratto SBIR con ARDEC, Esercito degli Stati Uniti. Utilizzando questi sviluppi tecnici, investimento interno da GeneSiC e ordini commerciali da più clienti, GeneSiC è stata in grado di offrire questi tiristori UHV come prodotti commerciali.

Il 49° concorso tecnologico annuale organizzato da R&D Magazine ha valutato i lavori di varie aziende e attori del settore, organizzazioni di ricerca e università in tutto il mondo. I redattori della rivista e una giuria di esperti esterni sono stati giudici, valutare ogni voce in termini di importanza per il mondo della scienza e della ricerca.

Secondo R&D Magazine, vincere una R&D 100 Award fornisce un marchio di eccellenza noto all'industria, governo, e il mondo accademico a riprova che il prodotto è una delle idee più innovative dell'anno. Questo premio riconosce GeneSiC come leader globale nella creazione di prodotti basati sulla tecnologia che fanno la differenza nel modo in cui lavoriamo e viviamo.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

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Multi-kHz, Tiristori in carburo di silicio ad altissima tensione campionati a ricercatori statunitensi

DULLI, VA, novembre 1, 2010 –In una prima offerta nel suo genere, GeneSiC Semiconductor annuncia la disponibilità di una famiglia di tiristori in carburo di silicio in modalità SCR da 6,5 ​​kV da utilizzare nell'elettronica di potenza per applicazioni Smart Grid. Si prevede che i vantaggi rivoluzionari delle prestazioni di questi dispositivi di alimentazione stimoleranno innovazioni chiave nell'hardware dell'elettronica di potenza su larga scala per aumentare l'accessibilità e lo sfruttamento delle risorse energetiche distribuite (IL). "Finora, carburo di silicio multi-kV (SiC) i dispositivi di potenza non erano apertamente a disposizione dei ricercatori statunitensi per sfruttare appieno i noti vantaggi, vale a dire frequenze operative di 2-10kHz con valori nominali di 5-15kV, dei dispositivi di potenza basati su SiC. ha commentato Dr. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC. “GeneSiC ha recentemente completato la consegna di molti 6.5kV/40A, 6.5Tiristori kV/60A e 6,5kV/80A a più clienti che conducono ricerche nel campo delle energie rinnovabili, Applicazioni del sistema di alimentazione dell'esercito e della marina. I dispositivi SiC con queste valutazioni vengono ora offerti in modo più ampio".

I tiristori a base di carburo di silicio offrono una tensione 10 volte superiore, 100X frequenze di commutazione più veloci e funzionamento a temperature più elevate rispetto ai tradizionali tiristori a base di silicio. Le opportunità di ricerca di applicazioni mirate per questi dispositivi includono la conversione di potenza a media tensione per uso generale (MVDC), Inverter solari collegati alla rete, inverter eolici, potenza pulsata, sistemi d'arma, controllo dell'accensione, e controllo del grilletto. È ormai assodato che il voltaggio ultra alto (>10kV) Carburo di silicio (SiC) la tecnologia dei dispositivi giocherà un ruolo rivoluzionario nella rete elettrica di prossima generazione. I dispositivi SiC basati su tiristori offrono le massime prestazioni in stato on per >5 dispositivi kV, e sono ampiamente applicabili ai circuiti di conversione di potenza a media tensione come i limitatori di corrente di guasto, Convertitori AC-DC, Compensatori VAR statici e Compensatori di serie. I tiristori basati su SiC offrono anche le migliori possibilità di adozione anticipata grazie alle loro somiglianze con gli elementi della rete elettrica convenzionali. L'implementazione di queste tecnologie avanzate dei semiconduttori di potenza potrebbe fornire tanto quanto a 25-30 riduzione percentuale del consumo di elettricità grazie a una maggiore efficienza nella fornitura di energia elettrica.

Dott. Singh continua “Si prevede che i mercati su larga scala delle sottostazioni elettriche a stato solido e dei generatori di turbine eoliche si apriranno dopo che i ricercatori nell'arena della conversione di potenza avranno realizzato appieno i vantaggi dei tiristori SiC. Questi tiristori SiC di prima generazione utilizzano la caduta di tensione allo stato on e le resistenze on differenziali più basse mai ottenute nei tiristori SiC. Intendiamo rilasciare le future generazioni di tiristori SiC ottimizzati per la capacità di spegnimento controllato da gate e >10valori kV. Mentre continuiamo a sviluppare soluzioni di imballaggio ad altissima tensione ad alta temperatura, gli attuali tiristori da 6,5 ​​kV sono confezionati in moduli con contatti completamente saldati, limitato a temperature di giunzione di 150oC.” GeneSiC è un innovatore emergente veloce nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera.

Situato vicino a Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, Transistor a supergiunzione (SJT) e un'ampia varietà di dispositivi basati su tiristori. GeneSiC ha o ha avuto prime / subappalti da importanti agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visita www.genesicsemi.com.