GeneSiC é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos.
GeneSiC a tecnologia desempenha um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Nossa tecnologia permite a colheita eficiente de fontes de energia renováveis.
GeneSiC componentes eletrônicos funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir $1 bilhões por 2022.
Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.
Se você estiver interessado em entrar em contato com GeneSiC sobre relações com investidores, por favor envie um email para investidores@genesicsemi.com
Presidente
 | Dr. Ranbir Singh fundou GeneSiC Semiconductor Inc. dentro 2004. Antes disso, ele conduziu pesquisas sobre dispositivos de energia SiC primeiro na Cree Inc, e depois no NIST, Gaithersburg, MD. Ele desenvolveu uma compreensão crítica e publicou em uma ampla gama de dispositivos de energia SiC, incluindo PiN, Diodos JBS e Schottky, MOSFETs, IGBTs, Tiristores e tiristores controlados em campo. Ele recebeu seu Ph.D. e mestrado em Engenharia Elétrica e de Computação, da North Carolina State University, Raleigh, NC, e B. Tecnologia do Instituto Indiano de Tecnologia, Délhi. Dentro 2012, EE Times chamado Dr. Singh como entre "Quarenta inovadores construindo as bases da indústria de eletrônicos de próxima geração." Dentro 2011, ele ganhou o R&Prêmio D100 por seus esforços na comercialização de tiristores de SiC de 6,5 kV. Ele publicou mais de 200 jornais e artigos de conferências, é um autor em over 30 patentes emitidas nos EUA, e é autor de um livro. |
Vice-Presidente de Tecnologia
 | Dr. Siddarth Sundaresan é vice-presidente de tecnologia da GeneSiC. Ele recebeu seu M.S. e Ph.D. diplomas em Engenharia Elétrica pela George Mason University em 2004 e 2007, respectivamente. Dr. Sundaresan publicou mais de 65 artigos técnicos e procedimentos de conferências no dispositivo, materiais e aspectos de processamento de dispositivos de energia fabricados em SiC e GaN. Ele atuou no comitê de programa técnico da Conferência Internacional de SiC e Materiais Relacionados (ICSCRM) e é atualmente membro do comitê técnico do Simpósio Internacional de Dispositivos de Semicondutores de Energia e CIs (ISPSD). |
