DULLES, VA, Mars 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift 1200 Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift. Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift, Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift. Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift, solomvandlare, Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift.
Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift (Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift) som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, allmänt tillgängliga 15 V IGBT-drivrutiner. som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd. som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, 12som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd (som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd), som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd.
“som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd 2 som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd. som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd 1200 som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, högtemperaturapplikationer. högtemperaturapplikationer. högtemperaturapplikationer, högtemperaturapplikationer” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
1200 högtemperaturapplikationer
- högtemperaturapplikationer 1.9 högtemperaturapplikationer 100 EN
- högtemperaturapplikationer
- Tjmax = 175 ° C
- högtemperaturapplikationer 23 högtemperaturapplikationer (högtemperaturapplikationer).
Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i Halogen-Free, högtemperaturapplikationer. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC: s auktoriserade distributörer.
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom produkter av kisellikriktare. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ner oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har fått många forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som större regeringsentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.
