GeneSiC introducerar Silicon Carbide Junction Transistors

DULLES, VA, februari 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors meddelar idag omedelbar tillgänglighet för en familj på 1700V och 1200 V SiC Junction Transistors. Innehåller högspänning, högfrekventa och högtemperaturförmåga SiC Junction Transistors kommer att öka konverteringseffektiviteten och minska storleken/vikten/volymen på kraftelektronik. Dessa enheter är riktade för användning i en mängd olika applikationer, inklusive server, nätaggregat för telekom och nätverk, avbrottsfri strömförsörjning, solomvandlare, industriella motorstyrsystem, och nere i hålet.

Junction Transistors som erbjuds av GeneSiC uppvisar extremt snabb omkopplingsfunktion, ett kvadratiskt, förspänt säkerhetsområde (RBSOA), samt temperaturoberoende övergående energiförluster och omkopplingstider. Dessa omkopplare är gate-oxidfria, normalt avstängd, uppvisa positiv temperaturkoefficient för på-resistans, och kan drivas av kommersiella, allmänt tillgängliga 15 V IGBT-drivrutiner, till skillnad från andra SiC-switchar. Samtidigt som de erbjuder kompatibilitet med SiC JFET-drivrutiner, Kopplingstransistorer kan lätt parallelliseras på grund av deras matchande övergående egenskaper.

“Som kraftsystemkonstruktörer fortsätter att skjuta gränserna för driftsfrekvens, samtidigt som det kräver hög kretseffektivitet, behovet av SiC -switchar som kan erbjuda en standard för prestanda och enhetlig produktion. Utnyttja de unika innovationerna för apparater och tillverkning, GeneSiCs Transistor -produkter hjälper designers att uppnå allt detta i en mer robust lösning,” sa Dr. Ranbir Singh , President för GeneSiC Semiconductor.

1700 V Junction Transistor Tekniska höjdpunkter

  • Tre erbjudanden - 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); och 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175 ° C
  • Slå på/av stiga/falla tider <50 typiska nanosekunder.

1200 V Junction Transistor Tekniska höjdpunkter

  • Två erbjudanden - 220 mOhms (GA06JT12-247); och 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175 ° C
  • Slå på/av stiga/falla tider <50 typiska nanosekunder

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i Halogen-Free, RoHS-kompatibla TO-247-paket. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC: s auktoriserade distributörer.