DULLES, VA, juli 14, 2011 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2011 R&D 100 Pris for kommersialisering av silisiumkarbidenheter med høyspenningsklassifisering.
GeneSiC Semiconductor Inc., en nøkkelinnovatør innen de silisiumkarbidbaserte kraftenhetene ble hedret forrige uke med kunngjøringen om at den har blitt tildelt den prestisjetunge 2011 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2010. R&D Magazine anerkjente GeneSiCs Ultra-High Voltage SiC-tyristor for dens evne til å oppnå blokkeringsspenninger og frekvenser som aldri tidligere ble brukt mot kraftelektronikkdemonstrasjoner. Spenningsklassifiseringene til >6.5kV, on-state gjeldende vurdering av 80 A og driftsfrekvenser på >5 kHz er mye høyere enn de som tidligere ble introdusert på markedet. Disse egenskapene oppnådd av GeneSiCs tyristorer gjør det kritisk at kraftelektronikkforskere kan utvikle nettbundne vekselrettere, Fleksibel
AC-overføringssystemer (FAKTA) og høyspennings likestrømssystemer (HVDC). Dette vil muliggjøre nye oppfinnelser og produktutvikling innen fornybar energi, solomformere, vindkraftinvertere, og energilagringsindustrier. Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor kommenterte: "Det forventes at storskalamarkeder innen solid-state elektriske transformatorstasjoner og vindturbingeneratorer vil åpne seg etter at forskere innen kraftkonverteringsarenaen fullt ut vil innse fordelene med SiC-tyristorer.. Disse første generasjons SiC-tyristorene bruker det laveste påviste spenningsfallet og differensielle på-motstander som noen gang er oppnådd i SiC-tyristorer. Vi har til hensikt å gi ut fremtidige generasjoner av SiC-tyristorer optimert for portstyrt avstengingsevne og pulserende kraft. >10kV karakterer. Som vi fortsetter å utvikle høytemperatur ultra-høyspent emballasjeløsninger, de nåværende 6,5 kV tyristorene er pakket i moduler med fullt loddede kontakter, begrenset til 150oC overgangstemperaturer." Siden dette produktet ble lansert i oktober 2010, GeneSiC har bestilt bestillinger fra flere kunder for demonstrasjon av avansert kraftelektronikk med disse silisiumkarbidtyristorene. GeneSiC fortsetter å utvikle sin familie av silisiumkarbid-tyristorprodukter. R&D på tidlig versjon for strømkonverteringsapplikasjoner ble utviklet gjennom SBIR-finansieringsstøtte fra US Dept. av energi. Mer avansert, Pulsed Power-optimaliserte SiC-tyristorer utvikles under en annen SBIR-kontrakt med ARDEC, Den amerikanske hæren. Ved å bruke denne tekniske utviklingen, intern investering fra GeneSiC og kommersielle bestillinger fra flere kunder, GeneSiC var i stand til å tilby disse UHV-tyristorene som kommersielle produkter.
Den 49. årlige teknologikonkurransen drevet av R&D Magazine evaluerte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, forskningsorganisasjoner og universiteter over hele verden. Bladets redaktører og et panel av eksterne eksperter fungerte som dommere, evaluere hver oppføring med tanke på dens betydning for vitenskapens og forskningsverdenen.
I følge R&D Magasin, vinne en R&D 100 Prisen gir en karakter av fortreffelighet kjent for industrien, Myndighetene, og akademia som bevis på at produktet er en av årets mest innovative ideer. Denne prisen anerkjenner GeneSiC som en global leder innen utvikling av teknologibaserte produkter som utgjør en forskjell i hvordan vi jobber og lever.
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.
