DULLES, Virginie, Octobre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovateur en plein essor de la haute température, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs, a annoncé qu'il a reçu trois subventions distinctes pour les petites entreprises du département américain de l'Énergie au cours de l'exercice 07. Les subventions SBIR et STTR seront utilisées par GeneSiC pour démontrer de nouveaux dispositifs SiC haute tension pour une variété de stockage d'énergie, réseau électrique, applications de physique à haute température et haute énergie. Les applications de stockage d'énergie et de réseau électrique reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et rentables.
“Nous sommes satisfaits du niveau de confiance exprimé par divers bureaux du département américain de l'énergie à l'égard de nos solutions d'appareils haute puissance.. L'injection de ce financement dans nos programmes de technologie SiC avancée se traduira par une ligne de dispositifs SiC de pointe,” a commenté le Président de GeneSiC, Docteur. Ranbir Singh. “Les dispositifs développés dans ces projets promettent de fournir une technologie habilitante essentielle pour soutenir un réseau électrique plus efficace, et ouvrira la porte à une nouvelle technologie matérielle commerciale et militaire qui n'a pas été réalisée en raison des limites des technologies contemporaines à base de silicium.”
Les trois projets comprennent:
- Un nouveau prix SBIR Phase I axé sur les courants forts, dispositifs multi-kV à base de thyristors orientés vers les applications de stockage d'énergie.
- Un prix de suivi de phase II SBIR pour le développement de dispositifs d'alimentation SiC multi-kV pour les alimentations haute tension pour les applications de systèmes RF haute puissance décerné par le DOE Office of Science.
- Un prix STTR Phase I axé sur la haute tension à déclenchement optique, dispositifs de puissance SiC haute fréquence pour les environnements riches en interférences électromagnétiques, y compris les systèmes d'énergie RF haute puissance, et systèmes d'armes à énergie dirigée.
Avec les récompenses, GeneSiC a récemment déménagé ses activités dans un laboratoire agrandi et un immeuble de bureaux à Dulles, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, moderniser considérablement son équipement, infrastructure et est en train d'ajouter du personnel clé supplémentaire.
“GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients, sauvegarder cela avec l'accès à une vaste suite de fabrication, installations de caractérisation et d'essais,” a conclu le Dr. Singh. “Nous pensons que ces capacités ont été effectivement validées par le DOE américain avec ces nouvelles récompenses et les suivantes.”
Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitant www.genesicsemi.com.
