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GeneSiC présente les transistors à jonction en carbure de silicium

DULLES, Virginie, Février 25, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate d'une famille de 1700V et 1200 Transistors à jonction V SiC. Intégrant de la haute tension, Les transistors à jonction SiC haute fréquence et haute température augmenteront l'efficacité de conversion et réduiront la taille/le poids/le volume de l'électronique de puissance. Ces appareils sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris les serveurs, alimentations télécoms et réseaux, alimentations sans interruption, onduleurs solaires, systèmes de commande de moteurs industriels, et applications de fond.

Les transistors de jonction proposés par GeneSiC présentent une capacité de commutation ultra-rapide, une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA), ainsi que des pertes d'énergie transitoires et des temps de commutation indépendants de la température. Ces commutateurs sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être motivés par des impératifs commerciaux, couramment disponible 15 Pilotes de grille V IGBT, contrairement aux autres commutateurs SiC. Tout en offrant une compatibilité avec les pilotes SiC JFET, Les transistors à jonction peuvent être facilement mis en parallèle en raison de leurs caractéristiques transitoires correspondantes.

“Alors que les concepteurs de systèmes électriques continuent de repousser les limites de la fréquence de fonctionnement, tout en exigeant des rendements de circuit élevés, le besoin de commutateurs SiC qui peuvent offrir un niveau de performance et d'uniformité de production. Utilisation de l'appareil unique et des innovations de fabrication, Les produits Transistor de GeneSiC aident les concepteurs à réaliser tout cela dans une solution plus robuste,” dit le docteur. Ranbir Singh , Président de GeneSiC Semiconductor.

1700 Faits saillants techniques du transistor à jonction V

  • Trois offres - 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); et 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Activer/désactiver les temps de montée/descente <50 nanosecondes typique.

1200 Faits saillants techniques du transistor à jonction V

  • Deux offres - 220 mOhms (GA06JT12-247); et 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Activer/désactiver les temps de montée/descente <50 nanosecondes typique

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans sans halogène, Paquets TO-247 conformes RoHS. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés GeneSiC.

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La nouvelle physique permet au thyristor d'atteindre un niveau supérieur

DULLES, Virginie, août 30, 2011 - La nouvelle physique permet aux thyristors d'atteindre un niveau supérieur

Un réseau électrique fournit une alimentation fiable à l'aide d'appareils électroniques qui garantissent une, flux d'énergie fiable. Jusqu'à maintenant, les assemblages à base de silicium ont été utilisés, mais ils ont été incapables de gérer les exigences du réseau intelligent. Matériaux à large bande interdite tels que le carbure de silicium (SiC) offrent une meilleure alternative car ils sont capables de vitesses de commutation plus élevées, une tension de claquage plus élevée, pertes de commutation plus faibles, et une température de jonction plus élevée que les commutateurs traditionnels à base de silicium. Le premier dispositif à base de SiC à arriver sur le marché est le thyristor en carbure de silicium à ultra-haute tension. (Thyristor SiC), développé par GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Virginie., avec le soutien de Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., les Etats Unis. Département de l'énergie / livraison d'électricité, et les États-Unis. Recherche sur l'armée / l'armement, Centre de développement et d'ingénierie, Arsenal de Picatinny, N.J.

Les développeurs ont adopté une physique opérationnelle différente pour cet appareil, qui fonctionne sur le transport de transporteurs minoritaires et un troisième redresseur de terminal intégré, qui est un de plus que les autres dispositifs SiC commerciaux. Les développeurs ont adopté une nouvelle technique de fabrication qui prend en charge les cotes ci-dessus 6,500 V, ainsi qu'une nouvelle conception porte-anode pour les appareils à courant fort. Capable de fonctionner à des températures allant jusqu'à 300 C et courant à 80 UNE, le SiC Thyristor offre jusqu'à 10 tension fois plus élevée, des tensions de blocage quatre fois plus élevées, et 100 fréquence de commutation fois plus rapide que les thyristors à base de silicium.

