GénéSiC est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits.
GénéSiC la technologie joue un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Notre technologie permet une récolte efficace des sources d'énergie renouvelables.
GénéSiC les composants électroniques refroidissent, plus rapide, et plus économique. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre $1 milliards par 2022.
Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.
Si vous souhaitez contacter GeneSiC concernant les relations avec les investisseurs, veuillez envoyer un e-mail à investisseurs@genesicsemi.com
Président
 | Docteur. Ranbir Singh a fondé GeneSiC Semiconductor Inc.. dans 2004. Avant cela, il a d'abord mené des recherches sur les dispositifs d'alimentation SiC chez Cree Inc., puis au NIST, Gaithersburg, MARYLAND. Il a développé une compréhension critique et publié sur une large gamme de dispositifs de puissance SiC, y compris PiN, Diodes JBS et Schottky, MOSFET, IGBT, Thyristors et thyristors à champ contrôlé. Il a obtenu son doctorat. et MS en génie électrique et informatique, de l'Université d'État de Caroline du Nord, Raleigh, NC, et B. Tech de l'Institut indien de technologie, Delhi. Dans 2012, EE Times nommé Dr. Singh parmi "Quarante innovateurs construisant les fondations de l'industrie électronique de nouvelle génération." Dans 2011, il a gagné le R&Prix D100 pour ses efforts dans la commercialisation de thyristors SiC 6,5 kV. Il a publié plus de 200 articles de revues et de conférences, est un auteur sur plus 30 brevets américains délivrés, et a écrit un livre. |
Vice-président de la technologie
 | Docteur. Siddarth Sundaresan est le vice-président de la technologie de GeneSiC. Il a obtenu son MS. et doctorat. diplômes en génie électrique de l'Université George Mason de 2004 et 2007, respectivement. Docteur. Sundaresan a publié plus de 65 articles techniques et actes de conférence sur appareil, matériaux et aspects de traitement des dispositifs de puissance fabriqués sur SiC et GaN. Il a siégé au comité du programme technique de la Conférence internationale sur le SiC et les matériaux connexes (ICSCRM) et est actuellement membre du comité technique de l'International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). |
