Note applicative:
Transistori di giunzione SiC pilota AN-10A (SJT) con driver per gate IGBT in silicio standard: Concetto di azionamento a un livello
Maggio 2013 Transistori di giunzione SiC pilota AN-10A (SJT) con driver per gate IGBT in silicio standard: Concetto di azionamento a un livello
AN-10B per pilotare transistor a giunzione SiC (SJT): Concetto di gate drive a due livelli
giugno 2013 AN-10B per pilotare transistor a giunzione SiC (SJT): Concetto di gate drive a due livelli
Scheda di commutazione a doppio impulso
sett 2014 Scheda di commutazione a doppio impulso
Scheda driver gate ad alta potenza
sett 2014 Scheda driver gate ad alta potenza
Scheda driver gate a bassa potenza
sett 2014 Scheda driver gate a bassa potenza
Articoli tecnici:
1200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistori di giunzione con guadagni di corrente di 88 e capacità di commutazione ultraveloce
settembre, 20111200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistori di giunzione con guadagni di corrente di 88 e capacità di commutazione ultraveloce
1200 V SiC Transistori a giunzione “Super” operanti a 250 °C con perdite di energia estremamente basse per applicazioni di conversione di potenza
nov, 2011 1200 V SiC Transistori a giunzione “Super” operanti a 250 °C con perdite di energia estremamente basse per applicazioni di conversione di potenza
Sfruttare la promessa di alte temperature del SiC
febbraio, 2012 Sfruttare la promessa di alte temperature del SiC
Carburo di silicio “Super” Transistori a giunzione operanti a 500°C
aprile, 2012 Carburo di silicio “Super” Transistori a giunzione operanti a 500°C
Stabilità delle caratteristiche elettriche dei transistor a giunzione "Super" SiC in condizioni di funzionamento CC e pulsato a lungo termine a varie temperature
Maggio, 2012 Stabilità delle caratteristiche elettriche dei transistor a giunzione "Super" SiC in condizioni di funzionamento CC e pulsato a lungo termine a varie temperature
