DULES, VA, Mart 5, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) power semiconductors bugün ikinci nesil hibrit mini modüllerinin hemen kullanılabilir olduğunu duyurdu. 1200 Sağlam Silikon IGBT'lere sahip V/100 Amper SiC Schottky Doğrultucular – GB100XCP12-227. Bu ürünün piyasaya sürüldüğü performans-fiyat noktası, birçok güç dönüştürme uygulamasının hiçbir Silikon IGBT/Silikon Doğrultucu çözümünün sağlayamadığı maliyet/boyut/ağırlık/hacim düşüşünden faydalanmasına olanak tanır., ne de saf bir SiC Modülü sunabilir. Bu cihazlar, endüstriyel motorlar da dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., güneş invertörleri, özel ekipman ve elektrik şebekesi uygulamaları.
SiC Schottky/Si IGBT mini modülleri (yardımcı paketler) GeneSiC tarafından sunulan, durum düşüşü için pozitif sıcaklık katsayısı sergileyen Si IGBT'lerle yapılır, sağlam delme tasarımı, ticari olarak çalıştırılabilen yüksek sıcaklıkta çalışma ve hızlı anahtarlama özellikleri, yaygın olarak mevcut 15 V IGBT kapısı sürücüleri. Bu Co-pack modüllerinde kullanılan SiC doğrultucular, son derece düşük endüktanslı paketlere izin verir., düşük durum voltaj düşüşü ve geri dönüş yok. SOT-227 paketi, izole edilmiş taban plakası sunar, 12bağımsız bir devre elemanı olarak çok esnek bir şekilde kullanılabilen mm düşük profilli tasarım, yüksek akım paralel yapılandırma, a Faz Ayağı (iki modül), veya kıyıcı devre elemanı olarak.
“Bu ürünün ilk kez sunulmasından bu yana kilit müşterilerimizi dinledik. 2 yıllar önce. Bu ikinci nesil 1200 V/100 A Co-pack ürünü, yüksek frekans için uygun olan düşük endüktanslı bir tasarıma sahiptir., yüksek sıcaklık uygulamaları. Silikon diyotların zayıf yüksek sıcaklık ve ters geri kazanım özellikleri, IGBT'lerin daha yüksek sıcaklıklarda kullanımını kritik olarak sınırlar.. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Schottky Diyotlar bu çığır açan ürünü etkinleştirir” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.
1200 V/100 A Si IGBT/SiC Doğrultucu Teknik Özellikleri
- Devlet Üzerinden Düşürme 1.9 KDV 100 Bir
- VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
- Tjmax = 175 °C
- Açma Enerji Kayıpları 23 mikroJoule (tipik).
Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve Halojensiz olarak muhafaza edilmiştir, RoHS uyumlu endüstri standardı SOT-227 paketleri. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütörlerinden hemen temin edilebilir..
GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.
GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Ordu, DARPA, DTRA, ve İç Güvenlik Bakanlığı, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.
