DULES, VA, Şubat 25, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün bir 1700V ailesinin hemen kullanılabilirliğini duyuruyor ve 1200 V SiC Bağlantı Transistörleri. Yüksek voltaj dahil, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık özellikli SiC Bağlantı Transistörleri, dönüştürme verimliliğini artıracak ve güç elektroniğinin boyut/ağırlık/hacmini azaltacaktır.. Bu cihazlar, sunucu dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., telekom ve ağ güç kaynakları, kesintisiz güç kaynakları, güneş invertörleri, endüstriyel motor kontrol sistemleri, ve kuyu içi uygulamalar.
GeneSiC tarafından sunulan Kavşak Transistörleri, ultra hızlı anahtarlama yeteneği sergiler, kare ters taraflı güvenli çalışma alanı (RBSOA), ayrıca sıcaklıktan bağımsız geçici enerji kayıpları ve anahtarlama süreleri. Bu anahtarlar geçit oksit içermez, normalde kapalı, direncin pozitif sıcaklık katsayısını sergilemek, ve ticari tarafından yönlendirilebilir, yaygın olarak mevcut 15 V IGBT kapısı sürücüleri, diğer SiC anahtarlarının aksine. SiC JFET sürücüleri ile uyumluluk sunarken, Bağlantı Transistörleri, eşleşen geçici özellikleri nedeniyle kolayca paralel hale getirilebilir.
“Güç sistemi tasarımcıları çalışma frekansının sınırlarını zorlamaya devam ettikçe, hala yüksek devre verimliliği talep ederken, bir performans standardı ve üretim tekdüzeliği sunabilen SiC anahtarlarına duyulan ihtiyaç. Eşsiz cihaz ve üretim yeniliklerini kullanma, GeneSiC'nin Transistör ürünleri, tasarımcıların tüm bunları daha sağlam bir çözümde gerçekleştirmesine yardımcı olur,” dedi Dr. Ranbir Singh , GeneSiC Semiconductor Başkanı.
1700 V Kavşak Transistörünün Teknik Özellikleri
- Üç teklif – 110 mOhm (GA16JT17-247); 250 mOhm (GA08JT17-247); ve 500 mOhm (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175 °C
- Yükseliş/Düşüş Zamanlarını Aç/Kapat <50 nanosaniye tipik.
1200 V Kavşak Transistörünün Teknik Özellikleri
- İki teklif – 220 mOhm (GA06JT12-247); ve 460 mOhm (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175 °C
- Yükseliş/Düşüş Zamanlarını Aç/Kapat <50 nanosaniye tipik
Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve Halojensiz olarak muhafaza edilmiştir, RoHS uyumlu TO-247 paketleri. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütörlerinden hemen temin edilebilir..
