DULLES, Virginie, Mars 5, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) power semi-conducteurs annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate de ses mini-modules hybrides de deuxième génération utilisant 1200 Redresseurs V/100 ampères SiC Schottky avec IGBT au silicium robustes - le GB100XCP12-227. Le niveau de performance-prix auquel ce produit est commercialisé permet à de nombreuses applications de conversion de puissance de bénéficier de la réduction du coût/taille/poids/volume que ni la solution Silicon IGBT/Silicon Rectifier, ni un module SiC pur ne peut offrir. Ces dispositifs sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris les moteurs industriels, onduleurs solaires, équipements spécialisés et applications de réseau électrique.
Mini-modules SiC Schottky/Si IGBT (Co-packs) proposés par GeneSiC sont fabriqués avec des IGBT Si qui présentent un coefficient de température positif de chute à l'état passant, conception perforante robuste, fonctionnement à haute température et caractéristiques de commutation rapide pouvant être pilotées par des, couramment disponible 15 Pilotes de grille V IGBT. Les redresseurs SiC utilisés dans ces modules Co-pack permettent des boîtiers à inductance extrêmement faible, faible chute de tension à l'état passant et pas de récupération inverse. Le package SOT-227 offre une plaque de base isolée, 12conception à profil bas de mm qui peut être utilisée de manière très flexible comme élément de circuit autonome, configuration en parallèle à courant élevé, une étape de phase (deux modules), ou comme élément de circuit hacheur.
“Nous avons écouté nos clients clés depuis l'offre initiale de ce produit presque 2 il y a des années. Cette deuxième génération 1200 Le produit V/100 A Co-pack a une conception à faible inductance qui convient aux hautes fréquences, applications à haute température. Les mauvaises caractéristiques de récupération à haute température et inverse des diodes au silicium limitent considérablement l'utilisation des IGBT à des températures plus élevées. Faible FV de GeneSiC, Les diodes SiC Schottky à faible capacité permettent ce produit révolutionnaire” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.
1200 Points forts techniques du redresseur V/100 A Si IGBT/SiC
- Chute de 1.9 V à 100 UNE
- Coefficient de température positif sur VF
- Tjmax = 175°C
- Pertes d'énergie à l'allumage 23 microjoules (typique).
Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans sans halogène, Packages SOT-227 conformes à la norme RoHS. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés GeneSiC.
À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des produits redresseurs en silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. GeneSiC a obtenu de nombreux contrats de recherche et développement d'agences gouvernementales américaines, y compris l'ARPA-E, Ministère de l'Énergie, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, DTRA, et le Département de la sécurité intérieure, ainsi que les principaux entrepreneurs principaux du gouvernement. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.
