A promessa de alta temperatura em transistores de SiC realizada por meio de pacotes padrão da indústria compatíveis irá melhorar criticamente atuadores de fundo de poço e aeroespaciais e fontes de alimentação
Dulles, Virgínia., Dez 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anuncia hoje a disponibilidade imediata através de seus distribuidores e diretamente uma família embalada em alta temperatura 600 DULLES (SJT) no 3-50 Amperes atuais nominais em JEDEC padrão da indústria através de orifícios e pacotes de montagem em superfície. Incorporando essas altas temperaturas, baixa resistência, Transistores de SiC de alta frequência em pacotes herméticos, soldas de alta temperatura e encapsulamento aumentarão a eficiência de conversão e reduzirão o tamanho / peso / volume das aplicações de conversão de energia em alta temperatura.
Fonte de alimentação contemporânea de alta temperatura, o controle do motor e os circuitos do atuador usados em aplicações de óleo / gás / fundo de poço e aeroespaciais sofrem com a falta de disponibilidade de uma solução viável de carboneto de silício de alta temperatura. Os transistores de silício sofrem de baixa eficiência de circuito e tamanhos grandes porque sofrem com altas correntes de fuga e características de chaveamento baixas e pobres. Ambos os parâmetros tornam-se piores em temperaturas de junção mais altas. Com ambientes termicamente restritos, as temperaturas da junção aumentam facilmente, mesmo quando correntes modestas são passadas. Os transistores de SiC embalados hermeticamente oferecem características únicas que prometem revolucionar a capacidade de aplicações de fundo de poço e aeroespaciais. GeneSiC’s 650 Os transistores de junção V / 3-50 A SiC apresentam tempos de comutação próximos de zero que não mudam com a temperatura. o 210oDispositivos com classificação de temperatura de junção C oferecem margens de temperatura relativamente grandes para aplicações que operam em ambientes extremos.
DULLES, DULLES (RBSOA), DULLES. DULLES, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, DULLES, DULLES 15 DULLES, ao contrário de outros switches SiC. DULLES, Os transistores de junção SiC podem ser facilmente colocados em paralelo por causa de suas características transitórias correspondentes.
“À medida que os designers de aplicativos aeroespaciais e de fundo de poço continuam a empurrar os limites de frequência operacional, DULLES, eles precisam de switches SiC que podem oferecer um padrão de desempenho, confiabilidade e uniformidade de produção. DULLES, Os produtos SJT da GeneSiC ajudam os designers a conseguir tudo isso em uma solução mais robusta. Estes produtos complementam o retificador de SiC hermético lançado no ano passado pela GeneSiC, e os produtos de matriz simples lançados no início deste ano, enquanto pavimentamos o caminho para oferecermos alta temperatura, baixa indutância, módulos de energia em um futuro próximo ” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
Isolado TO-257 com 600 Em SJTs:
- 65 mOhms / 20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7637-GA); e 425 mOhms / 4 Amp (2N7635-GA)
- Tjmax = 210oC
- Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <50 nanossegundos típicos.
- Matriz nua correspondente GA20JT06-CAL (em 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (em 2N7637-GA); e GA05JT06-CAL (em 2N7635-GA)
Pacote de protótipo TO-258 não isolado com 600 SJTs
- 25 mOhms / 50 Amp (Pacote de protótipo GA50JT06-258)
- Tjmax = 210oC
- Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <50 nanossegundos típicos.
- Matriz nua correspondente GA50JT06-CAL (em GA50JT06-258)
Montagem em superfície TO-276 (SMD0.5) com 600 SJTs
- 65 mOhms / 20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7638-GA); e 425 mOhms / 4 Amp (2N7636-GA)
- Tjmax = 210oC
- Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <50 nanossegundos típicos.
Todos os dispositivos são 100% testado para tensão/corrente total e alojado em pacotes herméticos. Suporte técnico e modelos de circuito SPICE são oferecidos. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis na GeneSiC diretamente e / ou através de seus distribuidores autorizados.
Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo velha, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências do governo dos Estados Unidos, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, DTRA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, bem como os principais contratantes do governo. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.
Para maiores informações, por favor visite https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
