DULLI, VA, dicembre 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., un innovatore chiave del romanzo carburo di silicio (SiC) dispositivi per alte temperature, ad alta potenza, e applicazioni ad altissima tensione, annuncia la selezione del suo progetto intitolato “Dispositivi integrati a transistor-diodo a transistor a super giunzione SiC per moduli di controllo motori ad alta potenza operanti a 500 oC” dalla National Aeronautics and Space Administration degli Stati Uniti (Nasa) per un premio SBIR di Fase I. Questo progetto SBIR è focalizzato sullo sviluppo del diodo JBS integrato monolitico SiC-transistor Super Junction (MEZZO) dispositivi per il funzionamento in ambienti simili a Venere (500 °C temperature superficiali). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.
“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” disse il dott. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 ° C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 ° C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.
GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitando www.genesicsemi.com.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa.
