Kategori: Nyheter

Sampakket SiC Transistor-Diode kombinasjon i en robust, isolert, 4-Blyført, minimodulemballasje reduserer energitap ved innkobling og muliggjør fleksible kretsdesign for høyfrekvente strømomformere

DULLES, VA, Kan 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodes i en isolert, 4-Blyholdig minimodulemballasje som muliggjør ekstremt lavt energitap ved start samtidig som den tilbyr fleksibel, modulære design i høyfrekvente kraftomformere. Bruk av høy frekvens, SiC-transistorer og likerettere med høy spenning og lav motstand vil redusere størrelsen/vekten/volumet til elektronikkapplikasjoner som krever høyere effekthåndtering ved høye driftsfrekvenser. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke bruksområder, inkludert induksjonsvarmer, plasma generatorer, hurtigladere, DC-DC-omformere, og byttet modus strømforsyninger.

Sampakkede SiC Junction Transistorer (SJT)-SiC-likerettere som tilbys av GeneSiC er unikt anvendelige for induktive svitsjeapplikasjoner fordi SJT-er er de eneste bredbåndssvitsjtilbudene >10 microsec repeterende kortslutningsevne, selv kl 80% av merkespenningene (f.eks. 960 V for en 1200 V enhet). I tillegg til stignings-/falltider under 10 nsec og et firkantet, omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), Gate Return-terminalen i den nye konfigurasjonen forbedrer muligheten til å redusere svitsjeenergiene betydelig. Denne nye klassen av produkter tilbyr forbigående energitap og koblingstider som er uavhengige av overgangstemperaturen. SiC Junction Transistorer fra GeneSiC er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives ved lave portspenninger, i motsetning til andre SiC-svitsjer.
SiC Schottky Likerettere som brukes i disse minimodulene viser lave spenningsfall i tilstanden, gode overspenningsstrømklassifiseringer og industriens laveste lekkasjestrøm ved høye temperaturer. Med temperaturuavhengig, nesten null omvendt gjenopprettingssvitsjekarakteristikk, SiC Schottky likerettere er ideelle kandidater for bruk i høyeffektive kretser.
“GeneSiCs SiC-transistor- og likeretterprodukter er designet og produsert for å realisere lave på-tilstand og svitsjetap. En kombinasjon av disse teknologiene i en innovativ pakke lover eksemplarisk ytelse i strømkretser som krever bredbåndsbaserte enheter. Minimodulemballasjen tilbyr stor designfleksibilitet for bruk i en rekke strømkretser som H-Bridge, Flyback og multi-level invertere” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
Produkt utgitt i dag inkluderer
20 mOhm/1200 V SiC Junction transistor/likeretter Co-pack (GA50SICP12-227):
• Isolert SOT-227/miniblokk/Isotop-pakke
• Transistorstrømforsterkning (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (begrenset av emballasje)
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <10 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% tested to full voltage/current ratings. The devices are immediately available from GeneSiC’s Autoriserte distributører.

For mer informasjon, besøk gjerne: https://192.168.88.14/kommersiell-sic/sic-modules-copack/

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisiumdiodemoduler. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, nedihulls oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

Høy temperatur (>210^DeC) Koblingstransistorer og likerettere i metallbokspakker med liten formfaktor gir revolusjonerende ytelsesfordeler til en rekke bruksområder, inkludert forsterkning, lavstøykretser og nedihulls aktuatorkontroller

DULLES, VA, mars 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av en serie kompakte, høytemperatur SiC Junction-transistorer samt en linje med likerettere i TO-46 metallbokspakker. Disse diskrete komponentene er designet og produsert for å fungere under omgivelsestemperaturer over 215^DeC. Bruk av høy temperatur, SiC-transistorer og likerettere med høy spenning og lav motstand vil redusere størrelsen/vekten/volumet til elektronikkapplikasjoner som krever høyere effekthåndtering ved høye temperaturer. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke applikasjoner, inkludert et bredt utvalg av nedihullskretser, geotermisk instrumentering, solenoidaktivering, generell forsterkning, og byttet modus strømforsyninger.

