Diodes SiC Schottky dans SMB (DO-214) les packages offrent les plus petites empreintes

Haute tension, Diodes SiC Schottky sans récupération inverse pour activer de manière critique les onduleurs solaires et les assemblages haute tension en offrant les capacités de montage en surface les plus petites

Dulles, Virginie., Nov 19, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) Power Semiconductors annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate d'une famille de PME standard (JEDEC DO-214AA) redresseurs SiC emballés dans le 650 - 3300 Gamme V. Incorporant ces haute tension, sans récupération inverse, Les diodes SiC à haute fréquence et haute température augmenteront l'efficacité de la conversion et réduiront la taille / le poids / le volume des assemblages multi-kV. Ces produits sont destinés aux micro-onduleurs solaires ainsi qu'aux circuits multiplicateurs de tension utilisés dans une large gamme de rayons X, Alimentations pour laser et générateur de particules.

Les onduleurs micro-solaires contemporains et les circuits multiplicateurs de tension peuvent souffrir de faibles rendements de circuit et de grandes tailles en raison des courants de récupération inversés des redresseurs au silicium.. À des températures de jonction de redresseur plus élevées, cette situation s'aggrave car le courant de récupération inverse dans les redresseurs au silicium augmente avec la température. Avec assemblages haute tension à contraintes thermiques, les températures de jonction augmentent assez facilement même lorsque des courants modestes sont passés. Les redresseurs SiC haute tension offrent des caractéristiques uniques qui promettent de révolutionner les micro-onduleurs solaires et les assemblages haute tension. GeneSiC 650 V / 1 A; 1200 V / 2 A et 3300 Les redresseurs Schottky V / 0,3 A présentent un courant de récupération inverse nul qui ne change pas avec la température. La 3300 Les appareils évalués en V offrent une tension relativement élevée dans un seul appareil permettant une réduction des étages de multiplication de tension requis dans les circuits de générateur haute tension typiques, grâce à l'utilisation de tensions d'entrée CA plus élevées. Les caractéristiques de commutation quasi idéales permettent l'élimination / la réduction spectaculaire des réseaux d'équilibrage de tension et des circuits d'amortissement. La PME (DO-214AA) le boîtier surmoulé présente un facteur de forme standard pour les assemblages de montage en surface.

«Ces offres de produits sont le fruit d’années d’efforts de développement soutenus chez GeneSiC pour proposer des appareils et des packages convaincants.. Nous pensons que le facteur de forme SMB est un différenciateur clé pour le marché des micro-onduleurs solaires et multiplicateur de tension, et permettra des avantages significatifs à nos clients. Faible FV de GeneSiC, Les redresseurs SiC Schottky à faible capacité et les boîtiers SMB améliorés permettent ce produit révolutionnaire” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

1200 Diode Schottky V / 2 A SMB SiC (GB02SLT12-214) Faits saillants techniques

• VF typique = 1.5 V
• T_jmax = 175^OC
• Charge de récupération inversée = 14 NC.

3300 Diode Schottky V / 0,3 A SMB SiC (GAP3SLT33-214) Faits saillants techniques

• VF typique = 1.7 V
• T_jmax = 175^OC
• Charge de récupération inversée = 52 NC.

650 Diode Schottky V / 1 A SMB SiC (GB01SLT06-214) Faits saillants techniques

• VF typique = 1.5 V
• T_jmax = 175^OC
• Charge de récupération inversée = 7 NC.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans sans halogène, SMB conforme RoHS (DO-214AA) paquets. Le support technique et les modèles de circuits SPICE sont offerts. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés GeneSiC.

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des produits redresseurs en silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. GeneSiC a obtenu de nombreux contrats de recherche et développement d'agences gouvernementales américaines, y compris l'ARPA-E, Ministère de l'Énergie, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, DTRA, et le Département de la sécurité intérieure, ainsi que les principaux entrepreneurs principaux du gouvernement. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Pour plus d'informations, veuillez visiter https://192.168.88.14/index.php / produits-sic / schottky