Note applicative:
AN-1 1200 V Diodi Schottky con altezze di barriera invarianti di temperatura e fattori di idealità
ottobre 2010 AN-1 1200 V Diodi Schottky con altezze di barriera invarianti di temperatura e fattori di idealità
AN-2 1200 Diodi V SiC JBS con carica di recupero inversa capacitiva ultra-bassa per applicazioni di commutazione rapida
ottobre 2010 AN-2 1200 Diodi V SiC JBS con carica di recupero inversa capacitiva ultra-bassa per applicazioni di commutazione rapida
Affidabilità del diodo di potenza SiC AN1001
settembre, 2018Affidabilità del diodo di potenza SiC AN1001
AN1002 Comprensione del foglio dati di un diodo Schottky di potenza SiC
settembre, 2018AN1002 Comprensione del foglio dati di un diodo Schottky di potenza SiC
AN1003 Istruzioni per l'uso del modello SPICE
dicembre, 2018AN1003 Istruzioni per l'uso del modello SPICE
Articoli tecnici:
Raddrizzatori SiC PiN ad alta potenza
dic, 2005 Raddrizzatori SiC PiN ad alta potenza
Raddrizzatori SiC PiN ad alta potenza
giu, 2007 Raddrizzatori SiC PiN ad alta potenza
Rilevamento rapido di neutroni con rivelatori semiisolanti al carburo di silicio
giu, 2008 Rilevamento rapido di neutroni con rivelatori semiisolanti al carburo di silicio
Sviluppo di rivelatori di radiazioni a base di carburo di silicio semiisolante
ottobre, 2008 Sviluppo di rivelatori di radiazioni a base di carburo di silicio semiisolante
Correlazione tra la durata di ricombinazione della portante e la caduta di tensione diretta nei diodi PiN 4H-SiC
settembre, 2010 Correlazione tra la durata di ricombinazione della portante e la caduta di tensione diretta nei diodi PiN 4H-SiC