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GeneSiC remporte le prestigieux R&Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau

DULLES, Virginie, juillet 14, 2011 — R&D Magazine a sélectionné GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA en tant que récipiendaire du prestigieux 2011 R&ré 100 Prix ​​pour la commercialisation de dispositifs en carbure de silicium à haute tension.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovateur clé dans les dispositifs de puissance à base de carbure de silicium a été honoré la semaine dernière avec l'annonce qu'il a reçu le prestigieux 2011 R&ré 100 Décerner. Ce prix récompense GeneSiC pour avoir introduit l'un des plus importants, les progrès de la recherche et du développement récemment introduits dans plusieurs disciplines au cours 2010. R&D Magazine a reconnu le thyristor SiC ultra-haute tension de GeneSiC pour sa capacité à atteindre des tensions et des fréquences de blocage jamais utilisées auparavant pour les démonstrations d'électronique de puissance. Les tensions nominales de >6.5kV, courant nominal en état de 80 A et fréquences de fonctionnement de >5 kHz sont beaucoup plus élevés que ceux précédemment introduits sur le marché. Ces capacités obtenues par les thyristors de GeneSiC permettent aux chercheurs en électronique de puissance de développer des onduleurs connectés au réseau, Souple

Systèmes de transmission AC (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) et systèmes CC haute tension (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau). Cela permettra de nouvelles inventions et développements de produits dans le domaine des énergies renouvelables, onduleurs solaires, onduleurs éoliens, et les industries du stockage d'énergie. Docteur. Ranbir Singh, Le président de GeneSiC Semiconductor a déclaré: «Il est prévu que les marchés à grande échelle des sous-stations électriques à semi-conducteurs et des générateurs d'éoliennes s'ouvriront après que les chercheurs dans le domaine de la conversion d'énergie auront pleinement réalisé les avantages des thyristors SiC. Ces thyristors SiC de première génération utilisent la chute de tension à l'état passant la plus faible et les résistances différentielles à l'état passant jamais atteintes dans les thyristors SiC. Nous avons l'intention de lancer les futures générations de thyristors SiC optimisés pour la capacité d'arrêt contrôlé par porte et la capacité de puissance pulsée et >10Valeurs kV. Alors que nous continuons à développer des solutions d'emballage à très haute tension à haute température, les thyristors 6,5 kV actuels sont emballés dans des modules avec des contacts entièrement soudés, limité à des températures de jonction de 150 ° C. » Depuis que ce produit a été lancé en octobre 2010, GeneSiC a réservé des commandes de plusieurs clients pour la démonstration de matériel électronique de puissance avancé utilisant ces thyristors en carbure de silicium. GeneSiC continue de développer sa famille de produits à thyristors en carbure de silicium. Le R&D sur la première version pour les applications de conversion de puissance ont été développés grâce au soutien financier SBIR du département américain. d'énergie. Plus avancé, Des thyristors SiC optimisés pour la puissance pulsée sont en cours de développement dans le cadre d'un autre contrat SBIR avec l'ARDEC, L'armée américaine. Utiliser ces développements techniques, investissement interne de GeneSiC et commandes commerciales de plusieurs clients, GeneSiC a pu proposer ces thyristors UHV en tant que produits commerciaux.

Le 49e concours technologique annuel organisé par R&D Magazine a évalué les entrées de diverses entreprises et acteurs de l'industrie, organismes de recherche et universités du monde entier. Les rédacteurs en chef du magazine et un panel d'experts extérieurs ont servi de juges, évaluer chaque entrée en fonction de son importance pour le monde de la science et de la recherche.

D'après R&Magazine D, gagner un R&ré 100 Le prix fournit une marque d'excellence connue de l'industrie, gouvernement, et le milieu universitaire comme preuve que le produit est l'une des idées les plus innovantes de l'année. Ce prix reconnaît GeneSiC en tant que leader mondial dans la création de produits basés sur la technologie qui font une différence dans notre façon de travailler et de vivre.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor sélectionné pour présenter sa technologie à 2011 Sommet de l'innovation énergétique ARPA-E

DULLES, Virginie, Février 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor est ravi d'annoncer sa sélection pour la prestigieuse vitrine technologique du ARPA-E Energy Innovation Summit, co-organisé par l'Agence des projets de recherche avancée du ministère de l'Énergie - Énergie (ARPA-E) et l'Organisation des technologies propres et des industries durables (CTSI). Des centaines de technologues de haut niveau et d'organisations de technologies propres de pointe ont concouru pour participer à la vitrine, un couloir des perspectives les plus prometteuses de l'Amérique pour gagner l'avenir de l'énergie.

En tant que l'une des organisations sélectionnées par l'ARPA-E, GeneSiC Semiconductor exposera son carbure de silicium à près de 2,000 les dirigeants nationaux se réunissent pour stimuler la compétitivité américaine à long terme dans le secteur de l'énergie, y compris les meilleurs chercheurs, investisseurs, entrepreneurs, dirigeants d'entreprises et représentants du gouvernement. Plus que 200 technologies révolutionnaires des lauréats ARPA-E, sociétés, Laboratoires nationaux et ministère de l'Énergie R&Les programmes D seront présentés lors de l'événement.

"Ce sommet rassemble des organisations qui comprennent la nécessité de collaborer et de s'associer pour commercialiser la prochaine génération de technologies énergétiques,” a déclaré GeneSiC Semiconductor, Président, Docteur. Ranbir Singh. "C'est une opportunité rare et passionnante de réunir autant d'acteurs clés de la communauté de l'énergie sous un même toit et nous sommes impatients de partager nos dispositifs d'alimentation en carbure de silicium avec d'autres innovateurs et investisseurs lors de la vitrine technologique."

Les équipes de recherche et de développement commercial de 14 Des partenaires d'accélération d'entreprise engagés dans la commercialisation de la technologie seront également présents, notamment Dow, Bosch, Matériaux appliqués et Lockheed Martin.

Le sommet comprend également des conférenciers de haut niveau, notamment des États-Unis. Secrétaire à l'énergie Steven Chu, Arun Majumdar, directeur de l'ARPA-E, NOUS. Secrétaire de la Marine Raymond Mabus, ancien gouverneur de Californie Arnold Schwarzenegger et président de Bank of America Charles Holliday.

Le deuxième sommet annuel de l'innovation énergétique ARPA-E aura lieu en février 28 – Mars 2, 2011 au Gaylord Convention Center juste à l'extérieur de Washington, DC. Pour en savoir plus ou pour vous inscrire, rendez-vous sur: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

À propos de GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc. développe des dispositifs semi-conducteurs à large bande interdite pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, interrupteurs de puissance et dispositifs bipolaires. GeneSiC utilise une suite unique et étendue de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. L'entreprise se distingue en fournissant des produits de haute qualité pour un large éventail de marchés à volume élevé. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Nasa, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense.

À propos de l'ARPA-E

L'Agence des Projets de Recherche Avancée – Energie (ARPA-E) est une nouvelle agence aux États-Unis. Département de l'énergie - et le premier à se concentrer exclusivement sur les technologies énergétiques révolutionnaires qui pourraient changer radicalement la façon dont nous utilisons l'énergie. Plutôt que d'effectuer des recherches directement, ARPA-E investit dans des, technologies énergétiques à haut rendement développées par les universités, startups, petites entreprises, et sociétés. Notre personnel combine des scientifiques de pointe, ingénieurs, et des dirigeants d'investissement pour identifier des solutions prometteuses aux problèmes énergétiques les plus critiques du pays et accélérer les technologies de pointe vers le marché - ce qui est essentiel pour assurer le leadership technologique mondial du pays et créer de nouvelles industries et de nouveaux emplois américains. Visite www.arpa-e.energy.govpour plus d'informations.

À propos du CTSI

La technologie propre & Organisation des industries durables (CTSI), une association industrielle à but non lucratif 501c6, représente les organisations qui développent, commercialiser, et la mise en œuvre de l'énergie, l'eau, et technologies environnementales. Les technologies propres offrent des solutions indispensables aux problèmes croissants de sécurité et de durabilité des ressources et sont essentielles au maintien de la compétitivité économique. CTSI rassemble des leaders mondiaux pour le plaidoyer, développement communautaire, la mise en réseau, et le partage d'informations pour aider à mettre ces technologies nécessaires sur le marché plus rapidement. Visite www.ct-si.org pour plus d'informations.

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GeneSiC remporte un projet de gestion de l'énergie de la NASA en soutien aux futures missions d'exploration de Vénus

DULLES, Virginie, décembre 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., un innovateur clé du nouveau carbure de silicium (SiC) appareils à haute température, haute puissance, et applications ultra haute tension, annonce la sélection de son projet intitulé « Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC » par la National Aeronautics and Space Administration des États-Unis (Nasa) pour un prix SBIR Phase I. Ce projet SBIR est axé sur le développement d'un transistor à super jonction à diode SiC JBS intégré monolithique (MILIEU) dispositifs pour un fonctionnement sous des ambiances de type Vénus (500 °C températures de surface). Les dispositifs SiC MIDSJT développés dans ce programme seront utilisés pour construire des modules de puissance de commande de moteur pour une intégration directe avec les rovers d'exploration Venus.

“Nous sommes ravis de la confiance exprimée par la NASA dans nos solutions de dispositifs SiC haute température. Ce projet permettra à GeneSiC de développer des technologies de gestion de l'alimentation basées sur SiC à la pointe de l'industrie grâce à ses solutions innovantes de dispositifs et de conditionnement” dit le docteur. Siddharth Sundaresan, Directeur de la technologie de GeneSiC. “Les dispositifs SiC MIDSJT ciblés dans ce programme permettront de gérer une puissance de niveau kilowatt avec une précision numérique à des températures aussi élevées que 500 °C. En plus des applications spatiales, cette nouvelle technologie a le potentiel de révolutionner le matériel critique de forage pétrolier aérospatial et géothermique nécessitant des températures ambiantes supérieures à 200 °C. Ces domaines d'application sont actuellement limités par les faibles performances à haute température des technologies d'appareils contemporaines à base de silicium et même de SiC telles que les JFET et les MOSFET.” il ajouta.

GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitant www.genesicsemi.com.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense.

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Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau

DULLES, Virginie, Novembre 1, 2010 –Dans une offre unique en son genre, GeneSiC Semiconductor annonce la disponibilité d'une famille de thyristors en carbure de silicium en mode SCR de 6,5 kV destinés à être utilisés dans l'électronique de puissance pour les applications Smart Grid. Les avantages de performance révolutionnaires de ces dispositifs d'alimentation devraient stimuler des innovations clés dans le matériel d'électronique de puissance à grande échelle pour augmenter l'accessibilité et l'exploitation des ressources énergétiques distribuées (LES). "Jusqu'ici, Carbure de silicium multi-kV (SiC) Les dispositifs d'alimentation n'étaient pas à la disposition des chercheurs américains pour exploiter pleinement les avantages bien connus - à savoir des fréquences de fonctionnement de 2 à 10 kHz à des valeurs nominales de 5 à 15 kV - des dispositifs d'alimentation à base de SiC. a commenté le Dr. Ranbir Singh, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. « GeneSiC a récemment terminé la livraison de nombreux 6,5kV/40A, 6.5Thyristors kV/60A et 6,5kV/80A à plusieurs clients menant des recherches sur les énergies renouvelables, Applications des systèmes d'alimentation de l'armée et de la marine. Les appareils SiC avec ces cotes sont désormais proposés plus largement. »

Les thyristors à base de carbure de silicium offrent une tension 10 fois plus élevée, 100X fréquences de commutation plus rapides et fonctionnement à température plus élevée par rapport aux thyristors conventionnels à base de silicium. Les opportunités de recherche d'applications ciblées pour ces dispositifs incluent la conversion de puissance moyenne tension à usage général (MVDC), Onduleurs solaires connectés au réseau, onduleurs éoliens, puissance pulsée, systèmes d'armes, contrôle d'allumage, et commande de déclenchement. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau (>10kV) Carbure de silicium (SiC) Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau >5 Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Compensateurs statiques VAR et compensateurs de série. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau 25-30 pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique.

Docteur. Singh poursuit : « Il est prévu que les marchés à grande échelle des sous-stations électriques à semi-conducteurs et des générateurs d'éoliennes s'ouvriront après que les chercheurs dans le domaine de la conversion d'énergie auront pleinement réalisé les avantages des thyristors SiC.. Ces thyristors SiC de première génération utilisent la chute de tension à l'état passant la plus faible et les résistances différentielles à l'état passant jamais atteintes dans les thyristors SiC. Nous avons l'intention de lancer les futures générations de thyristors SiC optimisés pour la capacité d'arrêt commandé par porte et >10Valeurs kV. Alors que nous continuons à développer des solutions d'emballage à très haute tension à haute température, les thyristors 6,5 kV actuels sont emballés dans des modules avec des contacts entièrement soudés, limité à des températures de jonction de 150 °C. GeneSiC est un innovateur émergent dans le domaine des dispositifs d'alimentation SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière.

Situé près de Washington, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SJT) pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, et le Département de la sécurité intérieure. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, fabrication, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, veuillez visiter www.genesicsemi.com.

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nov

DULLES, Virginie, Septembre 28, 2010 - Agence des projets de recherche avancée - Énergie (ARPA-E) a conclu un accord de coopération avec l'équipe dirigée par GeneSiC Semiconductor pour le développement du nouveau carbure de silicium à ultra haute tension (SiC) Dispositifs basés sur les thyristors. Ces dispositifs devraient être des catalyseurs clés pour l'intégration de centrales éoliennes et solaires à grande échelle dans le réseau intelligent de nouvelle génération..

«Ce prix hautement compétitif décerné à GeneSiC nous permettra d'étendre notre position de leader technique dans la technologie du carbure de silicium multi-kV., ainsi que notre engagement en faveur de solutions d'énergie alternative à l'échelle du réseau avec des solutions à semi-conducteurs,»A commenté le Dr. Ranbir Singh, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. «Les thyristors SiC multi-kV que nous développons sont la technologie clé permettant la réalisation de systèmes de transmission CA flexibles (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) éléments et haute tension DC (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) architectures envisagées vers une, efficace, Smart Grid du futur. Les thyristors à base de SiC de GeneSiC offrent une tension 10 fois plus élevée, 100X fréquences de commutation plus rapides et fonctionnement à température plus élevée dans les solutions de traitement de puissance FACTS et HVDC par rapport aux thyristors conventionnels à base de silicium. »

En avril 2010, GeneSiC a répondu à la livraison agile de la technologie d'alimentation électrique (EXPERT) sollicitation d'ARPA-E qui cherchait à investir dans des matériaux pour des avancées fondamentales dans les commutateurs haute tension qui ont le potentiel de dépasser les performances des convertisseurs de puissance existants tout en offrant des réductions de coûts. La proposition de la société intitulée "Thyristor commuté par anode en carbure de silicium pour la conversion de puissance moyenne tension" a été sélectionnée pour fournir un, état solide, conversion d'énergie moyenne tension pour les applications de haute puissance telles que les sous-stations électriques à semi-conducteurs et les générateurs d'éoliennes. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau 25-30 pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. Les innovations sélectionnées visaient à soutenir et à promouvoir les États-Unis. entreprises par le leadership technologique, grâce à un processus hautement compétitif.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur de nouvelle génération avec des propriétés largement supérieures au silicium conventionnel, comme la capacité de gérer dix fois la tension - et cent fois le courant - à des températures aussi élevées que 300 ° C. Ces caractéristiques le rendent parfaitement adapté aux applications de forte puissance telles que les véhicules hybrides et électriques, énergie renouvelable (éolien et solaire) installations, et systèmes de contrôle du réseau électrique.

Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau (>10kV) Carbure de silicium (SiC) Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau >5 Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Compensateurs VAR statiques et compensateurs série. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Parmi les autres applications et avantages prometteurs de ces appareils, citons:

  • Systèmes de gestion de l'alimentation et de conditionnement d'énergie pour la conversion CC moyenne tension recherchés dans le cadre de la capacité navale future (FNC) de l'US Navy, Systèmes de lancement électromagnétiques, systèmes d'armes à haute énergie et imagerie médicale. La capacité de fréquence de fonctionnement 10-100X plus élevée permet des améliorations de taille sans précédent, poids, volume et finalement, coût de tels systèmes.
  • Une variété de stockage d'énergie, applications de physique à haute température et haute énergie. Les applications de stockage d'énergie et de réseau électrique reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et plus rentables.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière.

“Nous sommes devenus un chef de file de la technologie SiC à ultra-haute tension en tirant parti de notre compétence de base dans la conception de dispositifs et de processus avec une vaste gamme de fabrication, caractérisation, et installations d'essai,»Conclut le Dr. Singh. «La position de GeneSiC a maintenant été validée par le DOE des États-Unis avec cette importante récompense consécutive.»

À propos de GeneSiC Semiconductor

Stratégiquement situé près de Washington, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SJT) pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, et le Département de la sécurité intérieure. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, fabrication, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, veuillez visiterwww.genesicsemi.com.

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L'énergie renouvelable permet à GeneSiC Semiconductor de gagner 1,5 million de dollars du département américain de l'Énergie

DULLES, Virginie, Novembre 12, 2008 – Le département américain de l'Énergie a accordé à GeneSiC Semiconductor deux subventions distinctes totalisant 1,5 million de dollars pour le développement de carbure de silicium haute tension (SiC) dispositifs qui serviront de catalyseurs clés pour le vent- et l'intégration de l'énergie solaire au réseau électrique national.