Høytemperatur SiC Junction Transistorer (SJT) tilbudt av GeneSiC utstilling under 10 nsec stige/fall ganger muliggjør >10 MHz-svitsjing samt et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA). De forbigående energitapene og koblingstidene er uavhengige av overgangstemperaturen. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å bli drevet av 0/+5 V TTL gate drivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Unike fordeler med SJT i motsetning til andre SiC-svitsjer er dens høyere langsiktige pålitelighet, >20 usec kortslutningsevne, og overlegen snøskredevne. Disse enhetene kan brukes som effektive forsterkere da de lover en mye høyere linearitet enn noen annen SiC-svitsj.

Høytemperatur SiC Schottky-likerettere som tilbys av GeneSiC viser lave spenningsfall i tilstanden, og industriens laveste lekkasjestrøm ved høye temperaturer. Med temperaturuavhengig, nesten null omvendt gjenopprettingssvitsjekarakteristikk, SiC Schottky likerettere er ideelle kandidater for bruk med høy effektivitet, høytemperaturkretser. TO-46 metallbokspakninger samt tilhørende pakkeprosesser som brukes til å lage disse produktene muliggjør kritisk langtidsbruk der høy pålitelighet er kritisk.

“GeneSiCs transistor- og likeretterprodukter er designet og produsert fra bakken og opp for å muliggjøre høytemperaturdrift. Disse kompakte TO-46-pakkede SJT-ene tilbyr høye strømforsterkning (>110), 0/+5 V TTL kontroll, og robust ytelse. Disse enhetene tilbyr lave ledningstap og høy linearitet. Vi designer vår "SHT" linje med likerettere, å tilby lave lekkasjestrømmer ved høye temperaturer. Disse metallboksemballerte produktene forsterker TO-257 og metall SMD-produkter utgitt i fjor for å tilby liten formfaktor, vibrasjonsbestandige løsninger” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

Produkter utgitt i dag inkluderer:

240 mOhm SiC Junction Transistorer:

• 300 V blokkeringsspenning. Delenummer GA05JT03-46
• 100 V blokkeringsspenning. Delenummer GA05JT01-46
• Nåværende gevinst (h_FE) >110
• T_jmax = 210^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <10 nanosekunder typisk.

Opp til 4 Ampere Schottky-dioder med høy temperatur:

• 600 V blokkeringsspenning. Delenummer GB02SHT06-46
• 300 V blokkeringsspenning. Delenummer GB02SHT03-46
• 100 V blokkeringsspenning. Delenummer GB02SHT01-46
• Total kapasitiv ladning 9 nC
• T_jmax = 210^DeC.

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i metallboks TO-46-pakker. Enhetene er umiddelbart tilgjengelige fra GeneSiCs autoriserte distributører.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisiumdiodemoduler. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, nedihulls oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, besøk gjerne https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; og https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Gate Driver Board optimert for høye svitsjehastigheter og atferdsbaserte modeller gjør det mulig for kraftelektroniske designingeniører å verifisere og kvantifisere fordelene med SJT-er i kortnivåevaluering og kretssimulering

DULLES, V.A., Nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av Gate Driver-evalueringskort og har utvidet designstøtten for bransjens brytere med lavest tap – SiC Junction Transistor (SJT) – med en fullt kvalifisert LTSPICE IV-modell. Bruker det nye Gate Driver Board, strømkonverteringskretsdesignere kan verifisere fordelene med under 15 nanosekunder, temperaturuavhengige svitsjekarakteristikk for SiC Junction Transistorer, med lavt sjåførkrafttap. Inkorporerer de nye SPICE-modellene, kretsdesignere kan enkelt evaluere fordelene GeneSiCs SJT-er gir for å oppnå et høyere effektivitetsnivå enn det som er mulig med konvensjonelle silisiumstrømbrytere for sammenlignbare rangerte enheter.

