Transistores e retificadores de SiC de alta temperatura de uso geral oferecidos a baixo custo
Temperatura alta (>210oC) Transistores de junção e retificadores em pacotes de lata de metal de fator de forma pequeno oferecem benefícios de desempenho revolucionários para uma variedade de aplicações, incluindo amplificação, low noise circuitry and downhole…
Placa de controle de portão e modelos SPICE para transistores de junção de carboneto de silício (SJT) Lançado
Gate Driver Board optimized for high switching speeds and behavior-based models enable power electronic design engineers to verify and quantify benefits of SJTs in board-level evaluation and circuit simulation DULLES,…
Lançamentos GeneSiC 25 Transistores de carboneto de silício mOhm / 1700 V
Chaves SiC que oferecem perdas de condução mais baixas e capacidade de curto-circuito superior lançada para Dulles de circuitos de energia de alta frequência, Virgínia., Out 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier…
GeneSiC oferece suporte ao desafio Little Box do Google / IEEE
O transistor e retificadores SiC da GeneSiC oferecem vantagens significativas para atingir os objetivos do Desafio da pequena caixa de última geração. Transistores de potência de carboneto de silício & Retificadores. Disponível. Agora! GeneSiC has a…
Temperatura alta (210 C) Transistores de junção SiC oferecidos em pacotes herméticos
A promessa de alta temperatura em transistores de SiC realizada por meio de pacotes padrão da indústria compatíveis irá melhorar criticamente atuadores de fundo de poço e aeroespaciais e fontes de alimentação., Virgínia., Dez 10, 2013 — GeneSiC…