DULLES, VA, август 30, 2011 - Новая физика позволяет тиристорам достичь более высокого уровня
Электросеть обеспечивает надежное питание с помощью электронных устройств, обеспечивающих бесперебойную работу., надежный поток энергии. До настоящего времени, сборки на основе кремния полагались на, но они не смогли справиться с требованиями интеллектуальной сети. Широкозонные материалы, такие как карбид кремния (SiC) предлагают лучшую альтернативу, поскольку они способны к более высоким скоростям переключения, более высокое напряжение пробоя, меньшие коммутационные потери, и более высокая температура перехода, чем у традиционных переключателей на основе кремния. Первым таким устройством на основе SiC, появившимся на рынке, является тиристор из карбида кремния сверхвысокого напряжения. (SiC тиристор), разработан GeneSiC Semiconductor Inc., Даллес, Ва., при поддержке Sandia National Laboratories, Альбукерке, Н.М., Соединенные штаты. Департамент энергетики/электроснабжения, и США. Армия / исследования вооружений, Центр развития и инжиниринга, Пикатинни Арсенал, Нью-Джерси.
Разработчики приняли другую физику работы для этого устройства., который работает на транспорте мелких перевозчиков и интегрированном третьем терминальном выпрямителе, что на единицу больше, чем у других коммерческих устройств SiC. Разработчики внедрили новую технологию изготовления, которая поддерживает рейтинги выше 6,500 V, а также новая конструкция затвор-анод для сильноточных устройств. Способен работать при температурах до 300 C и ток при 80 А, SiC тиристор предлагает до 10 раз выше напряжение, в четыре раза выше напряжения блокировки, и 100 раз более высокая частота переключения, чем у кремниевых тиристоров.
