DULLES, VA, oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., en raskt stigende innovatør av høy temperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, kunngjorde at det har blitt tildelt tre separate småbedriftstilskudd fra US Department of Energy i løpet av FY07. SBIR- og STTR-bevilgningene vil bli brukt av GeneSiC for å demonstrere nye høyspente SiC-enheter for en rekke energilagring, kraftnettet, høytemperatur- og høyenergifysikkapplikasjoner. Energilagring og strømnettapplikasjoner får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.
“Vi er fornøyd med nivået av tillit uttrykt av ulike kontorer i det amerikanske energidepartementet med hensyn til våre høyeffekts enhetsløsninger. Å injisere denne finansieringen i våre avanserte SiC-teknologiprogrammer vil resultere i en bransjeledende linje SiC-enheter,” kommenterte GeneSiCs president, Dr.. Ranbir Singh. “Enhetene som utvikles i disse prosjektene lover å gi kritisk muliggjørende teknologi for å støtte et mer effektivt strømnett, og vil åpne døren til ny kommersiell og militær maskinvareteknologi som har forblitt urealisert på grunn av begrensningene til moderne silisiumbaserte teknologier.”
De tre prosjektene inkluderer:
- En ny fase I SBIR-pris fokusert på høystrøm, multi-kV tyristor-baserte enheter rettet mot energilagringsapplikasjoner.
- En fase II SBIR-oppfølgingspris for utvikling av multi-kV SiC-kraftenheter for høyspente strømforsyninger for høyeffekts RF-systemapplikasjoner tildelt av DOE Office of Science.
- En fase I STTR-pris fokusert på optisk portet høyspenning, høyfrekvente SiC-strømenheter for miljøer rike på elektromagnetisk interferens, inkludert høyeffekts RF-energisystemer, og styrte energivåpensystemer.
Sammen med prisene, GeneSiC har nylig flyttet virksomheten til et utvidet laboratorium og kontorbygg i Dulles, Virginia, betydelig oppgradering av utstyret, infrastruktur og er i ferd med å legge til ytterligere nøkkelpersonell.
“GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder, sikkerhetskopierer det med tilgang til en omfattende serie med fabrikasjon, karakterisering og testing fasiliteter,” konkluderte Dr. Singh. “Vi føler at disse egenskapene har blitt effektivt validert av US DOE med disse nye og oppfølgende prisene.”
Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøke www.genesicsemi.com.
