Halvlederenergi, Bransjeleder innen galliumnitrid-strømkretser, Kunngjør oppkjøp av GeneSiC Semiconductor, Silisiumkarbid Pioneer

 

Den andre, CA., 15. august, 2022 - Energi halvleder (Nasdaq: NVTS), bransjeledende innen galliumnitrid (GaN) strøm ICer, kunngjorde i dag kjøpet av GeneSiC Semiconductor, et silisiumkarbid (SiC) pioner med dyp ekspertise innen SiC kraftenhetsdesign og prosess. Transaksjonen er umiddelbart aktiv for Navitas ettersom GeneSiC er svært lønnsomt, med mer enn 25% EBITDA-marginer. Kalender 2022 inntektene forventes å være ca $25 millioner med demonstrerte årlige vekstrater på over 60%. Det sammenslåtte selskapet skaper en helhetlig, bransjeledende teknologiportefølje innen neste generasjons krafthalvledere – både GaN og SiC – med en samlet markedsmulighet estimert til over $20 milliarder per år av 2026.

"GeneSiC er en ideell partner for Navitas med deres fokus og suksess i å utvikle bransjeledende SiC-teknologi," sa Gene Sheridan, Navitas administrerende direktør og medgründer. «Navitas har betydelige investeringer i globalt salg, drifts- og teknisk støtteteam, sammen med systemdesignsentre i EV og datasentre. Disse egenskapene er et perfekt supplement til GeneSiC og vil ytterligere akselerere deres vekst i både synergistiske og nye kunder og markeder. I dag, vi har tatt et stort skritt i selskapets oppdrag om å "elektrifisere vår verden™" og drive planetens overgang fra fossilt brensel til rent, effektiv, elektrisk energi."

"GeneSiC er patentbeskyttet, avansert teknologi og nyskapende, erfarne team er kritiske faktorer i veksten av selskapet vårt. SiC MOSFET-ene våre tilbyr bransjens høyeste ytelse, pålitelighet, og robusthet – parametere som er kritiske for utbredt bruk av elektriske kjøretøy og tilhørende infrastruktur," sa GeneSiC-president Dr. Ranbir Singh. «Med nesten 20 år med ledende R&D, velprøvde plattformer, over 500 ulike kunder, og økende inntekt og lønnsomhet, vi kan utnytte Navitas sin masseproduksjonsekspertise og go-to-market-strategi for å akselerere SiC-inntektene. Vi er veldig glade for dette nye partnerskapet.»

Dr.. Singh slutter seg til Navitas som Executive Vice-President for GeneSiC-virksomheten og Navitas forventer å beholde alle medlemmene av GeneSiC-teamet.

I krafthalvledere, både GaN og SiC er overlegne materialer i forhold til eldre silisium, muliggjør høyere hastigheter, større energibesparelser, raskere lading, og betydelig redusert størrelse, vekt, og kostnad. Sammen, disse utfyller hverandre, Neste generasjons materialer adresserer et bredt spekter av applikasjoner fra 20W smarttelefonladere, til 20kW EV-ladere, til 20MW nettinfrastruktursystemer og alt i mellom. Med over 500 kunder, GeneSiC-oppkjøpet leverer diversifiserte og synergistiske markeder og kunder, og akselererer Navitas' inntekter i strategisk, applikasjoner med høyere effekt:

  • Elektrisk kjøretøy: Navitas GaN IC-er er optimalisert for 400V EV-systemer, og GeneSiC-teknologi er ideell for 800V EV-systemer, med eksisterende inntekts- og utviklingskunder som inkluderer BYD – verdens #1 EV leverandør, Land Rover, Mercedes AMG, Geely, Shinry, LG Magna, Saab, og innovasjon, sammen med dusinvis av andre.
  • Solar & Energilagring: Navitas GaN IC-er betjener solenergi i boliger, mens GeneSiC har umiddelbare inntekter i høyere kraft, kommersielle sol- og energilagringskunder, inkludert APS, Avansert energi, Chint, Sungrow, Growatt, CATL, Exide og mange andre.
  • Bredere industrielle markeder: GeneSiC høyspenningsprodukter gir umiddelbare inntekter i et bredt spekter av ytterligere industrielle markeder som inkluderer jernbane, UPS, vind, nettkraft, industrielle motorer, og medisinsk bildediagnostikk.

