GeneSiCs branschledande 6,5 kV SiC MOSFET – Vanguard för en ny våg av applikationer
DULLES, VA, Oktober 20, 2020 — GeneSiC släpper 6,5 kV MOSFET-kiselkarbid för att ligga i framkant när det gäller prestanda utan motstycke, effektivitet och tillförlitlighet i medelspänningseffektomvandlingstillämpningar…
GeneSiC vinner prestigefyllda R&D100-pris för SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare
DULLES, VA, december 5, 2019 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based…
Hög ström 650V, 1200V och 1700V SiC Schottky MPS ™ -dioder i minimodul SOT-227-paket
DULLES, VA, Maj 11, 2019 — GeneSiC blir marknadsledande inom kapacitet med hög ström (100 A och 200 EN) SiC schottky diodes in SOT-227 mini-module GeneSiC has introduced GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC släpper branschens bästa prestanda 1700V SiC Schottky MPS™ dioder
DULLES, VA, Januari 7, 2019 — GeneSiC släpper en omfattande portfölj av sin tredje generation 1700V SiC Schottky MPS™-dioder i TO-247-2-paketet GeneSiC har introducerat GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 and…
Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift
DULLES, VA, Mars 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of its…