DULLES, VA, Маршировать 5, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности гибридных мини-модулей второго поколения, использующих 1200 SiC выпрямители Шоттки с напряжением 100 ампер и надежными кремниевыми IGBT - GB100XCP12-227. Граница производительности и цены, по которой выпускается этот продукт, позволяет многим приложениям по преобразованию энергии получить выгоду от снижения стоимости / размера / веса / объема, чего не делает ни одно решение кремниевый IGBT / кремниевый выпрямитель, ни один чистый SiC-модуль не может предложить. Эти устройства предназначены для использования в широком спектре приложений, включая промышленные двигатели., солнечные инверторы, специализированное оборудование и приложения для электросетей.
Мини-модули SiC Schottky / Si IGBT (Co-packs) Предлагаемые GeneSiC сделаны с Si IGBT, которые показывают положительный температурный коэффициент падения в открытом состоянии., прочная пробивная конструкция, высокотемпературная работа и характеристики быстрого переключения, которые могут использоваться коммерческими, общедоступный 15 Драйверы затворов V IGBT. Выпрямители SiC, используемые в этих модулях Co-pack, позволяют создавать корпуса с очень низкой индуктивностью., низкое падение напряжения в открытом состоянии и отсутствие обратного восстановления. Пакет SOT-227 предлагает изолированную опорную плиту., 12Низкопрофильная конструкция мм, которую можно очень гибко использовать в качестве автономного элемента схемы, сильноточная параллельная конфигурация, фаза (два модуля), или как элемент цепи прерывателя.
“Мы прислушиваемся к мнению наших ключевых клиентов с момента первого предложения этого продукта почти 2 лет назад. Это второе поколение 1200 В / 100 A Co-pack продукт имеет конструкцию с низкой индуктивностью, которая подходит для высоких частот., высокотемпературные приложения. Плохие характеристики кремниевых диодов при высоких температурах и обратном восстановлении критически ограничивают использование IGBT при более высоких температурах.. Низкая VF у GeneSiC, SiC диоды Шоттки с низкой емкостью делают возможным создание этого революционного продукта.” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
1200 Основные технические характеристики выпрямителя V / 100 A Si IGBT / SiC
- On-State Drop of 1.9 V в 100 А
- Положительный температурный коэффициент на VF
- Tjmax = 175 ° С
- Потери энергии при включении 23 микроджоули (типичный).
Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Соответствующие стандарту RoHS пакеты SOT-227. Устройства сразу же доступны у официальных дистрибьюторов GeneSiC..
О компании GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.
