postet på av Redaktør0

Høy temperatur (210 C) SiC Junction Transistorer tilbys i hermetiske pakker

Løftet om høy temperatur i SiC-transistorer realisert gjennom kompatible industristandardpakker vil kritisk forbedre nedihulls- og romfartsaktuatorer og strømforsyninger

Dulles, Virginia., Des 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten gjennom sine distributører og direkte en familie høytemperaturpakke 600 V SiC Junction Transistorer (SJT) i 3-50 Ampere strømverdier i JEDEC industristandard gjennom hull og overflatemonteringspakker. Inkorporerer disse høye temperaturene, lav motstand, høyfrekvente SiC-transistorer i hermetiske pakker, høytemperaturloddemetall og innkapsling vil øke konverteringseffektiviteten og redusere størrelsen/vekten/volumet til høytemperatureffektkonverteringsapplikasjoner.HeiT_Schottky

Moderne strømforsyning med høy temperatur, motorkontroll- og aktuatorkretser som brukes i olje/gass/nedihulls- og romfartsapplikasjoner lider av mangel på tilgjengelighet av en levedyktig høytemperatur silisiumkarbidløsning. Silisiumtransistorer lider av lav kretseffektivitet og store størrelser fordi de lider av høye lekkasjestrømmer og lave dårlige svitsjeegenskaper. Begge disse parameterne blir dårligere ved høyere krysstemperaturer. Med termisk begrensede miljøer, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Hermetisk pakkede SiC-transistorer tilbyr unike egenskaper som lover å revolusjonere evnen til nedihulls- og romfartsapplikasjoner. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC Junction Transistorer har nesten null koblingstider som ikke endres med temperaturen. De 210DeC-krysset temperaturklassifiserte enheter tilbyr relativt store temperaturmarginer for applikasjoner som opererer under ekstreme miljøer.

Junction Transistorer som tilbys av GeneSiC viser ultrarask svitsjingsevne, et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives av kommersielle, vanlig tilgjengelig 15 V IGBT-portdrivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Samtidig som den tilbyr kompatibilitet med SiC JFET-drivere, SiC Junction Transistorer kan lett parallellkobles på grunn av deres matchende transientegenskaper.

“Mens designere av applikasjoner nedihulls og romfart fortsetter å presse grensene for driftsfrekvens, mens de fortsatt krever høy kretseffektivitet, de trenger SiC-svitsjer som kan tilby en ytelsesstandard, pålitelighet og enhetlig produksjon. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjoner, GeneSiCs SJT-produkter hjelper designere med å oppnå alt dette i en mer robust løsning. Disse produktene utfyller den hermetiske pakkede SiC-likeretteren utgitt i fjor av GeneSiC, og bare die-produktene utgitt tidligere i år, samtidig som det baner vei for at vi kan tilby høy temperatur, lav induktans, strømmoduler i nær fremtid ” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

Isolert TO-257 med 600 I SJTs:

  • 65 mOhm/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7637-GA); og 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
  • Tjmax = 210DeC
  • Slå på/av; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.
  • Tilsvarende Bare Die GA20JT06-CAL (i 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (i 2N7637-GA); og GA05JT06-CAL (i 2N7635-GA)

Ikke-isolert TO-258 Prototypepakke med 600 SJTs

  • 25 mOhm/50 Amp (GA50JT06-258 prototypepakke)
  • Tjmax = 210DeC
  • Slå på/av; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.
  • Tilsvarende Bare Die GA50JT06-CAL (i GA50JT06-258)

Overflatefeste TO-276 (SMD0,5) med 600 SJTs

  • 65 mOhm/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7638-GA); og 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
  • Tjmax = 210DeC
  • Slå på/av; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. Teknisk støtte og SPICE-kretsmodeller tilbys. Enhetene er umiddelbart tilgjengelig fra GeneSiC direkte og/eller gjennom dets autoriserte distributører.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, besøk gjerne https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt