DULLES, Virginie, Février 25, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate d'une famille de 1700V et 1200 Transistors à jonction V SiC. Intégrant de la haute tension, Les transistors à jonction SiC haute fréquence et haute température augmenteront l'efficacité de conversion et réduiront la taille/le poids/le volume de l'électronique de puissance. Ces appareils sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris les serveurs, alimentations télécoms et réseaux, alimentations sans interruption, onduleurs solaires, systèmes de commande de moteurs industriels, et applications de fond.
Les transistors de jonction proposés par GeneSiC présentent une capacité de commutation ultra-rapide, une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA), ainsi que des pertes d'énergie transitoires et des temps de commutation indépendants de la température. Ces commutateurs sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être motivés par des impératifs commerciaux, couramment disponible 15 Pilotes de grille V IGBT, contrairement aux autres commutateurs SiC. Tout en offrant une compatibilité avec les pilotes SiC JFET, Les transistors à jonction peuvent être facilement mis en parallèle en raison de leurs caractéristiques transitoires correspondantes.
“Alors que les concepteurs de systèmes électriques continuent de repousser les limites de la fréquence de fonctionnement, tout en exigeant des rendements de circuit élevés, le besoin de commutateurs SiC qui peuvent offrir un niveau de performance et d'uniformité de production. Utilisation de l'appareil unique et des innovations de fabrication, Les produits Transistor de GeneSiC aident les concepteurs à réaliser tout cela dans une solution plus robuste,” dit le docteur. Ranbir Singh , Président de GeneSiC Semiconductor.
1700 Faits saillants techniques du transistor à jonction V
- Trois offres - 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); et 500 mOhms (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175°C
- Activer/désactiver les temps de montée/descente <50 nanosecondes typique.
1200 Faits saillants techniques du transistor à jonction V
- Deux offres - 220 mOhms (GA06JT12-247); et 460 mOhms (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- Activer/désactiver les temps de montée/descente <50 nanosecondes typique
Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans sans halogène, Paquets TO-247 conformes RoHS. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés GeneSiC.
