GENESiC er en pioner og verdensledende innen Silicon Carbide-teknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter.
GENESiC teknologi spiller en nøkkel som gjør det mulig å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vår teknologi muliggjør effektiv høsting av fornybare energikilder.
GENESiC elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk. Vi har ledende patenter på widebandgap kraftenhetsteknologier; et marked som forventes å nå $1 milliarder av 2022.
Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.
Hvis du er interessert i å kontakte GeneSiC angående investorforhold, vennligst send en e -post til investorer@genesicsemi.com
President
 | Dr.. Ranbir Singh grunnla GeneSiC Semiconductor Inc.. i 2004. Før det forsket han på SiC -enheter først ved Cree Inc., og deretter på NIST, Gaithersburg, MD. Han har utviklet kritisk forståelse og publisert på et bredt spekter av SiC -enheter, inkludert PiN, JBS og Schottky -dioder, MOSFETs, IGBT, Tyristorer og feltstyrte tyristorer. Han fikk sin doktorgrad. og MS -grader i elektro- og datateknikk, fra North Carolina State University, Raleigh, NC, og B.. Teknikk fra Indian Institute of Technology, Delhi. I 2012, EE Times heter Dr.. Singh som blant "Førti innovatører bygger grunnlaget for neste generasjons elektronikkindustri." I 2011, han vant R&D100 -pris for hans innsats for å kommersialisere 6.5kV SiC Thyristors. Han har publisert over 200 journal- og konferansepapirer, er en forfatter på over 30 utstedt amerikanske patenter, og har skrevet en bok. |
Visepresident for teknologi
 | Dr.. Siddarth Sundaresan er GeneSiCs visepresident for teknologi. Han mottok sin MS. og Ph.D. grader i elektroteknikk fra George Mason University i 2004 og 2007, henholdsvis. Dr.. Sundaresan har publisert mer enn 65 tekniske artikler og konferanseprosedyrer på enheten, materialer og prosesseringsaspekter ved kraftenheter produsert på SiC og GaN. Han har sittet i den tekniske programkomiteen for International Conference on SiC and Related Materials (ICSCRM) og er et nåværende teknisk komitémedlem for International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). |
