MOSFET SiC da 6,5 kV leader del settore di GeneSiC – l'avanguardia per una nuova ondata di applicazioni
DULLI, VA, ottobre 20, 2020 — GeneSiC rilascia MOSFET in carburo di silicio da 6,5 kV per essere all'avanguardia nella fornitura di livelli di prestazioni senza precedenti, efficienza e affidabilità nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione…
GeneSiC vince il prestigioso premio R&Premio D100 per interruttore transistor-raddrizzatore monolitico basato su SiC
DULLI, VA, dicembre 5, 2019 — R&D Magazine ha selezionato GeneSiC Semiconductor Inc. di Dulles, VA come destinatario del prestigioso 2019 R&D 100 Premio per lo sviluppo di SiC-Based…
650V capace di alta corrente, 1200Diodi Schottky MPS ™ SiC V e 1700V in contenitore mini-modulo SOT-227
DULLI, VA, Maggio 11, 2019 — GeneSiC diventa un leader di mercato in capacità ad alta corrente (100 A e 200 UN) Diodi Schottky SiC nel mini-modulo SOT-227 GeneSiC ha introdotto GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC rilascia l'MPS Schottky SiC da 1700V con le migliori prestazioni del settore™ diodi
DULLI, VA, gennaio 7, 2019 — GeneSiC rilascia un portafoglio completo dei suoi diodi Schottky MPS ™ SiC 1700V di terza generazione nel pacchetto TO-247-2 GeneSiC ha introdotto GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 e…
I moduli SiC Schottky Rectifier/Si IGBT ibridi di GeneSiC consentono il funzionamento a 175°C
DULLI, VA, Marzo 5, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) power semiconductors annuncia oggi la disponibilità immediata dei propri…