Diodes SiC Schottky dans SMB (DO-214) les packages offrent les plus petites empreintes
Haute tension, Reverse Recovery-free SiC Schottky Diodes to critically enable Solar Inverters and High Voltage assemblies by offering smallest form factor surface mount capabilities Dulles, Virginie., Nov 19, 2013 —…
Redresseurs Schottky en carbure de silicium étendus à 3300 Tensions nominales
High Voltage assemblies to benefit from these low capacitance rectifiers offering temperature-independent zero reverse recovery currents in isolated packages Thief River Falls/Dulles, Virginie., Peut 28, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, une…
Matrice nue en carbure de silicium jusqu'à 8000 Notes V de GeneSiC
High Voltage circuits and assemblies to benefit from SiC chips that offer unprecedented voltage ratings and ultra-high speed switching Dulles, Virginie., Nov 7, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, a pioneer and…
Les modules hybrides SiC Schottky Rectifier/Si IGBT de GeneSiC permettent un fonctionnement à 175°C
DULLES, Virginie, Mars 5, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) Power Semiconductors annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate de ses…
GeneSiC présente les transistors à jonction en carbure de silicium
DULLES, Virginie, Février 25, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) Power Semiconductors annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate d'un…