GeneSiC Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor..
GeneSiC teknoloji, çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerji tasarrufunda önemli bir rol oynar. Teknolojimiz, yenilenebilir enerji kaynaklarının verimli bir şekilde hasat edilmesini sağlar.
GeneSiC elektronik bileşenler daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; ulaşılması öngörülen bir pazar $1 milyar tarafından 2022.
Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.
Yatırımcı ilişkileriyle ilgili olarak GeneSiC ile iletişime geçmekle ilgileniyorsanız, lütfen bir e-posta gönderin yatırımcılar@genesicsemi.com
Başkan
 | Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Inc'i kurdu. içinde 2004. Bundan önce, ilk olarak Cree Inc'de SiC güç cihazları üzerinde araştırma yaptı., ve sonra NIST'te, Gaithersburg, doktor. Eleştirel bir anlayış geliştirdi ve PiN dahil olmak üzere çok çeşitli SiC güç cihazlarında yayınladı., JBS ve Schottky diyotları, MOSFET'ler, IGBT'ler, Tristörler ve alan kontrollü tristörler. Doktora derecesini aldı. ve Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Yüksek Lisans dereceleri, Kuzey Carolina Eyalet Üniversitesi'nden, Raleigh, Kuzey Kore, ve B. Indian Institute of Technology'den teknoloji, Delhi. İçinde 2012, EE Times Dr adlı. Singh arasında "Kırk Yenilikçi, yeni nesil elektronik endüstrisinin temellerini oluşturuyor." İçinde 2011, R'yi kazandı&6.5kV SiC Tristörlerini ticarileştirme çabalarına D100 ödülü. Üzerinde yayınladı 200 günlük ve konferans kağıtları, üzerinde bir yazar 30 verilen ABD patentleri, ve bir kitap yazdı. |
Teknoloji Başkan Yardımcısı
 | Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiC'nin Teknoloji Başkan Yardımcısıdır. Yüksek Lisansını aldı. ve Doktora. George Mason Üniversitesi'nden Elektrik Mühendisliği derecesi 2004 ve 2007, sırasıyla. Dr.. Sundaresan, 65 cihazla ilgili teknik makaleler ve konferans bildirileri, SiC ve GaN'de üretilen güç cihazlarının malzemeleri ve işleme yönleri. Uluslararası SiC ve İlgili Malzemeler Konferansı'nın teknik program komitesinde görev yapmıştır. (ICSCRM) ve Uluslararası Güç Yarı İletken Cihazları ve IC'leri Sempozyumu'nun güncel bir teknik komite üyesidir (ISPSD). |
