опубликовано

Новая физика позволяет тиристорам достичь более высокого уровня

DULLES, VA, август 30, 2011 - Новая физика позволяет тиристорам достичь более высокого уровня

Электросеть обеспечивает надежное питание с помощью электронных устройств, обеспечивающих бесперебойную работу., надежный поток энергии. До настоящего времени, сборки на основе кремния полагались на, но они не смогли справиться с требованиями интеллектуальной сети. Широкозонные материалы, такие как карбид кремния (SiC) предлагают лучшую альтернативу, поскольку они способны к более высоким скоростям переключения, более высокое напряжение пробоя, меньшие коммутационные потери, и более высокая температура перехода, чем у традиционных переключателей на основе кремния. Первым таким устройством на основе SiC, появившимся на рынке, является тиристор из карбида кремния сверхвысокого напряжения. (SiC тиристор), разработан GeneSiC Semiconductor Inc., Даллес, Ва., при поддержке Sandia National Laboratories, Альбукерке, Н.М., Соединенные штаты. Департамент энергетики/электроснабжения, и США. Армия / исследования вооружений, Центр развития и инжиниринга, Пикатинни Арсенал, Нью-Джерси.

Разработчики приняли другую физику работы для этого устройства., который работает на транспорте мелких перевозчиков и интегрированном третьем терминальном выпрямителе, что на единицу больше, чем у других коммерческих устройств SiC. Разработчики внедрили новую технологию изготовления, которая поддерживает рейтинги выше 6,500 V, а также новая конструкция затвор-анод для сильноточных устройств. Способен работать при температурах до 300 C и ток при 80 А, SiC тиристор предлагает до 10 раз выше напряжение, в четыре раза выше напряжения блокировки, и 100 раз более высокая частота переключения, чем у кремниевых тиристоров.

опубликовано

GeneSiC выигрывает престижную премию R&Награда D100 за устройства SiC в приложениях солнечной и ветровой энергии, подключенных к сети

DULLES, VA, июль 14, 2011 — р&Журнал D выбрал GeneSiC Semiconductor Inc.. Даллеса, VA как лауреат престижной 2011 р&Д 100 Награда за коммерциализацию устройств из карбида кремния с высоким номинальным напряжением..

GeneSiC Semiconductor Inc., ключевой новатор в силовых устройствах на основе карбида кремния на прошлой неделе был удостоен чести объявить, что он был удостоен престижной награды 2011 р&Д 100 Награда. Эта награда присуждается GeneSiC за внедрение одного из самых значительных, недавно представленные достижения в области исследований и разработок среди нескольких дисциплин во время 2010. р&Журнал D Magazine отметил SiC-тиристор сверхвысокого напряжения GeneSiC за его способность достигать блокирующих напряжений и частот, которые никогда раньше не использовались для демонстрации силовой электроники.. Номинальное напряжение >6.5кВ, номинальный ток в открытом состоянии 80 А и рабочие частоты >5 кГц намного выше, чем те, которые ранее были представлены на рынке. Эти возможности, достигнутые тиристорами GeneSiC, позволяют исследователям силовой электроники разрабатывать сетевые инверторы., Гибкий

Системы передачи переменного тока (ФАКТЫ) и высоковольтные системы постоянного тока (HVDC). Это позволит разрабатывать новые изобретения и продукты в области возобновляемых источников энергии., солнечные инверторы, инверторы энергии ветра, и отрасли хранения энергии. доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor прокомментировал: «Ожидается, что крупные рынки полупроводниковых электрических подстанций и генераторов ветряных турбин откроются после того, как исследователи в области преобразования энергии полностью осознают преимущества SiC-тиристоров.. Эти SiC-тиристоры первого поколения используют самое низкое продемонстрированное падение напряжения в открытом состоянии и дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, когда-либо достигнутые в SiC-тиристорах.. Мы намерены выпустить будущие поколения тиристоров SiC, оптимизированных для возможности выключения с управлением затвором и импульсной мощности, а также >10кВ номиналы. Поскольку мы продолжаем разрабатывать высокотемпературные упаковочные решения для сверхвысокого напряжения, настоящие тиристоры 6,5 кВ упакованы в модули с полностью припаянными контактами, ограничивается температурой перехода 150°C». Поскольку этот продукт был запущен в октябре 2010, Компания GeneSiC получила заказы от нескольких клиентов на демонстрацию передового оборудования для силовой электроники с использованием этих тиристоров из карбида кремния.. GeneSiC продолжает развивать семейство карбидокремниевых тиристоров.. Р&Ранняя версия D on для приложений преобразования энергии была разработана при финансовой поддержке SBIR со стороны Министерства США.. энергии. Более продвинутый, SiC-тиристоры, оптимизированные для импульсной мощности, разрабатываются в рамках другого контракта SBIR с ARDEC., Армия Соединенных Штатов. Использование этих технических разработок, внутренние инвестиции от GeneSiC и коммерческие заказы от нескольких клиентов, GeneSiC смогла предложить эти тиристоры сверхвысокого напряжения в качестве коммерческих продуктов..

