杜勒斯, VA, 十月 23, 2007 — GeneSiC半导体公司, 迅速崛起的高温创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 宣布在2007财年获得了美国能源部的三项单独的小型企业赠款. GeneSiC将使用SBIR和STTR赠款来演示用于各种能量存储的新型高压SiC器件, 电网, 高温高能物理应用. 随着世界关注更高效，更具成本效益的能源管理解决方案，储能和电网应用日益受到关注.
“我们很高兴美国能源部各办公室对我们的大功率设备解决方案表示出的信任程度. 将这些资金注入我们先进的SiC技术计划中，将形成行业领先的SiC线器件,” GeneSiC总裁评论, 博士. 类别. “这些项目中正在开发的设备有望提供关键的使能技术，以支持更高效的电网, 由于现代基于硅技术的局限性，这将为尚未实现的新的商业和军事硬件技术打开大门。”
这三个项目包括:
- 新的I期SBIR奖项重点关注高电流, 面向储能应用的基于多kV晶闸管的设备.
- 美国能源部科学办公室授予第二阶段SBIR后续奖项，该奖项是针对用于高功率RF系统应用的高压电源的多kV SiC功率器件的开发.
- 一期STTR奖专注于光控高压, 用于电磁干扰丰富的高频SiC功率器件, 包括高功率射频能量系统, 和定向能量武器系统.
随着奖项, GeneSiC最近将业务转移到杜勒斯扩展的实验室和办公大楼, 维吉尼亚州, 大幅升级设备, 基础架构，并且正在增加其他关键人员.
“GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件, 通过访问广泛的制造套件来支持, 表征和测试设施,” 结论博士. 辛格. “我们认为这些功能已被美国能源部有效地通过这些新的和后续的奖项进行了验证。”
有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问 www.genesicsemi.com.
