Uyumlu endüstri standardı paketler aracılığıyla gerçekleştirilen SiC Transistörlerde yüksek sıcaklık vaadi, kuyu içi ve havacılık aktüatörlerini ve güç kaynaklarını önemli ölçüde artıracaktır.
Dulles, Virginia., Aralık 10, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün distribütörleri ve doğrudan yüksek sıcaklıkta paketlenmiş bir aile aracılığıyla anında kullanılabilirliğini duyuruyor 600 V SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) içinde 3-50 JEDEC endüstri standardı açık delik ve yüzeye montaj paketlerinde amper akım değerleri. Bu yüksek sıcaklıkları içeren, düşük direnç, hermetik paketlerde yüksek frekanslı SiC Transistörler, yüksek sıcaklık lehimleri ve kapsülleme, dönüştürme verimliliğini artıracak ve yüksek sıcaklıkta güç dönüştürme uygulamalarının boyut/ağırlık/hacmini azaltacaktır..
Çağdaş yüksek sıcaklık güç kaynağı, petrol/gaz/kuyu içi ve havacılık uygulamalarında kullanılan motor kontrol ve aktüatör devreleri, uygulanabilir bir yüksek sıcaklıklı Silisyum Karbür çözümünün bulunmamasından muzdariptir.. Silikon transistörler, yüksek kaçak akımlardan ve düşük zayıf anahtarlama özelliklerinden muzdarip oldukları için düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan muzdariptir.. Bu parametrelerin her ikisi de daha yüksek bağlantı sıcaklıklarında daha da kötüleşir. Termal olarak kısıtlı ortamlar ile, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Hermetik olarak paketlenmiş SiC transistörler, kuyu içi ve havacılık uygulamalarının kapasitesinde devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 650 V/3-50 A SiC Bağlantı Transistörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfıra yakın anahtarlama sürelerine sahiptir. bu 210ÖC bağlantı sıcaklık dereceli cihazlar, aşırı ortamlarda çalışan uygulamalar için nispeten büyük sıcaklık marjları sunar.
GeneSiC tarafından sunulan Kavşak Transistörleri, ultra hızlı anahtarlama yeteneği sergiler, kare ters taraflı güvenli çalışma alanı (RBSOA), ayrıca sıcaklıktan bağımsız geçici enerji kayıpları ve anahtarlama süreleri. Bu anahtarlar geçit oksit içermez, normalde kapalı, direncin pozitif sıcaklık katsayısını sergilemek, ve ticari tarafından yönlendirilebilir, yaygın olarak mevcut 15 V IGBT kapısı sürücüleri, diğer SiC anahtarlarının aksine. SiC JFET sürücüleri ile uyumluluk sunarken, SiC Bağlantı Transistörleri, eşleşen geçici özellikleri nedeniyle kolayca paralel hale getirilebilir.
“Kuyu içi ve havacılık uygulama tasarımcıları, çalışma frekansının sınırlarını zorlamaya devam ederken, hala yüksek devre verimliliği talep ederken, bir performans standardı sunabilen SiC anahtarlarına ihtiyaçları var, güvenilirlik ve üretim tekdüzeliği. Eşsiz cihaz ve üretim yeniliklerini kullanma, GeneSiC'nin SJT ürünleri, tasarımcıların tüm bunları daha sağlam bir çözümde gerçekleştirmesine yardımcı olur. Bu ürünler, GeneSiC tarafından geçen yıl piyasaya sürülen hermetik paketlenmiş SiC doğrultucuyu tamamlıyor., ve bu yılın başlarında piyasaya sürülen çıplak kalıp ürünleri, yüksek sıcaklık sunmamızın yolunu açarken, düşük endüktans, yakın gelecekte güç modülleri ” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.
İzole TO-257 ile 600 SJT'lerde:
- 65 mOhm/20 Amper (2N7639-GA); 170 mOhm/8 Amper (2N7637-GA); ve 425 mOhm/4 Amp (2N7635-GA)
- Tjmax = 210ÖC
- Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <50 nanosaniye tipik.
- İlgili Çıplak Kalıp GA20JT06-CAL (2N7639-GA'da); GA10JT06-CAL (2N7637-GA'da); ve GA05JT06-CAL (2N7635-GA'da)
İzolesiz TO-258 Prototip paketi ile 600 SJT'ler
- 25 mOhm/50 Amper (GA50JT06-258 prototip paketi)
- Tjmax = 210ÖC
- Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <50 nanosaniye tipik.
- İlgili Çıplak Kalıp GA50JT06-CAL (GA50JT06-258'de)
Yüzey Montajı TO-276 (SMD0.5) ile 600 SJT'ler
- 65 mOhm/20 Amper (2N7640-GA); 170 mOhm/8 Amper (2N7638-GA); ve 425 mOhm/4 Amp (2N7636-GA)
- Tjmax = 210ÖC
- Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <50 nanosaniye tipik.
Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiş ve hermetik paketlerde muhafaza edilmiştir. Teknik Destek ve SPICE devre modelleri sunulmaktadır. Cihazlar, GeneSiC'den Doğrudan ve/veya Yetkili Distribütörleri aracılığıyla hemen temin edilebilir..
GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.
GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Ordu, DARPA, DTRA, ve İç Güvenlik Bakanlığı, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.
Daha fazla bilgi için, lütfen ziyaret edin https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
