DULLES, VA, февраль 25, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Компания Power Semiconductors объявляет о поступлении в продажу семейства 1700 В и 1200 Переходные транзисторы V SiC. Включая высокое напряжение, SiC-переходные транзисторы, способные работать при высоких частотах и температурах, повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем силовой электроники. Эти устройства предназначены для использования в самых разных приложениях, включая серверные., телекоммуникационные и сетевые источники питания, источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, системы управления промышленными двигателями, и скважинные приложения.
Соединительные транзисторы, предлагаемые GeneSiC, обладают сверхбыстрой коммутационной способностью., квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также не зависящие от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут руководствоваться коммерческими, общедоступный 15 Драйверы затворов V IGBT, в отличие от других переключателей SiC. Предлагая совместимость с драйверами SiC JFET, Соединительные транзисторы можно легко подключать параллельно из-за их согласованных переходных характеристик..
“Поскольку проектировщики энергосистем продолжают раздвигать пределы рабочей частоты, при этом все еще требуя высокой эффективности схемы, потребность в переключателях SiC, которые могут предложить стандарт производительности и единообразия производства. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, Продукты GeneSiC Transistor помогают разработчикам достичь всего этого в более надежном решении.,” сказал доктор. Ранбир Сингх , Президент GeneSiC Semiconductor.
1700 Технические характеристики V-образного транзистора
- Три предложения - 110 мОм (GA16JT17-247); 250 мОм (GA08JT17-247); и 500 мОм (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175 ° С
- Включение / выключение времени нарастания / падения <50 наносекунды типичные.
1200 Технические характеристики V-образного транзистора
- Два предложения - 220 мОм (GA06JT12-247); и 460 мОм (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175 ° С
- Включение / выключение времени нарастания / падения <50 наносекунды типичные
Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Пакеты TO-247, соответствующие RoHS. Устройства сразу же доступны у официальных дистрибьюторов GeneSiC..