49-й ежегодный конкурс технологий, проводимый R&Журнал D оценил работы различных компаний и игроков отрасли., исследовательские организации и университеты по всему миру. В качестве судей выступили редакторы журнала и группа внешних экспертов., оценка каждой записи с точки зрения ее важности для мира науки и исследований.

Согласно Р&Журнал Д, выиграть R&Д 100 Награда представляет собой знак качества, известный в отрасли, правительство, и научное сообщество как доказательство того, что продукт является одной из самых инновационных идей года.. Эта награда признает GeneSiC мировым лидером в создании продуктов на основе технологий, которые меняют то, как мы работаем и живем..

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.

опубликовано

Мульти-кГц, Образцы карбидокремниевых тиристоров сверхвысокого напряжения переданы американским исследователям

DULLES, VA, Ноябрь 1, 2010 –В первом в своем роде предложении, GeneSiC Semiconductor объявляет о выпуске семейства карбидокремниевых тиристоров с режимом SCR 6,5 кВ для использования в силовой электронике для приложений Smart Grid.. Ожидается, что революционные преимущества производительности этих силовых устройств будут стимулировать ключевые инновации в аппаратном обеспечении силовой электроники коммунального масштаба, чтобы повысить доступность и использование распределенных энергетических ресурсов. (НАШИ). "До настоящего времени, мульти-кВ карбид кремния (SiC) Силовые устройства не были доступны американским исследователям, чтобы в полной мере использовать хорошо известные преимущества силовых устройств на основе карбида кремния, а именно рабочие частоты 2-10 кГц при номинальном напряжении 5-15 кВ». прокомментировал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC. «GeneSiC недавно завершила поставку многих 6,5 кВ/40 А, 6.5кВ/60А и 6,5кВ/80А тиристоры нескольким клиентам, проводящим исследования в области возобновляемых источников энергии, Применение в армейских и военно-морских силовых системах. Устройства SiC с такими рейтингами теперь предлагаются более широко».

Тиристоры на основе карбида кремния обеспечивают в 10 раз более высокое напряжение, 100X более высокая частота переключения и работа при более высоких температурах по сравнению с обычными тиристорами на основе кремния. Возможности исследования целевых приложений для этих устройств включают преобразование энергии среднего напряжения общего назначения. (МВДЦ), Сетевые солнечные инверторы, инверторы энергии ветра, импульсная мощность, системы вооружения, контроль зажигания, и управление триггером. В настоящее время хорошо известно, что сверхвысокое напряжение (>10кВ) Карбид кремния (SiC) Технология устройств сыграет революционную роль в инженерной сети нового поколения.. Устройства SiC на основе тиристоров обеспечивают высочайшую производительность в открытом состоянии для >5 кВ устройства, и широко применяются в схемах преобразования мощности среднего напряжения, таких как ограничители тока короткого замыкания., Преобразователи переменного тока в постоянный, Статические компенсаторы реактивной мощности и последовательные компенсаторы. Тиристоры на основе карбида кремния также имеют наилучшие шансы на раннее внедрение из-за их сходства с обычными элементами энергосистемы.. Развертывание этих передовых силовых полупроводниковых технологий может обеспечить 25-30 процентное снижение потребления электроэнергии за счет повышения эффективности подачи электроэнергии.

доктор. Сингх продолжает: «Ожидается, что крупные рынки полупроводниковых электрических подстанций и генераторов ветряных турбин откроются после того, как исследователи в области преобразования энергии полностью осознают преимущества SiC-тиристоров.. Эти SiC-тиристоры первого поколения используют самое низкое продемонстрированное падение напряжения в открытом состоянии и дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, когда-либо достигнутые в SiC-тиристорах.. Мы намерены выпустить будущие поколения тиристоров SiC, оптимизированных для возможности выключения с управлением затвором и >10кВ номиналы. Поскольку мы продолжаем разрабатывать высокотемпературные упаковочные решения для сверхвысокого напряжения, настоящие тиристоры 6,5 кВ упакованы в модули с полностью припаянными контактами, ограничивается температурой перехода 150°C». GeneSiC является быстро развивающимся новатором в области силовых устройств SiC и твердо привержена разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи.

Расположен недалеко от Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., Транзисторы с суперпереходом (СДТ) и широкий спектр устройств на основе тиристоров. GeneSiC имеет или имела основные/субконтракты с крупными правительственными учреждениями США., в том числе министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетите www.genesicsemi.com.