SiC Junction Transistorer har vesentlig andre egenskaper enn andre SiC Transistor-teknologier, samt silisiumtransistorer. Gate Driver-kort som kan gi lave strømtap samtidig som de fortsatt tilbyr høye svitsjehastigheter, var nødvendig for å tilby drivløsninger for å utnytte fordelene med SiC Junction Transistors. GeneSiC er fullstendig isolert GA03IDDJT30-FR4 Gatedriverkort tar inn 0/12V og et TTL-signal for å optimalisere spennings-/strømbølgeformene som kreves for å gi små stige-/falltider, samtidig som det kontinuerlige strømkravet for å holde Normally-OFF SJT ledende under på-tilstand. Pinnekonfigurasjonen og formfaktorene holdes lik andre SiC-transistorer. GeneSiC har også gitt ut Gerber-filer og stykklister til sluttbrukere for å sette dem i stand til å innlemme fordelene med driverdesigninnovasjonene som er realisert.

SJT-er tilbyr veloppdragne on-state- og bytteegenskaper, gjør det enkelt å lage atferdsbaserte SPICE-modeller som stemmer bemerkelsesverdig godt med de underliggende fysikkbaserte modellene også. Bruke veletablerte og forståtte fysikkbaserte modeller, SPICE-parametere ble utgitt etter omfattende testing med enhetsatferd. GeneSiCs SPICE-modeller sammenlignes med de eksperimentelt målte dataene på alle enhetsdataark og gjelder for alle 1200 V og 1700 V SiC Junction Transistors utgitt.
GeneSiCs SJT-er er i stand til å levere svitsjefrekvenser som er mer enn 15 ganger høyere enn IGBT-baserte løsninger. Deres høyere svitsjefrekvenser kan muliggjøre mindre magnetiske og kapasitive elementer, og dermed krympe den totale størrelsen, vekt og kostnad for kraftelektronikksystemer.

Denne SiC Junction Transistor SPICE-modellen legger til GeneSiCs omfattende pakke med designstøtteverktøy, teknisk dokumentasjon, og pålitelighetsinformasjon for å gi kraftelektronikkingeniører designressursene som er nødvendige for å implementere GeneSiCs omfattende familie av SiC Junction-transistorer og likerettere i neste generasjon kraftsystemer.

GeneSiCs Gate Driver Board-datablad og SJT SPICE-modeller kan lastes ned fra https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

SiC-svitsjer med laveste ledningstap og overlegen kortslutningsevne frigitt for høyfrekvente strømkretser

Dulles, Virginia., Okt 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av en familie med lav-motstand 1700V og 1200 V SiC Junction Transistorer i TO-247-pakker. Bruk av høyspenning, høy frekvens, SiC Junction-transistorer med høy temperatur og lav motstand vil øke konverteringseffektiviteten og redusere størrelsen/vekten/volumet til kraftelektronikkapplikasjoner som krever høyere bussspenninger. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke applikasjoner, inkludert DC-mikronett, Hurtigladere for kjøretøy, server, strømforsyninger for telekom og nettverk, avbruddsfri strømforsyning, solomformere, Vindkraftsystemer, og industrielle motorkontrollsystemer.

SiC Junction Transistorer (SJT) tilbudt av GeneSiC viser ultrarask svitsjingsevne (ligner på SiC MOSFET-er), et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å bli kjørt av kommersielle portdrivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Unike fordeler med SJT i motsetning til andre SiC-svitsjer er dens høyere langsiktige pålitelighet, >10 usec kortslutningsevne, og overlegen snøskredevne

“Disse forbedrede SJT-ene tilbyr mye høyere strømgevinster (>100), svært stabil og robust ytelse sammenlignet med andre SiC-svitsjer. GeneSiCs SJT-er tilbyr ekstremt lave ledningstap ved nominelle strømmer som overlegne avslåingstap i strømkretser. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjoner, GeneSiCs transistorprodukter hjelper designere med å oppnå en mer robust løsning,” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

1700 V SiC Junction Transistor utgitt

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• Nåværende gevinst (h_FE) >90
• T_jmax = 175^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <30 nanosekunder typisk.

1200 V SiC Junction Transistor utgitt

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• Nåværende gevinst (h_FE) >90
• T_jmax = 175^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <30 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS-kompatible TO-247-pakker. Enhetene er umiddelbart tilgjengelig fra GeneSiCs autoriserte distributører.

For mer informasjon, vennligst besøk https://192.168.88.14/kommersielle-sic/sic-junction-transistors/

GeneSiCs SiC-transistor og likerettere gir betydelige fordeler for å nå målene til Little Box Challenge

State-of-the-art. Silisiumkarbid krafttransistorer & Likerettere. Tilgjengelig. Nå!

GeneSiC har en bred portefølje av produkter tilgjengelig akkurat nå over hele verden fra toppdistributører

Bare Die Chip form for SiC-enheter tilgjengelig direkte fra fabrikk (vennligst fyll ut skjemaet nedenfor)

Diskret SJTs og Likerettere i kommersielle temperaturklassifiseringer (175°C)

Diskret HiT SJTs og HiT likerettere i høy temperatur (opptil 250°C)

GeneSiC offers the widest variety of SiC products – in packaged products as well as bare-die format to allow greater design flexibility and innovation. GeneSiC is continuously striving to stay ahead by introducing new, innovative produkter. If you don’t see the exact product you are looking for today, du kan se det i nær fremtid.

Løftet om høy temperatur i SiC-transistorer realisert gjennom kompatible industristandardpakker vil kritisk forbedre nedihulls- og romfartsaktuatorer og strømforsyninger

Dulles, Virginia., Des 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten gjennom sine distributører og direkte en familie høytemperaturpakke 600 V SiC Junction Transistorer (SJT) i 3-50 Ampere strømverdier i JEDEC industristandard gjennom hull og overflatemonteringspakker. Inkorporerer disse høye temperaturene, lav motstand, høyfrekvente SiC-transistorer i hermetiske pakker, høytemperaturloddemetall og innkapsling vil øke konverteringseffektiviteten og redusere størrelsen/vekten/volumet til høytemperatureffektkonverteringsapplikasjoner.

Moderne strømforsyning med høy temperatur, motorkontroll- og aktuatorkretser som brukes i olje/gass/nedihulls- og romfartsapplikasjoner lider av mangel på tilgjengelighet av en levedyktig høytemperatur silisiumkarbidløsning. Silisiumtransistorer lider av lav kretseffektivitet og store størrelser fordi de lider av høye lekkasjestrømmer og lave dårlige svitsjeegenskaper. Begge disse parameterne blir dårligere ved høyere krysstemperaturer. Med termisk begrensede miljøer, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Hermetisk pakkede SiC-transistorer tilbyr unike egenskaper som lover å revolusjonere evnen til nedihulls- og romfartsapplikasjoner. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC Junction Transistorer har nesten null koblingstider som ikke endres med temperaturen. De 210^DeC-krysset temperaturklassifiserte enheter tilbyr relativt store temperaturmarginer for applikasjoner som opererer under ekstreme miljøer.

Junction Transistorer som tilbys av GeneSiC viser ultrarask svitsjingsevne, et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives av kommersielle, vanlig tilgjengelig 15 V IGBT-portdrivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Samtidig som den tilbyr kompatibilitet med SiC JFET-drivere, SiC Junction Transistorer kan lett parallellkobles på grunn av deres matchende transientegenskaper.

“Mens designere av applikasjoner nedihulls og romfart fortsetter å presse grensene for driftsfrekvens, mens de fortsatt krever høy kretseffektivitet, de trenger SiC-svitsjer som kan tilby en ytelsesstandard, pålitelighet og enhetlig produksjon. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjoner, GeneSiCs SJT-produkter hjelper designere med å oppnå alt dette i en mer robust løsning. Disse produktene utfyller den hermetiske pakkede SiC-likeretteren utgitt i fjor av GeneSiC, og bare die-produktene utgitt tidligere i år, samtidig som det baner vei for at vi kan tilby høy temperatur, lav induktans, strømmoduler i nær fremtid ” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

