Note applicative:
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Articoli tecnici:
Co-pack di raddrizzatori ibridi Si-IGBT/SiC e raddrizzatori SiC JBS
settembre, 2011 Co-pack di raddrizzatori ibridi Si-IGBT/SiC e raddrizzatori SiC JBS
12.9 Diodi PiN SiC kV con basse cadute di stato on e lunga durata del portante
settembre, 2011 12.9 Diodi PiN SiC kV con basse cadute di stato on e lunga durata del portante
1200 V Raddrizzatori Schottky SiC ottimizzati per ≥ 250 Funzionamento in °C con la capacità di giunzione più bassa della categoria
luglio, 2012 1200 V Raddrizzatori Schottky SiC ottimizzati per ≥ 250 Funzionamento in °C con la capacità di giunzione più bassa della categoria
15 I diodi PiN SiC kV raggiungono 95% del limite valanghe e funzionamento stabile a lungo termine
Mar, 2013 15 I diodi PiN SiC kV raggiungono 95% del limite valanghe e funzionamento stabile a lungo termine
