postet på

Fornybar energi Thrust Nets GeneSiC Semiconductor $1,5 millioner fra US Department of Energy

DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanske energidepartementet har tildelt GeneSiC Semiconductor to separate tilskudd på til sammen $1,5 millioner for utvikling av høyspent silisiumkarbid (SiC) enheter som vil tjene som viktige muliggjører for vind- og solenergi-integrasjon med landets strømnett.

"Disse prisene demonstrerer DOEs tillit til GeneSiCs evner, samt forpliktelsen til alternative energiløsninger," bemerker Dr. Ranbir Singh, president i GeneSiC. «En integrert, Effektivt strømnett er avgjørende for nasjonens energifremtid - og SiC-enhetene vi utvikler er avgjørende for å overvinne ineffektiviteten til konvensjonelle silisiumteknologier."

Den første prisen er en $750k fase II SBIR-stipend for utvikling av fast, ultrahøyspente SiC bipolare enheter. Den andre er en fase II STTR-bevilgning på $750 000 for utvikling av optisk gatede SiC-svitsjer med høy effekt.

Silisiumkarbid er et neste generasjons halvledermateriale med evnen til å håndtere 10x spenningen og 100x strømmen til silisium, gjør den ideell til bruk med høy effekt som fornybar energi (vind og sol) installasjoner og elektriske nettkontrollsystemer.

nærmere bestemt, de to prisene er for:

  • Utvikling av høyfrekvente, multi-kilovolt SiC gate-turn-off (GTO) strøm enheter. Offentlige og kommersielle applikasjoner inkluderer strømstyrings- og kondisjoneringssystemer for skip, bruksindustrien, og medisinsk bildediagnostikk.
  • Design og fabrikasjon av optisk gated høyspenning, høyeffekt SiC-svitsjenheter. Å bruke fiberoptikk for å bytte strøm er en ideell løsning for miljøer plaget av elektromagnetisk interferens (EMI), og applikasjoner som krever ultrahøye spenninger.

SiC-enhetene GeneSiC utvikler tjener en rekke energilagring, kraftnettet, og militære applikasjoner, som får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.

Basert utenfor Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, felteffekttransistorer (FET-er) og bipolare enheter, samt partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjerne www.genesicsemi.com.

postet på

GeneSiC Semiconductor tildelt flere amerikanske Department of Energy SBIR og STTR-tilskudd

DULLES, VA, oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., en raskt stigende innovatør av høy temperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, kunngjorde at det har blitt tildelt tre separate småbedriftstilskudd fra US Department of Energy i løpet av FY07. SBIR- og STTR-bevilgningene vil bli brukt av GeneSiC for å demonstrere nye høyspente SiC-enheter for en rekke energilagring, kraftnettet, høytemperatur- og høyenergifysikkapplikasjoner. Energilagring og strømnettapplikasjoner får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.

“Vi er fornøyd med nivået av tillit uttrykt av ulike kontorer i det amerikanske energidepartementet med hensyn til våre høyeffekts enhetsløsninger. Å injisere denne finansieringen i våre avanserte SiC-teknologiprogrammer vil resultere i en bransjeledende linje SiC-enheter,” kommenterte GeneSiCs president, Dr.. Ranbir Singh. “Enhetene som utvikles i disse prosjektene lover å gi kritisk muliggjørende teknologi for å støtte et mer effektivt strømnett, og vil åpne døren til ny kommersiell og militær maskinvareteknologi som har forblitt urealisert på grunn av begrensningene til moderne silisiumbaserte teknologier.”

De tre prosjektene inkluderer:

  • En ny fase I SBIR-pris fokusert på høystrøm, multi-kV tyristor-baserte enheter rettet mot energilagringsapplikasjoner.
  • En fase II SBIR-oppfølgingspris for utvikling av multi-kV SiC-kraftenheter for høyspente strømforsyninger for høyeffekts RF-systemapplikasjoner tildelt av DOE Office of Science.
  • En fase I STTR-pris fokusert på optisk portet høyspenning, høyfrekvente SiC-strømenheter for miljøer rike på elektromagnetisk interferens, inkludert høyeffekts RF-energisystemer, og styrte energivåpensystemer.

Sammen med prisene, GeneSiC har nylig flyttet virksomheten til et utvidet laboratorium og kontorbygg i Dulles, Virginia, betydelig oppgradering av utstyret, infrastruktur og er i ferd med å legge til ytterligere nøkkelpersonell.

“GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder, sikkerhetskopierer det med tilgang til en omfattende serie med fabrikasjon, karakterisering og testing fasiliteter,” konkluderte Dr. Singh. “Vi føler at disse egenskapene har blitt effektivt validert av US DOE med disse nye og oppfølgende prisene.”

Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøke www.genesicsemi.com.