Transaksjonsdetaljer

Oppkjøpet av GeneSiC forventes å umiddelbart øke Navitas' inntjening per aksje. Samlet vederlag bestod av ca $100 millioner i kontanter, 24.9 millioner aksjer av Navitas-aksjer og mulige earn-out-betalinger på inntil $25 millioner betinget av oppnåelse av betydelige inntektsmål for GeneSiC-virksomheten over de fire regnskapskvartalene som avsluttes i september 30, 2023. Mer informasjon om GeneSiC er tilgjengelig på ir.navitassemi.com.

Rådgivere

Jefferies LLC fungerte som finansiell rådgiver for Navitas og Bank of America fungerte som finansiell rådgiver for GeneSiC. TCF Law Group, PLLC fungerte som juridisk rådgiver for Navitas og Gibson, Dunn & Crutcher LLP fungerte som juridisk rådgiver for GeneSiC.

Informasjon om telefonkonferanse og webcast

GeneSiC-oppkjøpet vil bli diskutert som en del av Navitas Q2 2022 inntjening samtale:

Når: mandag, august 15th, 2022

Tid: 2:00 kl. Stillehavet / 5:00 kl. østlig

Gratis oppringing: (800) 715-9871 eller (646) 307-1963

Konferanse-ID: 6867001

Live Webcast: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Replay: En reprise av samtalen vil være tilgjengelig fra Investor Relations-delen av selskapets nettside på https://ir.navitassemi.com/.

Advarsel angående fremtidsrettede utsagn

Denne pressemeldingen inkluderer "fremtidsrettede uttalelser" i betydningen av § 21E i Securities Exchange Act av 1934, som endret. Fremtidsrettede utsagn kan identifiseres ved bruk av ord som "vi forventer" eller "forventes å være," "anslag," "plan," "prosjekt," "prognose," "har tenkt," "forutse," "tro," "søke,” eller andre lignende uttrykk som forutsier eller indikerer fremtidige hendelser eller trender eller som ikke er uttalelser om historiske forhold. Disse fremtidsrettede uttalelsene inkluderer, men er ikke begrenset til, uttalelser om estimater og prognoser for andre økonomiske og ytelsesmessige beregninger og prognoser for markedsmuligheter og markedsandeler. Disse utsagnene er basert på ulike forutsetninger, om det er identifisert i denne pressemeldingen eller ikke. Disse uttalelsene er også basert på gjeldende forventninger til ledelsen av Navitas og er ikke spådommer om faktisk ytelse. Slike fremtidsrettede uttalelser er kun gitt for illustrative formål og er ikke ment å tjene som, og må ikke stoles på av noen investor som, en garanti, en forsikring, en prediksjon eller en definitiv erklæring om fakta eller sannsynlighet. Faktiske hendelser og omstendigheter er vanskelige eller umulige å forutsi og vil avvike fra antakelser og forventninger. Mange faktiske hendelser og omstendigheter som påvirker ytelsen er utenfor Navitas kontroll. Fremtidsrettede utsagn er gjenstand for en rekke risikoer og usikkerhetsmomenter, inkludert muligheten for at den forventede veksten av Navitas og GeneSiCs virksomheter ikke vil bli realisert, eller vil ikke bli realisert innen forventede tidsperioder, på grunn av, blant annet, manglende vellykket integrering av GeneSiC i Navitas sine forretnings- og driftssystemer; effekten av oppkjøpet på kunde- og leverandørforhold eller manglende evne til å beholde og utvide disse relasjonene; suksess eller fiasko for andre forretningsutviklingstiltak; Navitas' økonomiske tilstand og driftsresultater; Navitas' evne til å forutsi fremtidige inntekter nøyaktig med det formål å budsjettere og justere Navitas' utgifter.; Navitas’ evne til å diversifisere kundebasen og utvikle relasjoner i nye markeder; Navitas’ evne til å skalere sin teknologi til nye markeder og applikasjoner; virkningene av konkurranse på Navitas virksomhet, inkludert handlinger fra konkurrenter med etablert tilstedeværelse og ressurser i markeder vi håper å penetrere, inkludert silisiumkarbidmarkeder; nivået på etterspørselen i Navitas’ og GeneSiC’s kunders sluttmarkeder, både generelt og med hensyn til påfølgende generasjoner av produkter eller teknologi; Navitas' evne til å tiltrekke seg, trene og beholde nøkkelkvalifisert personell; endringer i statens handelspolitikk, inkludert innføring av toll; virkningen av COVID-19-pandemien på Navitas virksomhet, driftsresultater og økonomiske forhold; virkningen av covid-19-pandemien på den globale økonomien, inkludert men ikke begrenset til Navitas’ forsyningskjede og forsyningskjedene til kunder og leverandører; reguleringsutviklingen i USA og andre land; og Navitas’ evne til å beskytte sine immaterielle rettigheter. Disse og andre risikofaktorer er omtalt i Risikofaktorer-seksjonen begynner på s. 11 av vår årsrapport på skjema 10-K for året avsluttet desember 31, 2021, som vi sendte inn til Securities and Exchange Commission ("SEC") i mars 31, 2022 og som senere endret, og i andre dokumenter arkiverer vi til SEC, inkludert våre kvartalsrapporter på skjema 10-Q. Hvis noen av disse risikoene materialiserer seg eller våre antakelser viser seg å være feil, faktiske resultater kan avvike vesentlig fra resultatene antydet av disse fremtidsrettede uttalelsene. Det kan være ytterligere risikoer som Navitas ikke er klar over eller som Navitas for øyeblikket mener er uvesentlige, som også kan føre til at faktiske resultater avviker vesentlig fra de som finnes i de fremtidsrettede uttalelsene. I tillegg, fremtidsrettede uttalelser gjenspeiler Navitas' forventninger, planer eller prognoser for fremtidige hendelser og synspunkter fra datoen for denne pressemeldingen. Navitas forventer at påfølgende hendelser og utviklinger vil føre til at Navitas sine vurderinger endres. men, mens Navitas kan velge å oppdatere disse fremtidsrettede uttalelsene på et tidspunkt i fremtiden, Navitas fraskriver seg spesifikt enhver forpliktelse til å gjøre dette. Disse fremtidsrettede uttalelsene skal ikke stoles på som å representere Navitas' vurderinger på noen dato etter datoen for denne pressemeldingen.

Om Navitas

Halvlederenergi (Nasdaq: NVTS) er industrileder innen galliumnitrid (GaN) strøm ICer, grunnlagt i 2014. GaNFast™-strømkretser integrerer GaN-kraft med stasjon, kontroll, sensing og beskyttelse for å muliggjøre raskere lading, høyere strømtetthet og større energibesparelser for mobil, forbruker, datasenter, EV og solenergi markeder. Over 165 Navitas-patenter er utstedt eller under behandling. Over 50 millioner enheter har blitt sendt med null rapporterte GaN-feltfeil, og Navitas introduserte bransjens første og eneste 20-års garanti. Navitas er verdens første halvlederselskap CarbonNeutral®-sertifisert.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbid (SiC) teknologi. Ledende globale produsenter er avhengige av GeneSiCs teknologi for å heve ytelsen og effektiviteten til produktene deres. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk og spiller en nøkkelrolle i å spare energi i et bredt spekter av høyeffektsystemer. GeneSiC har ledende patenter på bredbånds-gap strømenhetsteknologier, et marked som forventes å nå mer enn $5 milliarder av 2025. Våre kjernestyrker innen design, prosess og teknologi gir mer verdi til våre kunders sluttprodukt, med ytelses- og kostnadsmålinger som setter nye standarder i silisiumkarbidindustrien.

Kontaktinformasjon

Media

Graham Robertson, CMO Grand Bridges

Graham@GrandBridges.com

Investorer

Stephen Oliver, VP Corporate Marketing & Investor Relations

ir@navitassemi.com

Halvlederenergi, GaNFast, GaNSense og Navitas-logoen er varemerker eller registrerte varemerker for Navitas Semiconductor Limited. Alle andre merker, produktnavn og merker er eller kan være varemerker eller registrerte varemerker som brukes til å identifisere produkter eller tjenester til deres respektive eiere.

G3R ™ 750V SiC MOSFETs tilbyr enestående ytelse og pålitelighet

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, juni 04, 2021 — GeneSiCs neste generasjon 750V G3R ™ SiC MOSFETer vil levere ytelse uten sidestykke, robusthet og kvalitet som overstiger dets kolleger. Systemfordeler inkluderer lave nedgang i tilstanden ved driftstemperaturer, raskere byttehastigheter, økt effekttetthet, minimal ringing (lav EMI) og kompakt systemstørrelse. GeneSiCs G3R ™, tilbys i optimaliserte diskrete pakker med lav induktans (SMD og gjennomgående hull), er optimalisert for å operere med laveste effekttap under alle driftsforhold og ultra-raske byttehastigheter. Disse enhetene har vesentlig bedre ytelsesnivåer enn moderne SiC MOSFET -er.

750V G3R SiC MOSFET

“Høyeffektiv energibruk har blitt en kritisk leveranse i neste generasjons kraftomformere, og SiC-enheter fortsetter å være nøkkelkomponentene som driver denne revolusjonen. Etter mange års utviklingsarbeid for å oppnå den laveste motstanden i staten og robuste kortslutnings- og skredytelser, Vi er glade for å gi ut bransjens best 750V SiC MOSFET -er. Våre G3R ™ gjør det mulig for elektronikkdesignere å møte den utfordrende effektiviteten, effekttetthet og kvalitetsmål i applikasjoner som solcelleomformere, EV innebygde ladere og server/telekom strømforsyninger. En sikret kvalitet, støttet av rask turn-around og bilkvalifisert høyvolumsproduksjon forsterker ytterligere deres verdiforslag. ” sa Dr.. Ranbir Singh, President i GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Industriens laveste portavgift (SpørsmålG) og innvendig portmotstand (RG(INT))
  • Laveste R.DS(PÅ) endres med temperaturen
  • Lav utgangskapasitans (COSS) og mildere kapasitans (CGD)
  • 100% snøskred (UIL) testet under produksjon
  • Bransjeledende kortslutningsevne
  • Rask og pålitelig kroppsdiode med lav VF og lav QRR
  • Høy og stabil gate terskelspenning (VTH) på tvers av alle temperatur- og avløpsforhold
  • Avansert emballeringsteknologi for lavere termisk motstand og lavere ringing
  • Produksjonsuniformitet til RDS(PÅ), VTH og nedbrytningsspenning (BV)
  • Omfattende produktportefølje og tryggere forsyningskjede med bilkvalifisert produksjon i stort volum

applikasjoner –

  • Solar (PV) Omformere
  • EV / HEV innebygde ladere
  • Server & Telekommunikasjon
  • Uavbrutt strømforsyning (UPS)
  • DC-DC-omformere
  • Switched Mode Strømforsyninger (SMPS)
  • Energilagring og batterilading
  • Induksjonsoppvarming

Alle GeneSiC Semiconductors SiC MOSFET-er er målrettet for bilapplikasjoner (AEC-q101) og PPAP-kompatibel.

G3R60MT07J -750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handle SiC MOSFET

G3R60MT07K -750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handle SiC MOSFET

G3R60MT07D -750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handle SiC MOSFET

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ eller kontakt sales@genesicsemi.com

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronikk

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

5Generasjon 650V SiC Schottky MPS ™ -dioder for best effektivitet i klassen

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLES, VA, Kan 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av silisiumkarbid (SiC) krafthalvlederenheter, kunngjør tilgjengeligheten av 5. generasjon (GE***-serien) SiC Schottky MPS™ likerettere som setter opp en ny standard med sin overlegne pris-ytelsesindeks, bransjeledende overspenningsstrøm og skred robusthet, og produksjon av høy kvalitet.

