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GeneSiC发布业界性能最佳的1700V SiC肖特基MPS™ 二极管

杜勒斯, VA, 一月 7, 2019 — GeneSiC推出采用TO-247-2封装的第三代1700V SiC肖特基MPS™二极管的全面产品组合

GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和GB50MPS17-247; 流行的TO-247-2通孔封装中提供了业界性能最佳的1700V SiC二极管. 这些1700V SiC二极管替代了硅基超快恢复二极管和其他旧式1700V SiC JBS, 使工程师能够构建具有更高效率和更高功率密度的开关电路. 预计应用将包括电动汽车快速充电器, 马达驱动, 运输电源和可再生能源.

GB50MPS17-247是1700V 50A SiC合并式PiN肖特基二极管, 业界额定电流最高的分立SiC功率二极管. 这些新发布的二极管具有低正向压降, 零前向恢复, 零反向恢复, 低结电容，额定最高工作温度为 175°C. GeneSiC 的第三代 SiC 肖特基二极管技术提供行业领先的雪崩耐用性和浪涌电流 (伊斯马) 稳健性, 结合高质量的汽车合格6英寸铸造厂和先进的高可靠性分立装配技术.

这些SiC二极管是引脚兼容的直接替代品，可替代TO-247-2封装中的其他二极管. 受益于较低的功率损耗 (冷却器操作) 和高频开关能力, 设计人员现在可以在设计中实现更高的转换效率和更高的功率密度.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.

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多kHz, 向美国研究人员取样的超高压碳化硅晶闸管

杜勒斯, VA, 十一月 1, 2010 –在同类产品中的第一个, GeneSiC Semiconductor宣布推出一系列6.5kV SCR模式碳化硅晶闸管，用于智能电网应用的电力电子. 这些功率设备的革命性性能优势有望刺激公用事业规模的功率电子硬件的关键创新，以增加分布式能源的可及性和开发 (的). “到现在, 多kV碳化硅 (碳化硅) 美国研究人员尚未公开使用这些功率器件来充分利用SiC功率器件的众所周知的优势，即在5-15kV额定值下具有2-10kHz的工作频率。”评论了博士. 类别, GeneSiC总裁. “ GeneSiC最近完成了许多6.5kV / 40A的交付, 6.5kV / 60A和6.5kV / 80A晶闸管，面向进行可再生能源研究的多个客户, 陆军和海军系统的应用. 具有这些额定值的SiC器件现在正在被更广泛地提供。”

基于碳化硅的晶闸管可提供10倍的更高电压, 100与传统的硅基晶闸管相比，X的开关频率更快，工作温度更高. 这些设备的目标应用研究机会包括通用中压功率转换 (直流输电), 并网太阳能逆变器, 风电逆变器, 脉冲功率, 武器系统, 点火控制, 和触发控制. 现在已经公认超高压 (>10千伏) 碳化硅 (碳化硅) 设备技术将在下一代公用电网中发挥革命性作用. 基于晶闸管的SiC器件可为以下器件提供最高的通态性能 >5 kV设备, 并广泛适用于中压功率转换电路，例如故障电流限制器, AC-DC转换器, 静态无功补偿器和串联补偿器. 基于碳化硅的晶闸管与常规电网元件相似，因此也提供了尽早采用的最佳机会. 部署这些先进的功率半导体技术可以提供 25-30 通过提高电力输送效率来减少用电量的百分比.

博士. Singh继续说道：“在电力转换领域的研究人员将充分意识到SiC晶闸管的优势之后，预计固态变电站和风力涡轮发电机的大规模市场将打开。. 这些第一代 SiC 晶闸管利用了 SiC 晶闸管所实现的最低通态压降和差分导通电阻. 我们打算发布针对栅极控制的关断能力和 >10千伏额定值. 随着我们不断开发高温超高压封装解决方案, 目前的 6.5kV 晶闸管采用完全焊接触点的模块封装, 限制在150oC的结温。” GeneSiC是SiC功率器件领域中快速崛起的创新者，对碳化硅的发展有着坚定的承诺 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件.

