DULLES, VA, Kan 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av silisiumkarbid (SiC) krafthalvlederenheter, kunngjør tilgjengeligheten av 5. generasjon (GE***-serien) SiC Schottky MPS™ likerettere som setter opp en ny standard med sin overlegne pris-ytelsesindeks, bransjeledende overspenningsstrøm og skred robusthet, og produksjon av høy kvalitet.
"GeneSiC var en av de første SiC-produsentene som kommersielt leverte SiC Schottky-likerettere i 2011. Etter mer enn et tiår med levering av høyytelses og høykvalitets SiC-likerettere i industrien, vi er glade for å lansere vår 5. generasjon SiC Schottky MPS™ (Sammenslått-PiN-Schottky) dioder som tilbyr bransjeledende ytelse i alle aspekter for å oppfylle målene for høy effektivitet og strømtetthet i applikasjoner som server-/telekom-strømforsyninger og batteriladere. Den revolusjonerende funksjonen som gjør vår 5. generasjon (GE***-serien) SiC Schottky MPS™-dioder skiller seg ut blant sine jevnaldrende er den lave innebygde spenningen (også kjent som kne-spenning);det muliggjør laveste diodeledningstap ved alle belastningsforhold – avgjørende for applikasjoner som krever høyeffektiv energibruk. I motsetning til andre konkurrerende SiC-dioder også designet for å tilby lavkneegenskaper, en tilleggsfunksjon ved våre Gen5-diodedesign er at de fortsatt opprettholder det høye skrednivået (UIL) robusthet som kundene våre har forventet av GeneSiCs Gen3 (GC***-serien) og Gen4 (GD***-serien) SiC Schottky MPS ™” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, Vice President of Technology i GeneSiC Semiconductor.
Egenskaper –
- Lav innebygd spenning – Laveste ledningstap for alle belastningsforhold
- Overlegen fortjenestefigur – QC x VF
- Optimal prisytelse
- Forbedret overspenningsstrømkapasitet
- 100% Snøskred (UIL) Testet
- Lav termisk motstand for kjøledrift
- Null forover og bakover gjenoppretting
- Temperaturuavhengig rask veksling
- Positiv temperaturkoeffisient for VF
applikasjoner –
- Boost Diode in Power Factor Correction (PFC)
- Server- og telekomstrømforsyninger
- Solinvertere
- Uavbrutt strømforsyning (UPS)
- Batteriladere
- Frihjuling / Antiparallell diode i invertere
GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™
GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™
Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support
For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ eller kontakt sales@genesicsemi.com
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.