Isolert TO-257 med 600 I SJTs:

• 65 mOhm/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7637-GA); og 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.
• Tilsvarende Bare Die GA20JT06-CAL (i 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (i 2N7637-GA); og GA05JT06-CAL (i 2N7635-GA)

Ikke-isolert TO-258 Prototypepakke med 600 SJTs

• 25 mOhm/50 Amp (GA50JT06-258 prototypepakke)
• T_jmax = 210^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.
• Tilsvarende Bare Die GA50JT06-CAL (i GA50JT06-258)

Overflatefeste TO-276 (SMD0,5) med 600 SJTs

• 65 mOhm/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7638-GA); og 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. Teknisk støtte og SPICE-kretsmodeller tilbys. Enhetene er umiddelbart tilgjengelig fra GeneSiC direkte og/eller gjennom dets autoriserte distributører.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, besøk gjerne https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Høyspenning, Omvendt gjenopprettingsfrie SiC Schottky-dioder for å muliggjøre solcellevekselrettere og høyspenningsenheter ved å tilby overflatemontering med minste formfaktor

Dulles, Virginia., Nov 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av en familie med industristandard SMB (JEDEC DO-214AA) pakket SiC Likerettere i 650 – 3300 V rekkevidde. Inkorporerer disse høyspenningene, reverseringsfri, høyfrekvente og høytemperaturkompatible SiC-dioder vil øke konverteringseffektiviteten og redusere størrelsen/vekten/volum av multi-kV-enheter. Disse produktene er rettet mot mikrosolar-vekselrettere så vel som spenningsmultiplikatorkretser som brukes i et bredt spekter av røntgenstråler, Laser og partikkelgenerator strømforsyninger.

Moderne mikro-solenergi-omformere og spenningsmultiplikatorkretser kan lide av lav kretseffektivitet og store størrelser fordi de omvendte gjenvinningsstrømmene fra silisium-likerettere. Ved høyere likeretterkrysstemperaturer, denne situasjonen blir verre fordi den omvendte gjenvinningsstrømmen i silisiumlikerettere øker med temperaturen. Med termiske begrensninger høyspenningsenheter, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Høyspente SiC-likerettere tilbyr unike egenskaper som lover å revolusjonere mikro-solenergiomformere og høyspenningsenheter. GeneSiC 650 V/1 A; 1200 V/2 A og 3300 V/0.3 A Schottky-likerettere har null reverseringsstrøm som ikke endres med temperaturen. De 3300 V-rated devices offer relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, through use of higher AC input voltages. The near-ideal switching characteristics allow the elimination/dramatic reduction of voltage balancing networks and snubber circuits. The SMB (DO-214AA) overmolded package features industry-standard form factor for surface mount assemblies.

“These product offerings come from years of sustained development efforts at GeneSiC towards offering compelling devices and packages. We believe the SMB form factor is a key differentiator for the Micro Solar Inverter and Voltage Multiplier market, and will allow significant benefits to our customers. GeneSiC’s low VF, SiC Schottky-likerettere med lav kapasitans og forbedrede SMB-pakker muliggjør dette banebrytende produktet” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

1200 V/2 A SMB SiC Schottky Diode (GB02SLT12-214) Tekniske høydepunkter

• Typisk VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^DeC
• Reverse Recover Charge = 14 nC.

3300 V/0.3 A SMB SiC Schottky Diode (GAP3SLT33-214) Tekniske høydepunkter

• Typisk VF = 1.7 V
• T_jmax = 175^DeC
• Reverse Recover Charge = 52 nC.

650 V/1 A SMB SiC Schottky Diode (GB01SLT06-214) Tekniske høydepunkter

• Typisk VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^DeC
• Reverse Recover Charge = 7 nC.

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS-kompatibel SMB (DO-214AA) pakker. Teknisk støtte og SPICE-kretsmodeller tilbys. Enhetene er umiddelbart tilgjengelig fra GeneSiCs autoriserte distributører.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, vennligst besøk https://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

High Voltage assemblies to benefit from these low capacitance rectifiers offering temperature-independent zero reverse recovery currents in isolated packages

Thief River Falls/Dulles, Virginia., Kan 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors announce the immediate availability of 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – the GAP3SLT33-220FP. This unique product represents the highest voltage SiC rectifier on the market, and is specifically targeted towards voltage multiplier circuits and high voltage assemblies used in a wide range of X-Ray, Laser og partikkelgenerator strømforsyninger.

Contemporary voltage multiplier circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Ved høyere likeretterkrysstemperaturer, denne situasjonen blir verre fordi den omvendte gjenvinningsstrømmen i silisiumlikerettere øker med temperaturen. Med termiske begrensninger høyspenningsenheter, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC 3300 V/0.3 A Schottky-likerettere har null reverseringsstrøm som ikke endres med temperaturen. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, through use of higher AC input voltages. The near-ideal switching characteristics allow the elimination/dramatic reduction of voltage balancing networks and snubber circuits. The TO-220 Full Pack overmolded isolated package features industry-standard form factor with increased pin spacing in through hole assemblies.

“This product offering comes from years of sustained efforts at GeneSiC. We believe the 3300 V rating is a key differentiator for the high voltage generator market, and will allow significant benefits to our customers. GeneSiC’s low VF, low capacitance SiC Schottky Rectifiers enables this breakthrough product” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

3300 V/0.3 A SiC Rectifier Technical Highlights

• On-state Drop of 1.7 V at 0.3 EN
• Positive temperature coefficient on VF
• T_jmax = 175^DeC
• Capacitive charge 52 nC (typical).

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Full Pack) pakker. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributor, Digikey.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, please visit www.genesicsemi.com

High Voltage circuits and assemblies to benefit from SiC chips that offer unprecedented voltage ratings and ultra-high speed switching

Dulles, Virginia., Nov 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors announce the immediate availability of 8000 V SiC PiN Rectifiers; 8000 V SiC Schottky Rectifiers, 3300 V SiC Schottky Rectifiers and 6500 V SiC Thyristors in bare die format. These unique products represents the highest voltage SiC devices on the market, and is specifically targeted towards oil and gas instrumentation, voltage multiplier circuits and high voltage assemblies.

Contemporary ultra-high voltage circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Ved høyere likeretterkrysstemperaturer, this situation worsens further since the reverse recovery current in Silicon rectifiers increases with temperature. Med termiske begrensninger høyspenningsenheter, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC 8000 V og 3300 V Schottky rectifiers feature zero reverse recovery current that does not change with temperature. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, through use of higher AC input voltages. The near-ideal switching characteristics allow the elimination/dramatic reduction of voltage balancing networks and snubber circuits. 8000 V PiN Rectifiers offer higher current levels and higher operating temperatures. 6500 V SiC Thyristor chips are also available to accelerate R&D of new systems.

“These products showcase GeneSiC’s strong lead in the development of SiC chips in the multi-kV ratings. We believe the 8000 V rating goes beyond what Silicon devices can offer at rated temperatures, and will allow significant benefits to our customers. GeneSiC’s low VF, low capacitance SiC Rectifiers and Thyristors will enable system level benefits not possible before” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Technical Highlights

• T_jmax = 210^DeC
• Reverse Leakage Currents < 50 uA at 175^DeC
• Reverse Recovery Charge 558 nC (typical).

8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Technical Highlights

• Total Capacitance 25 pF (typical, at -1 V, 25^DeC).
• Positive temperature coefficient on VF
• T_jmax = 175^DeC

6500 V SiC Thyristor Bare Die Technical Highlights

• Tre tilbud – 80 Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Amperes (GA060TH65-CAU); og 40 Amperes (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^DeC

3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Technical Highlights

• On-state Drop of 1.7 V at 0.3 EN
• Positive temperature coefficient on VF
• T_jmax = 175^DeC
• Capacitive charge 52 nC (typical).

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, besøk gjerne https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie