DULLES, Virginie, décembre 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., un innovateur clé du nouveau carbure de silicium (SiC) appareils à haute température, haute puissance, et applications ultra haute tension, annonce la sélection de son projet intitulé « Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC » par la National Aeronautics and Space Administration des États-Unis (Nasa) pour un prix SBIR Phase I. Ce projet SBIR est axé sur le développement d'un transistor à super jonction à diode SiC JBS intégré monolithique (MILIEU) dispositifs pour un fonctionnement sous des ambiances de type Vénus (500 °C températures de surface). Les dispositifs SiC MIDSJT développés dans ce programme seront utilisés pour construire des modules de puissance de commande de moteur pour une intégration directe avec les rovers d'exploration Venus.
“Nous sommes ravis de la confiance exprimée par la NASA dans nos solutions de dispositifs SiC haute température. Ce projet permettra à GeneSiC de développer des technologies de gestion de l'alimentation basées sur SiC à la pointe de l'industrie grâce à ses solutions innovantes de dispositifs et de conditionnement” dit le docteur. Siddharth Sundaresan, Directeur de la technologie de GeneSiC. “Les dispositifs SiC MIDSJT ciblés dans ce programme permettront de gérer une puissance de niveau kilowatt avec une précision numérique à des températures aussi élevées que 500 °C. En plus des applications spatiales, cette nouvelle technologie a le potentiel de révolutionner le matériel critique de forage pétrolier aérospatial et géothermique nécessitant des températures ambiantes supérieures à 200 °C. Ces domaines d'application sont actuellement limités par les faibles performances à haute température des technologies d'appareils contemporaines à base de silicium et même de SiC telles que les JFET et les MOSFET.” il ajouta.
GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitant www.genesicsemi.com.
À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense.