« Ces récompenses démontrent la confiance du DOE dans les capacités de GeneSiC, ainsi que son engagement envers les solutions énergétiques alternatives,» note le Dr. Ranbir Singh, président de GeneSiC. « Un intégré, Un réseau électrique efficace est essentiel pour l'avenir énergétique de la nation - et les dispositifs SiC que nous développons sont essentiels pour surmonter les inefficacités des technologies silicium conventionnelles.

Le premier prix est une subvention SBIR Phase II de 750 000 $ pour le développement de, dispositifs bipolaires SiC ultra haute tension. La seconde est une subvention STTR Phase II de 750 000 $ pour le développement de commutateurs SiC haute puissance à porte optique.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur de nouvelle génération capable de gérer 10 fois la tension et 100 fois le courant du silicium, ce qui le rend idéalement adapté aux applications de haute puissance telles que les énergies renouvelables (éolien et solaire) installations et systèmes de contrôle du réseau électrique.

Spécifiquement, les deux prix sont pour:

  • Développement de la haute fréquence, arrêt de porte SiC multi-kilovolts (GTO) appareils d'alimentation. Les applications gouvernementales et commerciales incluent les systèmes de gestion de l'énergie et de conditionnement pour les navires, l'industrie des services publics, et imagerie médicale.
  • Conception et fabrication de haute tension à déclenchement optique, dispositifs de commutation SiC haute puissance. L'utilisation de fibres optiques pour commuter l'alimentation est une solution idéale pour les environnements en proie à des interférences électromagnétiques (EMI), et les applications qui nécessitent des ultra hautes tensions.

Les dispositifs SiC que GeneSiC développe servent une variété de stockage d'énergie, réseau électrique, et applications militaires, qui reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et rentables.

Basé en dehors de Washington, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, transistors à effet de champ (FET) et appareils bipolaires, ainsi que des particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a des contrats principaux/sous-traités avec les principales agences gouvernementales américaines, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Marine, DARPA, et le Département de la sécurité intérieure. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, fabrication, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, veuillez visiter www.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor reçoit plusieurs subventions SBIR et STTR du département américain de l'Énergie

DULLES, Virginie, Octobre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovateur en plein essor de la haute température, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs, a annoncé qu'il a reçu trois subventions distinctes pour les petites entreprises du département américain de l'Énergie au cours de l'exercice 07. Les subventions SBIR et STTR seront utilisées par GeneSiC pour démontrer de nouveaux dispositifs SiC haute tension pour une variété de stockage d'énergie, réseau électrique, applications de physique à haute température et haute énergie. Les applications de stockage d'énergie et de réseau électrique reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et rentables.

“Nous sommes satisfaits du niveau de confiance exprimé par divers bureaux du département américain de l'énergie à l'égard de nos solutions d'appareils haute puissance.. L'injection de ce financement dans nos programmes de technologie SiC avancée se traduira par une ligne de dispositifs SiC de pointe,” a commenté le Président de GeneSiC, Docteur. Ranbir Singh. “Les dispositifs développés dans ces projets promettent de fournir une technologie habilitante essentielle pour soutenir un réseau électrique plus efficace, et ouvrira la porte à une nouvelle technologie matérielle commerciale et militaire qui n'a pas été réalisée en raison des limites des technologies contemporaines à base de silicium.”

Les trois projets comprennent:

  • Un nouveau prix SBIR Phase I axé sur les courants forts, dispositifs multi-kV à base de thyristors orientés vers les applications de stockage d'énergie.
  • Un prix de suivi de phase II SBIR pour le développement de dispositifs d'alimentation SiC multi-kV pour les alimentations haute tension pour les applications de systèmes RF haute puissance décerné par le DOE Office of Science.
  • Un prix STTR Phase I axé sur la haute tension à déclenchement optique, dispositifs de puissance SiC haute fréquence pour les environnements riches en interférences électromagnétiques, y compris les systèmes d'énergie RF haute puissance, et systèmes d'armes à énergie dirigée.

Avec les récompenses, GeneSiC a récemment déménagé ses activités dans un laboratoire agrandi et un immeuble de bureaux à Dulles, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, moderniser considérablement son équipement, infrastructure et est en train d'ajouter du personnel clé supplémentaire.

“GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients, sauvegarder cela avec l'accès à une vaste suite de fabrication, installations de caractérisation et d'essais,” a conclu le Dr. Singh. “Nous pensons que ces capacités ont été effectivement validées par le DOE américain avec ces nouvelles récompenses et les suivantes.”

Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitant www.genesicsemi.com.