位于华盛顿附近, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 超级结晶体管 (SJT) 以及各种基于晶闸管的器件. GeneSiC已经或已经与美国主要政府机构签订了主要/分包合同, 包括能源部, 海军, 军队, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访 www.genesicsemi.com.

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GeneSiC从ARPA-E赢得253万美元，用于开发基于碳化硅晶闸管的器件

杜勒斯, VA, 九月 28, 2010 – 高级研究计划署 – 能源 (阿帕) 已与 GeneSiC Semiconductor 领导的团队达成合作协议，以开发新型超高压碳化硅 (碳化硅) 基于晶闸管的设备. 这些设备有望成为将大型风能和太阳能发电厂集成到下一代智能电网的关键推动因素.

“GeneSiC 获得的这一极具竞争力的奖项将使我们能够扩大我们在多 kV 碳化硅技术方面的技术领先地位, 以及我们对具有固态解决方案的电网规模替代能源解决方案的承诺,”博士评论道. 类别, GeneSiC总裁. “我们正在开发的多 kV 碳化硅晶闸管是实现灵活交流输电系统的关键使能技术 (事实) 元件和高压直流 (高压直流) 构想的集成架构, 高效的, 未来的智能电网. GeneSiC 的基于 SiC 的晶闸管提供 10 倍的高电压, 100与传统的硅基晶闸管相比，FACTS 和 HVDC 电源处理解决方案中的开关频率更快，工作温度更高。”

在四月份 2010, GeneSiC 响应电力技术的敏捷交付 (熟练) 来自 ARPA-E 的招标寻求投资材料以实现高压开关的根本进步，这些材料有可能超越现有电源转换器的性能，同时降低成本. 该公司题为“用于中压功率转换的碳化硅阳极开关晶闸管”的提案被选中，以提供一种轻型, 固体状态, 用于大功率应用的中压能量转换，例如固态变电站和风力涡轮发电机. 部署这些先进的功率半导体技术可以提供 25-30 通过提高电力输送效率来减少用电量的百分比. 选定的创新是为了支持和促进美国. 通过技术领先的企业, 通过竞争激烈的过程.

碳化硅是下一代半导体材料，其性能远远优于传统硅, 例如能够在高达 300ºC 的温度下处理十倍的电压和一百倍的电流. 这些特性使其非常适合混合动力和电动汽车等大功率应用, 再生能源 (风能和太阳能) 装置, 和电网控制系统.

现在已经公认超高压 (>10千伏) 碳化硅 (碳化硅) 设备技术将在下一代公用电网中发挥革命性作用. 基于晶闸管的SiC器件可为以下器件提供最高的通态性能 >5 kV设备, 并广泛适用于中压功率转换电路，例如故障电流限制器, AC-DC转换器, 静态无功补偿器和串联补偿器. 基于碳化硅的晶闸管与常规电网元件相似，因此也提供了尽早采用的最佳机会. 这些设备的其他有前途的应用和优势包括:

  • 未来海军能力下寻求中压直流转换的电源管理和电源调节系统 (FNC) 美国海军, 电磁发射系统, 高能武器系统和医学成像. 工作频率提高 10-100 倍，可实现前所未有的尺寸改进, 重量, 量和最终, 此类系统的成本.
  • 多种储能, 高温高能物理应用. 随着全球关注更高效、更具成本效益的能源管理解决方案，储能和电网应用正受到越来越多的关注.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件.

“通过利用我们在器件和工艺设计方面的核心竞争力以及广泛的制造套件，我们已成为超高压 SiC 技术的领导者, 表征, 和测试设施,”博士总结道. 辛格. “GeneSiC 的地位现在已经得到了美国能源部的有效验证，并获得了这一重要的后续奖项。”

关于 GeneSiC 半导体

位于华盛顿附近的战略位置, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 超级结晶体管 (SJT) 以及各种基于晶闸管的器件. GeneSiC已经或已经与美国主要政府机构签订了主要/分包合同, 包括能源部, 海军, 军队, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访www.genesicsemi.com.