"GeneSiC var en av de første SiC-produsentene som kommersielt leverte SiC Schottky-likerettere i 2011. Etter mer enn et tiår med levering av høyytelses og høykvalitets SiC-likerettere i industrien, vi er glade for å lansere vår 5. generasjon SiC Schottky MPS™ (Sammenslått-PiN-Schottky) dioder som tilbyr bransjeledende ytelse i alle aspekter for å oppfylle målene for høy effektivitet og strømtetthet i applikasjoner som server-/telekom-strømforsyninger og batteriladere. Den revolusjonerende funksjonen som gjør vår 5. generasjon (GE***-serien) SiC Schottky MPS™-dioder skiller seg ut blant sine jevnaldrende er den lave innebygde spenningen (også kjent som kne-spenning);det muliggjør laveste diodeledningstap ved alle belastningsforhold – avgjørende for applikasjoner som krever høyeffektiv energibruk. I motsetning til andre konkurrerende SiC-dioder også designet for å tilby lavkneegenskaper, en tilleggsfunksjon ved våre Gen5-diodedesign er at de fortsatt opprettholder det høye skrednivået (UIL) robusthet som kundene våre har forventet av GeneSiCs Gen3 (GC***-serien) og Gen4 (GD***-serien) SiC Schottky MPS ™” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, Vice President of Technology i GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Lav innebygd spenning – Laveste ledningstap for alle belastningsforhold
  • Overlegen fortjenestefigur – QC x VF
  • Optimal prisytelse
  • Forbedret overspenningsstrømkapasitet
  • 100% Snøskred (UIL) Testet
  • Lav termisk motstand for kjøledrift
  • Null forover og bakover gjenoppretting
  • Temperaturuavhengig rask veksling
  • Positiv temperaturkoeffisient for VF

applikasjoner –

  • Boost Diode in Power Factor Correction (PFC)
  • Server- og telekomstrømforsyninger
  • Solinvertere
  • Uavbrutt strømforsyning (UPS)
  • Batteriladere
  • Frihjuling / Antiparallell diode i invertere

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ eller kontakt sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

GeneSiCs nye 3. generasjons SiC MOSFET med bransjens beste fortjeneste

DULLES, VA, februar 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors neste generasjon 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer som spenner fra 20 mΩ til 350 mΩ gir enestående ytelsesnivåer, robusthet og kvalitet som overstiger dets kolleger. Systemfordelene inkluderer høyere effektivitet, raskere byttefrekvens, økt effekttetthet, redusert ringing (EMI) og kompakt systemstørrelse.

GeneSiC kunngjør tilgjengeligheten av sine bransjeledende 3. generasjons silisiumkarbid MOSFET-er som har bransjeledende ytelse, robusthet og kvalitet til å utnytte nivåer av effektivitet og systempålitelighet i bil- og industrielle applikasjoner.

Disse G3R ™ SiC MOSFETene, tilbys i optimaliserte diskrete pakker med lav induktans (SMD og gjennomgående hull), er svært optimalisert for kraftsystemdesign som krever høye effektivitetsnivåer og ultrahurtige byttehastigheter. Disse enhetene har betydelig bedre ytelsesnivåer sammenlignet med konkurrerende produkter. En sikret kvalitet, støttet av rask omsetning med høyt volumproduksjon, forbedrer deres verdiproposisjon ytterligere.

“Etter år med utviklingsarbeid for å oppnå den laveste motstanden på stedet og forbedret kortslutningsytelse, Vi er glade for å frigjøre bransjens best ytende 1200V SiC MOSFET med over 15+ diskrete og bare chip-produkter. Hvis neste generasjons kraftelektronikksystemer skal møte den utfordrende effektiviteten, kraftdensitet og kvalitetsmål i applikasjoner som bilindustri, industriell, fornybar energi, transport, IT og telekom, da krever de betydelig forbedret enhetsytelse og pålitelighet sammenlignet med nåværende tilgjengelige SiC MOSFET-er” sa Dr.. Ranbir Singh, President i GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Superior QG x RDS(PÅ) fortjeneste – G3R ™ SiC MOSFETs har bransjens laveste motstand på stedet med en veldig lav portladning, som resulterer i 20% bedre fortjeneste enn noen annen lignende konkurrentenhet
  • Lavt ledningstap ved alle temperaturer – GeneSiCs MOSFETs har den mykeste temperaturavhengigheten av motstand på stedet for å tilby svært lave ledningstap ved alle temperaturer; betydelig bedre enn noen andre grøft og plane SiC MOSFETer i markedet
  • 100 % skred testet – Robust UIL-evne er et kritisk krav for de fleste feltapplikasjoner. GeneSiCs 1200V SiC MOSFET diskrete er 100 % snøskred (UIL) testet under produksjon
  • Lav portladning og lav innvendig portmotstand – Disse parametrene er avgjørende for å realisere ultra-rask bytte og oppnå høyest effektivitet (lav Eon -Eoff) over et bredt spekter av applikasjonsbryterfrekvenser
  • Normalt av stabil drift opp til 175 ° C – Alle GeneSiCs SiC MOSFETs er designet og produsert med toppmoderne prosesser for å levere produkter som er stabile og pålitelige under alle driftsforhold uten risiko for funksjonsfeil. Den overlegne gateoksidkvaliteten til disse enhetene forhindrer terskler (VTH) drift
  • Lav enhetskapasitans – G3R ™ er designet for å kjøre raskere og mer effektivt med lave enhetskapasiteter - Ciss, Coss og Crss
  • Rask og pålitelig kroppsdiode med lav egenladning – GeneSiCs MOSFETs har referanseindeks for lav omvendt gjenopprettingskostnad (SpørsmålRR) ved alle temperaturer; 30% bedre enn noen tilsvarende rangert konkurrentenhet. Dette gir ytterligere reduksjon i strømtap og øker driftsfrekvensen
  • Brukervennlighet – G3R ™ SiC MOSFET er designet for å kjøres ved + 15V / -5V gate drive. Dette gir bredeste kompatibilitet med eksisterende kommersielle IGBT- og SiC MOSFET-portdrivere

applikasjoner –

  • Elektrisk kjøretøy – Motortog og lading
  • Solar inverter og energilagring
  • Industriell motorstasjon
  • Avbruddsfri strømforsyning (UPS)
  • Switched Mode Strømforsyning (SMPS)
  • Toveis DC-DC-omformere
  • Smart Grid og HVDC
  • Induksjonsoppvarming og sveising
  • Pulsed Power Application

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronikk

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakt sales@genesicsemi.com

Alle GeneSiC Semiconductors SiC MOSFET-er er målrettet for bilapplikasjoner (AEC-q101) og PPAP-kompatibel. Alle enhetene tilbys i industristandard D2PAK, TO-247 og SOT-227 pakker.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

GeneSiCs 3300V og 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs revolusjonerer miniatyriseringen av hjelpestrømforsyninger

DULLES, VA, desember 4, 2020 — GeneSiC kunngjør tilgjengeligheten av bransjeledende 3300V og 1700V diskrete SiC MOSFETer som er optimalisert for å oppnå enestående miniatyrisering, pålitelighet og energibesparelser i industriell husholdningskraft.

GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av en omfattende portefølje av Silicon Carbide (SiC) kraft halvledere, kunngjør i dag umiddelbar tilgjengelighet av neste generasjons 3300V og 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, og G2R1000MT33J. Disse SiC MOSFETene muliggjør overlegne ytelsesnivåer, basert på flaggskip Tall av fortjeneste (FoM) som forbedrer og forenkler kraftsystemer på tvers av energilagring, fornybar energi, industrielle motorer, generelle omformere og industriell belysning. Produkter utgitt er:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiCs nye 3300V og 1700V SiC MOSFET, tilgjengelig i 1000mΩ og 450mΩ opsjoner som SMD og gjennomgående hullpakker, er svært optimalisert for kraftsystemdesign som krever høye effektivitetsnivåer og ultrahurtige byttehastigheter. Disse enhetene har betydelig bedre ytelsesnivåer sammenlignet med konkurrerende produkter. En sikret kvalitet, støttet av rask omsetning med høyt volumproduksjon, forbedrer deres verdiproposisjon ytterligere.

“I applikasjoner som 1500V solcelleomformere, MOSFET i hjelpestrømforsyning må kanskje tåle spenninger i området 2500V, avhengig av inngangsspenningen, svinger forholdet mellom transformatoren og utgangsspenningen. Høy MOSFET-sammenbruddsspenning tilveiebringer behovet for seriekoblede brytere i Flyback, Boost og Forward omformere og reduserer dermed antall deler og reduserer krets kompleksitet. GeneSiCs 3300V og 1700V diskrete SiC MOSFETs tillater designere å bruke enklere enkeltbryterbasert topologi og samtidig gi kundene pålitelig, kompakt og kostnadseffektivt system” sa Sumit Jadav, Senior Applications Manager hos GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Overlegen pris-ytelsesindeks
  • Flaggskip QG x RDS(PÅ) fortjenestetall
  • Lav egenkapasitet og lav portladning
  • Lavt tap ved alle temperaturer
  • Høyt snøskred og kortslutnings robusthet
  • Referanseterskelspenning for normalt avstabil drift opp til 175 ° C

applikasjoner –

  • Fornybar energi (solomformere) og energilagring
  • Industrielle motorer (og bånd)
  • Generelle omformere
  • Industriell belysning
  • Piezo-drivere
  • Ion-beam generatorer

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakt sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

GeneSiCs bransjeledende 6,5 kV SiC MOSFETs – Vanguard for a New Wave of Applications

6.5kV SiC MOSFET-er

DULLES, VA, oktober 20, 2020 — GeneSiC lanserer 6,5 kV MOSFET-er av silisiumkarbid for å være ledende når det gjelder å levere enestående ytelsesnivåer, effektivitet og pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning som trekkraft, pulserende kraft og infrastruktur for smarte nett.

GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) kraft halvledere, kunngjør i dag umiddelbar tilgjengelighet av 6,5 kV SiC MOSFET bare chips - G2R300MT65-CAL og G2R325MS65-CAL. Full SiC-moduler som bruker denne teknologien, vil snart bli utgitt. Søknader forventes å inkludere trekkraft, pulserende kraft, infrastruktur for smarte nett og andre omformere for middels spenning.

G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

GeneSiCs innovasjon har en SiC dobbeltimplantert metalloksyd halvleder (DMOSFET) enhetsstruktur med en kryssbarriere schottky (JBS) likeretter integrert i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denne ledende kraftenheten kan brukes i en rekke strømkonverteringskretser i neste generasjon kraftkonverteringssystemer. Andre viktige fordeler inkluderer mer effektiv toveis ytelse, temperaturuavhengig bytte, lave koblings- og ledningstap, reduserte kjølekrav, overlegen langsiktig pålitelighet, enkel parallellinnretning og kostnadsfordeler. GeneSiCs teknologi gir overlegen ytelse og har også potensial til å redusere netto SiC materialavtrykk i kraftomformere.

“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs er designet og produsert på 6-tommers vafler for å realisere lav motstand mot tilstanden, høyeste kvalitet, og overlegen pris-ytelsesindeks. Denne neste generasjons MOSFETs-teknologien lover eksempler på ytelse, overlegen robusthet og langsiktig pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning.” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, VP of Technology hos GeneSiC Semiconductor.

GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknologifunksjoner –

  • Høyt skred (UIS) og kortslutnings robusthet
  • Superior QG x RDS(PÅ) fortjenestetall
  • Temperaturuavhengige koblingstap
  • Lav kapasitans og lav portladning
  • Lavt tap ved alle temperaturer
  • Normalt av stabil drift opp til 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakt sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

GeneSiC vinner prestisjetunge R&D100-pris for SiC-basert monolitisk transistor-likeretterbryter

DULLES, VA, desember 5, 2019 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine evaluerte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, forskningsorganisasjoner og universiteter over hele verden. Bladets redaktører og et panel av eksterne eksperter fungerte som dommere, evaluere hver oppføring med tanke på dens betydning for vitenskapens og forskningsverdenen.

