Yüksek voltaj, En küçük form faktörlü yüzeye montaj yetenekleri sunarak Solar İnvertörleri ve Yüksek Gerilim tertibatlarını kritik bir şekilde etkinleştirmek için Ters Kurtarmasız SiC Schottky Diyotları
Dulles, Virginia., kasım 19, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün bir Endüstri standardı SMB ailesinin hemen kullanılabilirliğini duyuruyor (JEDEC DO-214AA) paketlenmiş SiC Doğrultucular 650 - 3300 V aralığı. Bu yüksek voltajın dahil edilmesi, geri kurtarma gerektirmeyen, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık özellikli SiC Diyotları, dönüştürme verimliliğini artıracak ve çoklu kV düzeneklerinin boyut/ağırlık/hacmini azaltacaktır.. Bu ürünler, çok çeşitli X-Ray'de kullanılan voltaj çoğaltıcı devrelerin yanı sıra Mikro-güneş invertörlerine yöneliktir., Lazer ve parçacık üreteci güç kaynakları.
Çağdaş Mikro-güneş invertörleri ve voltaj çoğaltıcı devreleri, Silikon doğrultuculardan gelen ters kurtarma akımları nedeniyle düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan zarar görebilir.. Daha yüksek doğrultucu bağlantı sıcaklıklarında, bu durum daha da kötüleşir çünkü Silikon redresörlerde ters toparlanma akımı sıcaklıkla artar. Termal kısıtlamalar ile yüksek gerilim grupları, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Yüksek Gerilim SiC doğrultucular, mikro-güneş invertörlerinde ve yüksek gerilim düzeneklerinde devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 650 V/1 A; 1200 V/2A ve 3300 V/0.3 A Schottky redresörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfır ters kurtarma akımına sahiptir. bu 3300 V dereceli cihazlar, tek bir cihazda nispeten yüksek voltaj sunar, tipik yüksek voltaj jeneratörü devrelerinde gereken voltaj çarpma aşamalarında bir azalmaya izin verir, daha yüksek AC giriş voltajlarının kullanılmasıyla. İdeale yakın anahtarlama özellikleri, voltaj dengeleme ağlarının ve durdurma devrelerinin ortadan kaldırılmasına/önemli ölçüde azaltılmasına izin verir.. KOBİ (DO-214AA) aşırı kalıplanmış paket, yüzeye montaj düzenekleri için endüstri standardı form faktörüne sahiptir.
"Bu ürün teklifleri, GeneSiC'de zorlayıcı cihazlar ve paketler sunmaya yönelik yıllarca süren sürekli geliştirme çabalarından geliyor.. KOBİ form faktörünün Mikro Solar İnverter ve Voltaj Çarpanı pazarı için önemli bir farklılaştırıcı olduğuna inanıyoruz., ve müşterilerimize önemli faydalar sağlayacak. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Schottky Redresörler ve geliştirilmiş SMB paketleri bu çığır açan ürünü mümkün kılar” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.
1200 V/2 A SMB SiC Schottky Diyot (GB02SLT12-214) Teknik Özellikler
- Tipik VF = 1.5 V
- Tjmax = 175ÖC
- Ters Kurtarma Ücreti = 14 nC.
3300 V/0.3 A SMB SiC Schottky Diyot (GAP3SLT33-214) Teknik Özellikler
- Tipik VF = 1.7 V
- Tjmax = 175ÖC
- Ters Kurtarma Ücreti = 52 nC.
650 V/1 A SMB SiC Schottky Diyot (GB01SLT06-214) Teknik Özellikler
- Tipik VF = 1.5 V
- Tjmax = 175ÖC
- Ters Kurtarma Ücreti = 7 nC.
Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve Halojensiz olarak muhafaza edilmiştir, RoHS uyumlu KOBİ (DO-214AA) paketler. Teknik Destek ve SPICE devre modelleri sunulmaktadır. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütörlerinden hemen temin edilebilir..
GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.
GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Ordu, DARPA, DTRA, ve İç Güvenlik Bakanlığı, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.
Daha fazla bilgi için, lütfen https'yi ziyaret edin://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky
