Halvledarenergi, Branschledare inom Gallium Nitride Power ICs, Tillkännager förvärv av GeneSiC Semiconductor, Kiselkarbid Pioneer
Den andra, CA., 15 augusti, 2022 - Energihalvledare (Nasdaq: NVTS), branschledande inom galliumnitrid (GaN) strömkretsar, tillkännagav idag förvärvet av GeneSiC Semiconductor, en kiselkarbid (Sic) pionjär…
G3R ™ 750V SiC MOSFET erbjuder oöverträffad prestanda och tillförlitlighet
DULLES, VA, Juni 04, 2021 — GeneSiCs nästa generations 750V G3R ™ SiC MOSFETs kommer att leverera enastående prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar låga fall i staten…
5generationens 650V SiC Schottky MPS ™ -dioder för bästa effektivitet i klassen
DULLES, VA, Maj 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av kiselkarbid (Sic) krafthalvledarenheter, tillkännager tillgängligheten av 5:e generationen (GE***-serien) SiC Schottky…
GeneSiC: s nya tredje generationens SiC MOSFET med branschens bästa resultat
DULLES, VA, februari 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors nästa generations 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer från 20 mΩ till 350 mΩ levererar oöverträffade nivåer av prestanda, robusthet och kvalitet…
GeneSiCs 3300V och 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs revolutionerar miniatyriseringen av extra strömförsörjningar
DULLES, VA, december 4, 2020 — GeneSiC tillkännager tillgänglighet av branschledande 3300V och 1700V diskreta SiC MOSFET som är optimerade för att uppnå enastående miniatyrisering, tillförlitlighet och energibesparingar inom industrin…
