Haute température (210 C) Transistors de jonction SiC proposés en boîtiers hermétiques

La promesse d'une température élevée dans les transistors SiC réalisée grâce à des boîtiers compatibles aux normes de l'industrie améliorera considérablement les actionneurs et les alimentations de fond et aérospatiaux

Dulles, Virginie., déc 10, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semiconducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate via ses distributeurs et directement une famille emballée haute température 600 Transistors à jonction V SiC (SJT) dans le 3-50 Ampères courants nominaux dans les boîtiers à montage traversant et en surface conformes aux normes de l'industrie JEDEC. Incorporant ces hautes températures, faible résistance à l'enclenchement, Transistors SiC haute fréquence en boîtiers hermétiques, les soudures et l'encapsulation à haute température augmenteront l'efficacité de conversion et réduiront la taille/le poids/le volume des applications de conversion de puissance à haute température.

Alimentation haute température contemporaine, les circuits de commande de moteur et d'actionneur utilisés dans les applications pétrolières/gazeuses/de fond et aérospatiales souffrent du manque de disponibilité d'une solution viable de carbure de silicium à haute température. Les transistors au silicium souffrent d'une faible efficacité de circuit et de grandes tailles car ils souffrent de courants de fuite élevés et de faibles caractéristiques de commutation médiocres. Ces deux paramètres s'aggravent à des températures de jonction plus élevées. Avec des environnements thermiquement contraints, les températures de jonction augmentent assez facilement même lorsque des courants modestes sont passés. Les transistors SiC hermétiquement emballés offrent des caractéristiques uniques qui promettent de révolutionner la capacité des applications de fond de trou et aérospatiales. GeneSiC 650 Les transistors à jonction SiC V/3-50 A présentent des temps de commutation proches de zéro qui ne changent pas avec la température. La 210^OLes dispositifs à température nominale de jonction C offrent des marges de température relativement importantes pour les applications fonctionnant dans des environnements extrêmes.

Les transistors de jonction proposés par GeneSiC présentent une capacité de commutation ultra-rapide, une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA), ainsi que des pertes d'énergie transitoires et des temps de commutation indépendants de la température. Ces commutateurs sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être motivés par des impératifs commerciaux, couramment disponible 15 Pilotes de grille V IGBT, contrairement aux autres commutateurs SiC. Tout en offrant une compatibilité avec les pilotes SiC JFET, Les transistors à jonction SiC peuvent être facilement mis en parallèle en raison de leurs caractéristiques transitoires correspondantes.

“Alors que les concepteurs d'applications de fond de puits et aérospatiales continuent de repousser les limites de la fréquence de fonctionnement, tout en exigeant des rendements de circuit élevés, ils ont besoin de commutateurs SiC qui peuvent offrir un standard de performance, fiabilité et uniformité de production. Utilisation de l'appareil unique et des innovations de fabrication, Les produits SJT de GeneSiC aident les concepteurs à réaliser tout cela dans une solution plus robuste. Ces produits complètent le redresseur hermétique SiC commercialisé l'année dernière par GeneSiC, et les produits à matrice nue sortis plus tôt cette année, tout en ouvrant la voie pour nous offrir une température élevée, faible inductance, modules de puissance dans un futur proche ” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

TO-257 isolé avec 600 Dans les SJT:

• 65 mOhms/20 ampères (2N7639-GA); 170 mOhms/8 A (2N7637-GA); et 425 mOhms/4 A (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <50 nanosecondes typique.
• Matrice nue correspondante GA20JT06-CAL (dans 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (dans 2N7637-GA); et GA05JT06-CAL (dans 2N7635-GA)

Paquet de prototype TO-258 non isolé avec 600 SJT

• 25 mOhms/50 ampères (Paquet prototype GA50JT06-258)
• T_jmax = 210^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <50 nanosecondes typique.
• Matrice nue correspondante GA50JT06-CAL (dans GA50JT06-258)

Montage en surface TO-276 (CMS0.5) avec 600 SJT

• 65 mOhms/20 ampères (2N7640-GA); 170 mOhms/8 A (2N7638-GA); et 425 mOhms/4 A (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <50 nanosecondes typique.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/intensité nominale et logé dans des boîtiers hermétiques. Le support technique et les modèles de circuits SPICE sont offerts. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès de GeneSiC Directement et/ou via ses Distributeurs Agréés.

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des produits redresseurs en silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. GeneSiC a obtenu de nombreux contrats de recherche et développement d'agences gouvernementales américaines, y compris l'ARPA-E, Ministère de l'Énergie, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, DTRA, et le Département de la sécurité intérieure, ainsi que les principaux entrepreneurs principaux du gouvernement. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

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