Alta voltagem, Diodos SiC Schottky livres de recuperação reversa para habilitar de forma crítica os inversores solares e conjuntos de alta tensão, oferecendo recursos de montagem em superfície com o menor fator de forma
Dulles, Virgínia., Nov 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anunciam hoje a disponibilidade imediata de uma família de SMB padrão da indústria (JEDEC DO-214AA) retificadores de SiC embalados no 650 - 3300 Gama V. Incorporando esses de alta tensão, livre de recuperação reversa, Diodos de SiC capazes de alta frequência e alta temperatura aumentarão a eficiência de conversão e reduzirão o tamanho / peso / volume de conjuntos multi-kV. Esses produtos são direcionados a inversores microssolares, bem como a circuitos multiplicadores de tensão usados em uma ampla gama de raios-X, Fontes de alimentação de gerador de partículas e laser.
Os inversores microssolares contemporâneos e os circuitos multiplicadores de tensão podem sofrer de baixa eficiência de circuito e tamanhos grandes devido às correntes de recuperação reversa dos retificadores de silício. Em temperaturas mais altas de junção do retificador, esta situação se agrava porque a corrente de recuperação reversa em retificadores de silício aumenta com a temperatura. Com conjuntos de alta tensão com restrições térmicas, as temperaturas da junção aumentam facilmente, mesmo quando correntes modestas são passadas. Os retificadores de SiC de alta tensão oferecem características únicas que prometem revolucionar os inversores microssolares e os conjuntos de alta tensão. GeneSiC’s 650 V / 1 A; 1200 V / 2 A e 3300 Os retificadores Schottky V / 0,3 A apresentam corrente de recuperação reversa zero que não muda com a temperatura. o 3300 Dispositivos com classificação V oferecem tensão relativamente alta em um único dispositivo, permitindo uma redução nos estágios de multiplicação de tensão necessários em circuitos geradores de alta tensão típicos, através do uso de tensões de entrada CA mais altas. As características de chaveamento quase ideais permitem a eliminação / redução dramática de redes de balanceamento de tensão e circuitos de amortecimento. O SMB (DO-214AA) pacote sobremoldado apresenta fator de forma padrão da indústria para montagens de montagem em superfície.
“Essas ofertas de produtos vêm de anos de esforços de desenvolvimento sustentado na GeneSiC para oferecer dispositivos e pacotes atraentes. Acreditamos que o fator de forma SMB é um diferenciador chave para o mercado de Micro Inversores Solar e Multiplicadores de Tensão, e permitirá benefícios significativos para nossos clientes. VF baixo de GeneSiC, Retificadores Schottky SiC de baixa capacitância e pacotes SMB aprimorados possibilitam este produto inovador” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
1200 Diodo V / 2 A SMB SiC Schottky (GB02SLT12-214) Destaques Técnicos
- VF típica = 1.5 V
- Tjmax = 175oC
- Carga de recuperação reversa = 14 nC.
3300 Díodo Schottky V / 0,3 A SMB SiC (GAP3SLT33-214) Destaques Técnicos
- VF típica = 1.7 V
- Tjmax = 175oC
- Carga de recuperação reversa = 52 nC.
650 Diodo V / 1 A SMB SiC Schottky (GB01SLT06-214) Destaques Técnicos
- VF típica = 1.5 V
- Tjmax = 175oC
- Carga de recuperação reversa = 7 nC.
Todos os dispositivos são 100% Todos os dispositivos são, SMB compatível com RoHS (DO-214AA) pacotes. Suporte técnico e modelos de circuito SPICE são oferecidos. Todos os dispositivos são.
Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo velha, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências do governo dos Estados Unidos, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, DTRA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, bem como os principais contratantes do governo. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.
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