DULLES, VA, augusti 30, 2011 – Ny fysik låter tyristorer nå högre nivå
Ett elnät levererar tillförlitlig ström med hjälp av elektroniska enheter som säkerställer smidigt, pålitligt kraftflöde. Tills nu, kiselbaserade sammansättningar har förlitats på, men de har inte kunnat hantera kraven från det smarta nätet. Bredbandiga material som kiselkarbid (Sic) erbjuder ett bättre alternativ eftersom de kan ha högre växlingshastigheter, en högre genombrottsspänning, lägre kopplingsförluster, och en högre kopplingstemperatur än traditionella kiselbaserade switchar. Den första sådan SiC-baserade enheten som nådde marknaden är ultrahögspänningen Silicon Carbide Thyristor (SiC tyristor), utvecklad av GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., med stöd från Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., USA. Institutionen för energi/elleverans, och U.S.A. Armé-/vapenforskning, Utvecklings- och teknikcentrum, Picatinny Arsenal, N.J..
Utvecklarna antog en annan operativ fysik för den här enheten, som arbetar med minoritetstransporter och en integrerad tredje terminallikriktare, vilket är en mer än andra kommersiella SiC-enheter. Utvecklare antog en ny tillverkningsteknik som stöder betyg ovan 6,500 V, samt en ny gate-anoddesign för högströmsenheter. Kan prestera vid temperaturer upp till 300 C och ström kl 80 EN, SiC Thyristor erbjuder upp till 10 gånger högre spänning, fyra gånger högre spärrspänningar, och 100 gånger snabbare omkopplingsfrekvens än kiselbaserade tyristorer.