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可再生能源推动力使GeneSiC Semiconductor获美国能源部150万美元资助

杜勒斯, VA, 十一月 12, 2008 – 美国能源部已授予GeneSiC半导体两项单独的赠款，总额为150万美元，用于开发高压碳化硅 (碳化硅) 将成为风能关键推动力的设备- 和太阳能与国家电网的整合.

“这些奖项证明了能源部对GeneSiC能力的信心, 以及对替代能源解决方案的承诺,”博士说. 类别, GeneSiC总裁. “综合, 高效的电网对国家的能源未来至关重要。我们正在开发的SiC器件对于克服传统硅技术的低效率至关重要。”

第一个奖项是75万美元的第二阶段SBIR赠款，用于快速开发, 超高压SiC双极器件. 第二个是75万美元的II期STTR赠款，用于开发光控大功率SiC开关.

碳化硅是下一代半导体材料，能够处理10倍于硅的电压和100倍于硅的电流, 使其非常适合大功率应用，例如可再生能源 (风能和太阳能) 设施和电网控制系统.

特别, 这两个奖项是为了:

  • 高频的发展, 千伏SiC栅极截止 (GTO) 电力设备. 政府和商业应用包括船舶动力管理和调节系统, 公用事业, 和医学成像.
  • 光控高压的设计与制造, 大功率SiC开关器件. 对于受到电磁干扰困扰的环境，使用光纤开关电源是理想的解决方案 (电磁干扰), 和需要超高压的应用.

GeneSiC正在开发的SiC器件可用于各种储能, 电网, 和军事应用, 随着世界关注更高效，更具成本效益的能源管理解决方案，这些解决方案正受到越来越多的关注.

驻华盛顿以外, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 场效应晶体管 (场效应管) 和双极设备, 以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC拥有来自美国主要政府机构的主要/分包合同, 包括能源部, 海军, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访 www.genesicsemi.com.

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GeneSiC半导体获得美国能源部SBIR和STTR多项资助

杜勒斯, VA, 十月 23, 2007 — GeneSiC半导体公司, 迅速崛起的高温创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 宣布在2007财年获得了美国能源部的三项单独的小型企业赠款. GeneSiC将使用SBIR和STTR赠款来演示用于各种能量存储的新型高压SiC器件, 电网, 高温高能物理应用. 随着世界关注更高效，更具成本效益的能源管理解决方案，储能和电网应用日益受到关注.

“我们很高兴美国能源部各办公室对我们的大功率设备解决方案表示出的信任程度. 将这些资金注入我们先进的SiC技术计划中，将形成行业领先的SiC线器件,” GeneSiC总裁评论, 博士. 类别. “这些项目中正在开发的设备有望提供关键的使能技术，以支持更高效的电网, 由于现代基于硅技术的局限性，这将为尚未实现的新的商业和军事硬件技术打开大门。”

这三个项目包括:

  • 新的I期SBIR奖项重点关注高电流, 面向储能应用的基于多kV晶闸管的设备.
  • 美国能源部科学办公室授予第二阶段SBIR后续奖项，该奖项是针对用于高功率RF系统应用的高压电源的多kV SiC功率器件的开发.
  • 一期STTR奖专注于光控高压, 用于电磁干扰丰富的高频SiC功率器件, 包括高功率射频能量系统, 和定向能量武器系统.

随着奖项, GeneSiC最近将业务转移到杜勒斯扩展的实验室和办公大楼, 维吉尼亚州, 大幅升级设备, 基础架构，并且正在增加其他关键人员.

“GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件, 通过访问广泛的制造套件来支持, 表征和测试设施,” 结论博士. 辛格. “我们认为这些功能已被美国能源部有效地通过这些新的和后续的奖项进行了验证。”

有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问 www.genesicsemi.com.