SMB'de SiC Schottky Diyotları (DO-214) paketler en küçük ayak izlerini sunar
Yüksek voltaj, En küçük form faktörü yüzey montaj yetenekleri sunarak Solar İnvertörleri ve Yüksek Voltaj montajlarını kritik bir şekilde etkinleştirmek için Geri Kazanım gerektirmeyen SiC Schottky Diyotları Dulles, Virginia., kasım 19, 2013 —…
Silisyum Karbür Schottky Doğrultucular genişletildi 3300 Volt değerleri
High Voltage assemblies to benefit from these low capacitance rectifiers offering temperature-independent zero reverse recovery currents in isolated packages Thief River Falls/Dulles, Virginia., Mayıs 28, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, a…
Silisyum Karbür Çıplak Kalıbı 8000 GeneSiC'den V Derecelendirmeleri
High Voltage circuits and assemblies to benefit from SiC chips that offer unprecedented voltage ratings and ultra-high speed switching Dulles, Virginia., kasım 7, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, a pioneer and…
GeneSiC'in hibrit SiC Schottky Doğrultucu/Si IGBT Modülleri, 175°C'de çalışmayı mümkün kılar
DULES, VA, Mart 5, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of its…
GeneSiC, Silisyum Karbür Bağlantı Transistörlerini Tanıtıyor
DULES, VA, Şubat 25, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a…