GeneSiC ganha US $ 2,53 milhões da ARPA-E para o desenvolvimento de dispositivos baseados em tiristores de carboneto de silício
DULLES, VA, setembro 28, 2010 - Agência de Projetos de Pesquisa Avançada - Energia (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel…
Redes de impulso de energia renovável GeneSiC Semiconductor US $ 1,5 milhão do Departamento de Energia dos EUA
DULLES, VA, novembro 12, 2008 – O Departamento de Energia dos EUA concedeu à GeneSiC Semiconductor duas doações separadas, totalizando US $ 1,5 milhão para o desenvolvimento de carboneto de silício de alta tensão (SiC) devices that…
Impacto comercial do carboneto de silício
Setembro, 2008Impacto comercial do carboneto de silício
GeneSiC Semiconductor recebeu vários subsídios SBIR e STTR do Departamento de Energia dos EUA
DULLES, VA, Outubro 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., um inovador em rápido crescimento de alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos, announced that is has been awarded three separate…