DULLES, VA, august 30, 2011 – Ny fysikk lar tyristorer nå høyere nivå
Et elektrisk strømnett leverer pålitelig strøm ved hjelp av elektroniske enheter som sikrer jevn, pålitelig kraftflyt. Inntil nå, silisiumbaserte sammenstillinger har vært avhengig av, men de har ikke vært i stand til å håndtere kravene til det smarte nettet. Materialer med bredt bånd som silisiumkarbid (SiC) tilbyr et bedre alternativ siden de er i stand til høyere byttehastigheter, en høyere sammenbruddsspenning, lavere byttetap, og en høyere overgangstemperatur enn tradisjonelle silisiumbaserte brytere. Den første slike SiC-baserte enheten som nådde markedet er ultrahøyspent silisiumkarbidtyristor (SiC tyristor), utviklet av GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., med støtte fra Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., USA. Institutt for energi/elektrisitetslevering, og U.S.A. Hæren/våpenforskning, Utviklings- og ingeniørsenter, Picatinny Arsenal, NJ.
Utviklerne tok i bruk en annen operasjonsfysikk for denne enheten, som opererer på minoritetstransport og en integrert tredje terminallikeretter, som er én mer enn andre kommersielle SiC-enheter. Utviklere tok i bruk en ny fabrikasjonsteknikk som støtter vurderingene ovenfor 6,500 V, samt en ny gate-anode-design for høystrømsenheter. Kan yte ved temperaturer opp til 300 C og strøm kl 80 EN, SiC Thyristor tilbyr opptil 10 ganger høyere spenning, fire ganger høyere blokkeringsspenninger, og 100 ganger raskere byttefrekvens enn silisiumbaserte tyristorer.