I følge R&D Magasin, vinne en R&D 100 Prisen gir en karakter av fortreffelighet kjent for industrien, Myndighetene, og akademia som bevis på at produktet er en av årets mest innovative ideer. Denne prisen anerkjenner GeneSiC som en global leder innen utvikling av teknologibaserte produkter som utgjør en forskjell i hvordan vi jobber og lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

Høy strøm 650V, 1200V og 1700V SiC Schottky MPS ™ -dioder i mini-modul SOT-227-pakke

DULLES, VA, Kan 11, 2019 — GeneSiC blir markedsleder innen høystrømskapasitet (100 A og 200 EN) SiC schottky-dioder i SOT-227 mini-modul

GeneSiC har introdusert GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 og GC2X100MPS06-227; bransjens høyest gjeldende 650V og 1700V SiC schottky dioder, legge til den eksisterende 1200V SiC schottky diode mini-modulporteføljen – GB2X50MPS12-227 og GB2X100MPS12-227. Disse SiC-diodene erstatter silisiumbaserte ultraraske utvinningsdioder, slik at ingeniører kan bygge bryterkretser med større effektivitet og høyere effekttetthet. Applikasjonene forventes å inkludere hurtigladere for elektriske kjøretøy, motordrev, strømforsyninger til transport, høy strømretting og industrielle strømforsyninger.

I tillegg til den isolerte bunnplaten til SOT-227 minimodulpakken, disse nylig utgitte diodene har lavt spenningsfall fremover, null fremdrift, null omvendt utvinning, lav krysskapasitans og er vurdert for en maksimal driftstemperatur på 175 ° C. GeneSiCs tredje generasjon SiC schottky-diodeteknologi gir bransjeledende skred robusthet og spenningsstrøm (Ifsm) robusthet, kombinert med høykvalitets bilkvalifisert 6-tommers fabrikasjon og avansert diskret monteringsteknologi med høy pålitelighet.

Disse SiC-diodene er pin-kompatible direkte erstatninger til andre dioder tilgjengelig i SOT-227 (mini-modul) pakke. Dra nytte av deres lavere strømtap (kjøligere drift) og høyfrekvente koblingsfunksjoner, designere kan nå oppnå større konverteringseffektivitet og større effekttetthet i design.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

GeneSiC lanserer bransjens best ytende 1700V SiC Schottky MPS™ dioder

DULLES, VA, januar 7, 2019 — GeneSiC lanserer en omfattende portefølje av sin tredje generasjon 1700V SiC Schottky MPS ™ -dioder i TO-247-2-pakke

GeneSiC har introdusert GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 og GB50MPS17-247; bransjens best ytende 1700V SiC-dioder tilgjengelig i den populære TO-247-2 gjennomgående hullpakken. Disse 1700V SiC-diodene erstatter silisiumbaserte ultra-raske gjenopprettingsdioder og andre gamle generasjon 1700V SiC JBS, slik at ingeniører kan bygge bryterkretser med større effektivitet og høyere effekttetthet. Applikasjonene forventes å inkludere hurtigladere for elektriske kjøretøy, motordrev, transportforsyning og fornybar energi.

GB50MPS17-247 er en 1700V 50A SiC sammenslått-PiN-schottky-diode, bransjens høyeste nåværende diskrete SiC-effektdiode. Disse nylig utgitte diodene har lavt spenningsfall fremover, null fremdrift, null omvendt utvinning, lav krysskapasitans og er vurdert for en maksimal driftstemperatur på 175 ° C. GeneSiCs tredje generasjon SiC schottky-diodeteknologi gir bransjeledende skred robusthet og spenningsstrøm (Ifsm) robusthet, kombinert med høykvalitets kvalifisert 6-tommers støperi og avansert diskret monteringsteknologi med høy pålitelighet.

Disse SiC-diodene er pin-kompatible direkte erstatninger for andre dioder som er tilgjengelige i TO-247-2-pakken. Dra nytte av deres lavere strømtap (kjøligere drift) og høyfrekvente koblingsfunksjoner, designere kan nå oppnå større konverteringseffektivitet og større effekttetthet i design.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

GeneSiC intervjuet på PCIM 2016 i Nürnberg, Tyskland

Power System Design Intervjuer GeneSiC

Nürnberg, Tyskland mai 12, 2016 — GeneSiC Semiconductors president ble intervjuet av Alix Paultre fra Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) på PCIM-messen i Nürnberg, Tyskland.